Memory

Pixel 8 เป็นโทรศัพท์ตัวแรกที่สามารถเปิดใช้ฟีเจอร์ป้องกันแรม Memory Tagging Extensions

By lew

on 4 November 2023 - 13:26 Tag: Google Pixel 8, Arm, Security, Memory

Google Pixel 8

Mark Brand จาก Project Zero เล่าถึงฟีเจอร์ลับของ Pixel 8/Pixel 8 Pro ว่าเป็นโทรศัพท์ตัวแรกที่สามารถเปิดฟีเจอร์ Memory Tagging Extensions ฟีเจอร์ป้องกันบั๊กหน่วยความจำหลายรูปแบบ เช่น ทำให้โปรแกรมไม่สามารถใช้หน่วยความจำที่เคยคืนระบบไปแล้ว (user-after-free)

ซัมซุงพัฒนาแรม GDDR7 เสร็จแล้ว แบนด์วิดท์เพิ่มเป็น 1.5 TBps, ประหยัดพลังงานขึ้น 20%

By mk

on 19 July 2023 - 21:27 Tag: Samsung, Memory

Samsung

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7) ที่เป็นรุ่นต่อจากแรม GDDR6 ในปัจจุบัน

แรม GDDR7 จะเพิ่มแบนด์วิดท์การส่งข้อมูลเป็น 1.5 TBps เพิ่มจาก GDDR6 ที่ทำได้ 1.1 TBps โดยใช้เทคนิคการส่งสัญญาณแบบใหม่ Pulse Amplitude Modulation (PAM3) แทนเทคนิค Non Return to Zero (NRZ) ของเดิม ส่งข้อมูลได้มากขึ้น 50% ในรอบการส่งสัญญาเท่ากัน

รัฐบาลจีนแบน Micron แล้ว บอกหน่วยความจำมีช่องโหว่ เป็นภัยต่อความมั่นคง

By mk

on 22 May 2023 - 05:53 Tag: Micron, China, Memory, Security

Micron

รัฐบาลจีนสั่งแบนการขายสินค้าของ Micron ด้วยเหตุผลเรื่องความมั่นคง หลังเริ่มเข้าตรวจสอบ Micron มาตั้งแต่เดือนเมษายน

หน่วยงานที่รับผิดชอบเรื่องนี้คือ Cyberspace Administration of China (CAC) ระบุว่าผลการตรวจสอบพบว่าหน่วยความจำของ Micron มีช่องโหว่ความปลอดภัยร้ายแรง เป็นอันตรายต่อความมั่นคงทางโครงสร้างพื้นฐานไอทีของประเทศจีน แต่ไม่ได้ให้ข้อมูลรายละเอียดว่าช่องโหว่นี้คืออะไร

SK hynix เปิดตัวแรม LPDDR5T (Turbo) ส่งข้อมูลเร็วขึ้นจาก LPDDR5X อีก 13%

By mk

on 26 January 2023 - 11:03 Tag: SK Hynix, Memory, Hardware

SK Hynix

SK hynix เปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน LPDDR5T ที่แรงขึ้นจากแรม LPDDR5X รุ่นล่าสุดในปัจจุบันอีก 13%

LPDDR5T ย่อมาจาก Low Power Double Data Rate 5 Turbo เป็นแรมที่ต่อยอดจาก LPDDR5X โดยเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเป็น 9.6 Gbps หรือเพิ่มขึ้น 13% จาก 8.5 Gbps ของแรมรุ่นเดิม และน่าจะเป็นการอัพเกรดครั้งสุดท้ายก่อนขึ้นเลขใหม่เป็น LPDDR6 ในอนาคตต่อไป

รัฐบาลสหรัฐแบนบริษัทจีนอีก 36 แห่ง บริษัทผลิตแรมรายใหญ่ YMTC โดนแบนแล้ว

By mk

on 16 December 2022 - 20:11 Tag: YMTC, USA, China, Memory, Semiconductor

YMTC

กระทรวงพาณิชย์ของสหรัฐ เพิ่มบริษัทจีนอีก 36 แห่งในรายการควบคุม Entity List มีผลเรื่องจำกัดการทำการค้าระหว่างบริษัทสัญชาติสหรัฐกับบริษัทเหล่านี้ โดยให้เหตุผลว่าเป็นบริษัทที่เกี่ยวข้องกับกองทัพจีน

