Image
By lew Founder on Tag: Kingston, Memory
Kingston

ที่งาน Computex ทาง Kingston ประกาศเปิดตัวแรม Kingston FURY Impact DDR5 (CAMM2) เปิดทางให้สามารถอัพเกรดแรมในเครื่องที่รองรับโมดูล CAMM2 ที่เริ่มวางตลาดไปแล้วได้

ตอนนี้ Kingston FURY Impact DDR5 ยังมีความจุเดียวคือ 32GB โดยก่อนหน้าที่จะเปิดตัวเป็นทางการ MSI ก็ออกเมนบอร์ด Z790 PROJECT ZERO PLUS รองรับ CAMM2 แถมโฆษณาพร้อมแรม Kingston เสร็จสรรพ

By arjin Writer on Tag: SK Hynix, Semiconductor, Memory
SK Hynix

Kwak Noh-jung ซีอีโอ SK Hynix เปิดเผยข้อมูลในการแถลงข่าวที่สำนักงานใหญ่ บอกว่าความต้องการสินค้าชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM ตอนนี้มีสูงมาก สินค้าที่บริษัทผลิตได้ในปีนี้ถูกสั่งซื้อเต็มหมดแล้ว ส่วนที่ผลิตได้สำหรับขายในปีหน้า 2025 ก็เกือบเต็มหมดแล้วเช่นกัน

SK Hynix บอกว่า AI คือสาเหตุสำคัญที่ทำให้ HBM ถูกสั่งซื้อเพิ่มขึ้นมาก ทั้งความเร็ว แบนด์วิธที่มากขึ้น และการใช้พลังงานที่น้อยกว่า มีลูกค้ารายสำคัญคือ NVIDIA

ในด้านเทคโนโลยีบริษัทจะเริ่มผลิตสินค้าทดสอบ HBM3E ที่ซ้อนชิปหน่วยความจำ 12 ชั้น ในเดือนนี้ คาดว่าจะเริ่มเข้าสายการผลิตหลัก (Mass production) ในไตรมาสที่ 3 ปีนี้

By mk Founder on Tag: ThinkPad, Lenovo, Workstation, Laptop, Memory, Micron
ThinkPad

Lenovo เปิดตัวโน้ตบุ๊กเวิร์คสเตชันรุ่นใหม่ ThinkPad P1 Gen 7 ที่ยังคงคอนเซปต์การเป็นโน้ตบุ๊กหน้าจอ 16" แต่มีการ์ดจอเกรดเวิร์คสเตชันมาให้

สเปกหลักๆ ของเครื่องเป็นการอัพเกรดตามรอบปกติ ซีพียูเป็น Core Ultra vPro สูงสุด Core Ultra 9 185H, จีพียูมี Intel Arc ออนบอร์ด พ่วงด้วย GeForce RTX 4060/4070 หรือจะใช้ RTX 1000/2000/3000 Ada Generation ก็ได้, แรมสูงสุด 64GB, สตอเรจสูงสุด 8TB

By arjin Writer on Tag: NASA, Space, Memory
NASA

นาซ่ารายงานความคืบหน้าของปัญหาคอมพิวเตอร์บนยาน Voyager 1 ค้าง ซึ่งพบว่าสาเหตุน่าจะเกิดจากแรมบางส่วนเสียหาย โดยล่าสุดยานสามารถส่งข้อมูลที่ใช้งานได้กลับมาแล้ว เป็นข้อมูลสถานะของระบบวิศวกรรมในยาน

By lew Founder on Tag: SK Hynix, Semiconductor, TSMC, Memory
SK Hynix

SK Hynix ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ประกาศร่วมมือกับ TSMC พัฒนากระบวนการผลิตแรม HBM4 รุ่นต่อไป โดยคาดว่าจะผลิตจำนวนมากได้ในปี 2026 จากเดิมที่ SK Hynix ใช้เทคโนโลยีของตัวเองผลิตแรม HBM มาเสมอ

ความร่วมมือครั้งนี้เป็นความร่วมมือบางส่่วน โดยแรม HBM นั้นประกอบไปด้วยชิปหลายตัว ตัว DRAM จริงๆ ซ้อนกันอยู่หลายๆ แผ่นเพื่อให้ได้แบนวิดท์สูง แล้วเชื่อมกับแผ่น base die ที่อยู่ล่างสุดเพื่อควบคุมการทำงานแรมและเชื่อมต่อกับชิปภายนอกเช่นชิปกราฟิก การประกาศครั้งนี้ SK Hynix จะใช้เทคโนโลยี base die ของ TSMC เพื่อให้สามารถแพ็กแรมได้เพิ่มขึ้น

By mk Founder on Tag: Samsung, Memory
Samsung

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR5X รุ่นแบนด์วิดท์สูงเป็นพิเศษ 10.7 Gbps สูงกว่า LPDDR5X รุ่นแรกที่ออกในปี 2021 มีแบนด์วิดท์ 8.5 Gbps (เพิ่มขึ้น 25%) และสูงกว่าคู่แข่ง LPDDR5T ของ SK hynix ที่ทำได้ 9.6 Gbps

ซัมซุงบอกว่าแรมรุ่นนี้จะนำไปใช้งานด้าน AI ทั้งบนมือถือ พีซี เซิร์ฟเวอร์ การ์ดประมวลผล (accelerator) และรถยนต์ ใช้กระบวนการผลิตระดับ 12nm ตอบโจทย์ทั้งการใช้พลังงานและขนาดของชิปแรม สินค้าจะเริ่มผลิตเป็นจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

