SK Hynix ประกาศว่าบริษัทเริ่มสายการผลิตหลักของชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง HBM3E แบบซ้อน 12 ชั้นแล้ว ซึ่งเป็นไปตามแผนงานที่บริษัทประกาศไว้ก่อนหน้านี้

HBM3E แบบซ้อน 12 ชั้น จะทำให้มีความจุเพิ่มขึ้นเป็น 36GB (DRAM ตัวละ 3GB) จากเดิม HBM3E ที่ SK Hynix ผลิตมี 8 ชั้น ความจุ 24GB ซึ่งเริ่มส่งมอบให้ลูกค้าไปเมื่อเดือนมีนาคมที่ผ่านมา

SK Group บริษัทแม่ของ SK Hynix บริษัทผู้ผลิตชิปหน่วยความจำอันดับ 2 ของโลกจากเกาหลีใต้ ประกาศแผนการลงทุนหลายอย่างกับผู้ถือหุ้น ซึ่งการลงทุนส่วนหนึ่งจะโฟกัสไปที่การรองรับ AI ในอนาคต เฉพาะ SK Hynix มีแผนลงทุนเป็นเงิน 103 ล้านล้านวอน (2.7 ล้านล้านบาท) จนถึงปี 2028 สำหรับธุรกิจด้านชิปที่เกี่ยวข้องกับ AI

นอกจากนี้ SK Group มีแผนลงทุนด้าน AI เพิ่มเติมอีกในวงเงิน 80 ล้านล้านวอน ซึ่งรวมทั้งส่วนการปันผลให้ผู้ถือหุ้น ซึ่งมีตั้งแต่การพัฒนาชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM, การพัฒนาศูนย์ข้อมูลที่ทำงานบน AI และการพัฒนาบริการผู้ช่วย AI เป็นต้น