บริษัทสำคัญที่อยู่ในรายชื่อรอบนี้คือ Yangtze Memory Technologies หรือ YMTC บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของจีน (แบรนด์ในเครือคือ Zhitai) ซึ่งเป็นบริษัทที่ถูกรัฐบาลสหรัฐเพ่งเล็ง มาก่อนหน้านี้แล้ว

ไปไม่รอด อินเทลยุติธุรกิจหน่วยความจำ Optane อย่างเป็นทางการ

By mk

on 29 July 2022 - 09:09 Tag: Intel, Optane, Memory

Intel

หลังจากมีสัญญาณว่าไปไม่รอดมาสักพักใหญ่ๆ แล้ว อินเทลก็ประกาศอย่างเป็นทางการว่ายุติธุรกิจหน่วยความจำ Optane ในงานแถลงผลประกอบการไตรมาสล่าสุด

Optane เป็นโครงการที่อินเทลร่วมกับ Micron ตั้งแต่ปี 2015 พัฒนาหน่วยความจำประเภท 3D XPoint ที่เร็วกว่าหน่วยความจำ NAND และใช้เป็นสตอเรจคั่นกลางระหว่างแรมกับ SSD แต่สุดท้ายก็ไปไม่รอด อินเทลหยุดขายสินค้าในปี 2021 ในขณะที่ Micron ขายโรงงานทิ้ง

อินเทลระบุสั้นๆ แค่ว่าจะยุติธุรกิจนี้ และลงบัญชีด้อยค่าสินทรัพย์สินค้ากลุ่ม Optane ที่เหลือเป็นมูลค่า 559 ล้านดอลลาร์

Dell ออกแบบช่องเสียบแรมในโน้ตบุ๊กใหม่ ใช้สล็อต CAMM บางลง แต่ต้องซื้อจาก Dell เท่านั้น

By mk

on 22 April 2022 - 11:50 Tag: Dell, Memory, Notebook, Hardware

Dell

ผู้ใช้ทวิตเตอร์ @Emerald_x86 โพสต์ภาพโน้ตบุ๊กธุรกิจ Dell Precision 7670 รุ่นใหม่ของ Dell ที่ใช้สล็อตแรม DDR5 แบบใหม่เรียกว่า Compression Attached Memory Module (CAMM) ที่ Dell ออกแบบเอง

จุดเด่นของสล็อตแบบ CAMM เทียบกับสล็อต SO-DIMM ที่ใช้เป็นมาตรฐานแรมโน้ตบุ๊กในปัจจุบัน คือใช้พื้นที่ภายในเครื่องน้อยลง ชิปแรมถูกฝังมาข้างเดียวกันทั้งหมด (แรมปัจจุบันมีฝังสองด้าน) ช่วยให้ตัวเครื่องบางลง และเป็นทางเลือกที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับแรมแบบเชื่อมบนบอร์ดมาเลย

ชิป NAND หายไป 6.5EB หลังโรงงานของ Kioxia และ Western Digital เจอปัญหาปนเปื้อน คาดราคา SSD เตรียมขยับขึ้น

By mheevariety

on 11 February 2022 - 15:43 Tag: NAND, Western Digital, Kioxia, Memory, SSD

NAND

โรงงาน Kioxia (Toshiba เก่า) และ Western Digital ในเมือง Yokkaichi และ Kiakami ประเทศญี่ปุ่น พบปัญหาชิปความจำ 3D NAND ปนเปื้อนที่ยังไม่มีการชี้แจงสาเหตุจากบริษัท จนเสียหายกว่า 6.5EB (1EB = 1 ล้าน TB หรือ 1 พันล้าน GB) และต้องหยุดการผลิตชั่วคราว

บริษัทวิจัยตลาด TrendForce คาดว่าเหตุปนเปื้อนนี้อาจทำให้ราคาชิป 3D NAND สูงขึ้น 5-10% ทำให้อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำ เช่น SSD ที่ใช้ชิป 3D NAND เป็นส่วนประกอบ มีราคาสูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปีนี้

อินเทลขายธุรกิจ SSD และโรงงานชิป NAND ให้ SK hynix เสร็จเรียบร้อยแล้ว

By mk

on 30 December 2021 - 09:53 Tag: Intel, SK Hynix, SSD, Acquisition, Memory

Intel

อินเทลประกาศความคืบหน้าการขายธุรกิจ NAND และ SSD ให้กับ SK hynix ที่ประกาศไว้เมื่อปี 2020 ว่าเสร็จสิ้นกระบวนการขั้นแรกแล้ว

สิ่งที่เกิดขึ้นคือ อินเทลขายธุรกิจ SSD และโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำ NAND ที่เมืองต้าเหลียน ประเทศจีน ให้กับ SK hynix ในราคา 7 พันล้านดอลลาร์ โดยอินเทลจะยังใช้บริการผลิต NAND ที่โรงงานแห่งนี้ต่อไป ส่วนธุรกิจ SSD จะกลายเป็นบริษัทใหม่ชื่อ Solidigm (ย่อมาจาก solid-state + paradigm) มีสถานะเป็นบริษัทลูกของ SK hynix และ Robery Crooke หัวหน้าฝ่ายหน่วยความจำของอินเทลจะขึ้นเป็นซีอีโอของบริษัทแห่งนี้

ซีอีโอ Micron ระบุ แรม DDR5 ดีมานด์เยอะ แต่มีของน้อย อาจขาดตลาดจนถึงครึ่งหลังปี 2022

By mheevariety

on 23 December 2021 - 10:50 Tag: Memory, Micron, DDR5

Memory

หลัง Intel เตรียมออกซีพียู Intel Core 12th Gen เมนบอร์ดรุ่นใหม่ที่เตรียมรองรับซีพียูเจ็นใหม่นี้ เริ่มมาพร้อมกับการรองรับแรมแบบ DDR5 แล้ว แต่ปัญหาคือชิ้นส่วนบางอย่างของแรม DDR5 เช่น วงจรจัดการพลังงาน (power management IC) และโมดูลคุมแรงดันไฟฟ้า (voltage regulating module) ที่ไปรวมอยู่บนแรม DDR5 เริ่มหายากขึ้น ทำให้แรมอาจจะมีราคาแพงขึ้น และหาซื้อได้ยากอีกครั้ง

โรงงานผลิตชิปในจีนเจอปัญหา สหรัฐล็อบบี้เนเธอร์แลนด์ไม่ขายเครื่อง EUV ให้

By mk

on 28 November 2021 - 09:08 Tag: China, ASML, Semiconductor, SK Hynix, Memory

China

Reuters รายงานว่าสงครามการค้าระหว่างสหรัฐและจีน บวกกับปัญหาชิปขาดตลาดทั่วโลก ส่งผลสะเทือนต่อโรงงานผลิตชิปในประเทศจีน ไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตบางอย่างได้แล้ว

บริษัทในข่าวคือ SK Hynix บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลีใต้ ที่มีโรงงานอยู่ที่เมืองอู๋ซี (Wuxi) ประเทศจีน ไม่สามารถซื้อเครื่อง extreme ultraviolet lithography (EUV) จากบริษัทเนเธอร์แลนด์ ASML เพื่อใช้ในการผลิตชิปที่ขนาดเล็กมากๆ ได้มาหลายปีแล้ว

นักวิจัยระบุช่องโหว่ Rowhammer ยังเปลี่ยนค่าในแรมได้แทบทุกยี่ห้อ แม้ผู้ผลิตพยายามปิดช่องโหว่แล้ว

By lew

on 17 November 2021 - 02:12 Tag: Memory, Security

Memory

การโจมตีแรมแบบ Rowhammer เป็นช่องโหว่ที่ทีม Project Zero ของกูเกิลสาธิตมาตั้งแต่ปี 2015 โดยอาศัยการเปลี่ยนค่าในหน่วยความจำซ้ำๆ จนกระทั่งหน่วยความจำแถว "ข้างๆ" นั้นเปลี่ยนค่าไปด้วย และหลังมีรายงานออกมาผู้ผลิตแรมก็พยายามเพิ่มกระบวนการป้องกันการเปลี่ยนข้อมูลเช่นนี้ ล่าสุดทีมวิจัย COMSEC จากมหาวิทยาลัย ETH Zürich ก็ประสบความสำเร็จในการโจมตีแบบ Blacksmith ที่พัฒนาเทคนิคต่อจาก Rowhammer จนเปลี่ยนค่าในแรมได้แทบทุกยี่ห้อในตลาด

Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5X เจ้าแรกของวงการ เร็วกว่า LPDDR5 1.3 เท่า กินไฟน้อยกว่า 20%

By mheevariety

on 10 November 2021 - 14:35 Tag: Samsung, Memory, Semiconductor

Samsung

Samsung เปิดตัว DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5X หรือ LPDDR5X แบบ 16Gb เป็นครั้งแรกของวงการชิปความจำ ผลิตด้วยกระบวนการขนาด 14 นาโนเมตร (nm) และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับการทำงานที่ต้องใช้หน่วยความจำความเร็วสูง เช่นการทำงานกับข้อมูลที่ส่งผ่าน 5G การทำงานกับปัญญาประดิษฐ์, AR และ metaverse

แรม LPDDR5X ของ Samsung ใส่แรมได้สูงสุด 64GB ต่อหนึ่งแพ็กเกจหน่วยความจำ มีความเร็วประมวลผลอยู่ที่ 8.5 Gbps (กิกะบิตต่อวินาที) เร็วกว่า 6.4 Gbps ของ LPDDR5 ถึง 1.3 เท่าตัว และใช้พลังงานน้อยกว่าราว 20% จากการลดขนาดกระบวนการผลิตไปอยู่ที่ 14 นาโนเมตร

แรม DDR5 UDIMM กลุ่มแรกจาก Kingston ได้รับการรับรองจาก Intel แล้ว เตรียมเปิดตัวปีหน้า

By mheevariety

on 8 October 2021 - 11:59 Tag: Kingston, Memory

Kingston

Kingston ระบุว่าแรม DDR5 UDIMM กลุ่มแรกที่กำลังจะเปิดตัวในปีหน้า ได้รับการรับรองจาก Intel Platform Validation แล้ว และได้จัดส่งตัวอย่างแรม DDR5 UDIMM กว่า 10,000 ชิ้น ให้ผู้ผลิตเมนบอร์ด เพื่อเตรียมรองรับแรม DDR5 เมื่อวางจำหน่ายเรียบร้อยแล้ว

แรม DDR5 UDIMM ชุดแรกของ Kingston มี 2 ความจุ คือ 16GB และ 32GB ความเร็ว 4800MHz และใช้ไฟ 1.1V รหัส KVR48U40BS8-16 และ KVR48U40BD8-32 ตามลำดับ

[ลือ] Western Digital กำลังเจรจาควบกิจการ Kioxia (Toshiba Memory เดิม)

By mk

on 27 August 2021 - 14:24 Tag: Kioxia, Toshiba, Memory, Acquisition, Western Digital, Rumor

Kioxia

Wall Street Journal รายงานข่าววงในว่า Western Digital กำลังเจรจาเพื่อควบรวมกับ Kioxia บริษัทหน่วยความจำของญี่ปุ่นที่รีแบรนด์มาจาก Toshiba Memory เดิม ปัจจุบัน Toshiba ถือหุ้นราว 40% ส่วนที่เหลือเป็นของบริษัทลงทุน Bain Capital

หากการเจรจาสำเร็จ บริษัทใหม่จะมีมูลค่า 2 หมื่นล้านดอลลาร์ โดย David Goeckeler ซีอีโอของ Western Digital จะนั่งเป็นซีอีโอของบริษัทใหม่

เอามารันเบราว์เซอร์ ซัมซุงเปิดตัวโมดูล DDR5-7200 ความจุ 512GB คาดเริ่มวางตลาดปีนี้

By lew

on 23 August 2021 - 14:09 Tag: Samsung, Memory, Semiconductor

Samsung

ซัมซุงเปิดข้อมูลโมดูลแรม DDR5-7200 ที่ความจุสูงสุด 512GB มากกว่าโมดูลแรมใหญ่สุดทุกวันนี้ที่มีขายไม่เกิน 256GB อย่างไรก็ดี สเปค DDR5-7200 ที่ควรจะกำหนดโดย JEDEC นั้นยังไม่นิ่งทำให้ไม่แน่ชัดว่าซีพียูหรือเมนบอร์ดตัวไหนจะรองรับโมดูลแรมนี้บ้าง

ความพิเศษของโมดูลแรมใหม่นี้คือซัมซุงซ้อนชิปเข้าด้วยกันถึง 8 ชั้นและยังมีความหนาโดยรวมของแพ็กเกจเพียง 1 มิลลิเมตรเท่านั้น ตัวชิปแรมมีระบบแก้ไขความผิดพลาดในตัวชิป (on-die ECC) เพื่อช่วยเพิ่มผลผลิตจากโรงงาน (เพราะชิปยังใช้งานได้แม้มีความผิดพลาดบางบิต) เทคนิคนี้ทำให้อัตราข้อมูลผิดพลาดลดลงถึง 1 ล้านเท่า ชดเชยความผิดพลาดที่มากขึ้นจากการลดขนาดวงจร

Micron ขายโรงงานหน่วยความจำ 3D XPoint ที่ใช้ใน Optane ให้ Texas Instrument

By mk

on 1 July 2021 - 21:23 Tag: Micron, Memory, Texas Instrument, Optane, Semiconductor

Micron

Micron ประกาศขายโรงงานผลิตหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลเป็น Optane (ประกาศเลิกทำเมื่อต้นปี) ให้กับ Texas Instrument แล้ว ถือเป็นการปิดฉากการลงทุนในหน่วยความจำ non-volatile memory ที่ล้มเหลวของ Micron

ฝั่งของอินเทลยังไม่มีท่าทีชัดเจนว่าจะเอายังไงกับ Optane ต่อไป แต่เมื่อหน่วยความจำที่ใช้ใน Optane ต้องผลิตจากโรงงานของ Micron ก็ไม่น่าจะไปต่อได้ง่ายนัก

Samsung พัฒนาโมดูลแรม DDR5 เทคโนโลยี HKMG ขนาด 512GB ตัวแรกของโลก

By mheevariety

on 26 March 2021 - 12:07 Tag: Samsung, Memory, RAM, Semiconductor

Samsung

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

Micron เลิกทำหน่วยความจำ 3D XPoint ที่พัฒนาร่วมกับอินเทล และใช้ใน Optane

By mk

on 17 March 2021 - 09:19 Tag: Micron, Intel, Memory, Optane

Micron

บริษัทหน่วยความจำ Micron Technology ประกาศหยุดพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลมาตั้งแต่ปี 2015 และใช้เป็นหน่วยความจำสำหรับ Intel Optane

3D XPoint เป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile memory (NVM ปิดไฟแล้วข้อมูลยังอยู่) ที่มีตำแหน่งทางการตลาดอยู่ระหว่างแรมแบบ DRAM และสตอเรจแบบ Flash (เร็วกว่า Flash แต่ถูกกว่า DRAM) ซึ่งอินเทลนำมาพัฒนาเป็นผลิตภัณฑ์ตระกูล Optane ที่นำไปคั่นตรงกลางระหว่างแรมกับสตอเรจ ส่วน Micron เคยออก SSD มาตัวเดียวคือ X100

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก เร็วขึ้น 1.8 เท่าจาก DDR4, ขนาดสูงสุด 256GB

By mk

on 6 October 2020 - 22:23 Tag: SK Hynix, Memory, Hardware

SK Hynix

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก (อย่าสับสนกับแรม GDDR5 ของการ์ดจอ ซึ่งพัฒนาจาก DDR3 และตอนนี้อัพเกรดไปเป็น GDDR6X แล้ว)

จากสเปกของแรม DDR5 มีอัตราการส่งข้อมูล 3200-6400 Mbps เพิ่มขึ้น 2 เท่าจาก DDR4 (1600-3200 Mbps) ส่วน SK hynix ระบุว่าแรมของตัวเองทำได้ที่ 4800-5600 Mbps หรือเพิ่มขึ้นราว 1.8 เท่า นอกจากนี้ยังทำงานที่ 1.1V ลดลงจาก 1.2V ของ DDR4 เล็กน้อย ช่วยให้ประหยัดพลังงานลงจากเดิม 20%

ฟีเจอร์อื่นของ SK hynix DDR5 คือมีตัวแก้ไขข้อมูลผิดพลาดหรือ Error Correcting Code (ECC) อยู่ในตัวชิปโดยตรง บริษัทระบุว่าสามารถผลิตแรมที่มีขนาดสูงสุด 256GB

Subscribe to Memory