By mk Founder on Tag: Macbook Air, Apple, Memory
Macbook Air

ประเด็นเรื่อง MacBook Pro/Air M3 ให้แรมเริ่มต้นแค่ 8GB ยังเป็นเรื่องที่แอปเปิลถูกวิจารณ์ อยู่เรื่อยๆ ล่าสุดผู้บริหารแอปเปิลสองคนคือ Kate Bergeron หัวหน้าฝ่ายวิศวกรรมฮาร์ดแวร์ และ Evan Buyze ผู้บริหารฝ่ายการตลาดแมค ให้สัมภาษณ์กับสื่อจีน ITHome ก็ยังโดนถามเรื่องนี้อีกว่าแรม 8GB บน MacBook Air นั้นพอใช้ไหม

คำตอบของ Buyze คือแรม 8GB เพียงพอสำหรับงานทั่วไป อย่างเช่นการท่องเน็ต ชมภาพยนตร์สตรีมมิ่ง ส่งข้อความ แต่งภาพหรือวิดีโอง่ายๆ แล้ว

By lew Founder on Tag: NASA, Space, Memory
NASA

ทีมงาน Jet Propulsion Laboratory รายงานถึงความคืบหน้าของการแก้ปัญหาคอมพิวเตอร์ในยาน Voyager 1 ค้้างตั้งแต่ปลายปี 2023 โดยล่าสุดสามารถดัมพ์หน่วยความจำออกมาได้ และเมื่อวิเคราะห์ข้อมูลแล้วทีมงานสงสัยว่าเกิดจากแรมบางส่วนของ flight data subsystem (FDS) เสียหาย

หน่วยความจำส่วนที่เสียหายกินพื้นที่ 3% ของหน่วยความจำทั้งหมด โดยคาดว่าแรมเสียเพราะถูกอนุภาคในอวกาศชน หรือไม่ก็แค่แรมเสียตามอายุขัย 46 ปี

กระบวนการซ่อมอาจจะใช้เวลาอีกหลายสัปดาห์หรือหลายเดือน แต่ทีมงานค่อนข้างเชื่อว่าจะซ่อมได้ในที่สุดและคอมพิวเตอร์จะกลับมาทำงานได้

By mk Founder on Tag: Samsung, Memory, Server, Supermicro
Samsung

ซัมซุงเปิดตัว "กล่องแรม" Memory Module Box ที่สามารถใส่แรมความเร็วสูง HBM3E ได้สูงสุด 2TB ต่อกล่อง แบนด์วิดท์รวม 60 GBps มีความหน่วงต่ำ 596 nanosecond เหมาะสำหรับงานประมวลผลที่ต้องใช้แรมมากๆ เช่น AI, ฐานข้อมูลในหน่วยความจำ (in-memory database) และงานวิเคราะห์ข้อมูล

By arjin Writer on Tag: Samsung, Memory, Semiconductor
Samsung

Kye-Hyun Kyung ซีอีโอร่วมของซัมซุง เปิดเผยว่าธุรกิจแพ็กเกจจิ้งชิปจะมีรายได้ในปีนี้มากกว่า 100 ล้านดอลลาร์ ซึ่งส่วนธุรกิจแพ็กเกจจิ้งชิปนี้ ซัมซุงได้จัดตั้งแยกออกมาเมื่อปีที่แล้ว และคาดว่าจะทำให้กำไรภาพรวมของซัมซุงเพิ่มขึ้นด้วย

By arjin Writer on Tag: Microsoft, Artificial Intelligence, RAM, Memory, PC
Microsoft

ปีนี้ไมโครซอฟท์พยายามผลักดันให้เป็นปีของ AI PC ซึ่งก็มาพร้อมกับสเป็กฮาร์ดแวร์ที่สูงขึ้นด้วย โดยมีข้อมูลที่ยังไม่เป็นทางการ ว่าไมโครซอฟท์ระบุสเป็กฮาร์ดแวร์ขั้นต่ำสำหรับการเป็น AI PC คือมีแรม 16GB เป็นอย่างน้อย

อย่างไรก็ตามนั่นคือสเป็กฮาร์ดแวร์เงื่อนไขเดียวที่ปรับเพิ่มขึ้นซึ่งมีข้อมูลออกมาตอนนี้ แต่น่าจะมีฮาร์ดแวร์ส่วนอื่นที่ปรับเงื่อนไขเพิ่มเช่นกัน โดยไมโครซอฟท์ตั้งเกณฑ์ว่ากำลังประมวลผลควรได้อย่างน้อย 40 TOPS จึงอาจมีรายละเอียดส่วน CPU, GPU และ NPU ด้วยเช่นกัน

By lew Founder on Tag: MSI, Memory, Kingston
MSI

MSI เตรียมรองรับแรมแบบโมดูลละ 64 GB ทำให้เมนบอร์ดพีซีสามารถใส่แรมได้สูงสุดถึง 256GB สำหรับเมนบอร์ดที่มีสล็อตแรม 4 สล็อต

ตอนนี้แรมพีซีแบบ 64GB ทาง Kingston ผลิตออกมาเป็นรุ่น Fury Renegade DDR5 อาศัยชิปแรมของ Micron แต่หากจะไปซื้อมาใช้งานจริงๆ ต้องรอทาง MSI อัพเดตไบออสกันเสียก่อน ตอนนี้ยังไม่มีรายชื่อรุ่นเมนบอร์ดที่จะรองรับ อย่างไรก็ดีทาง MSI โชว์ภาพหน้าจอของ AMD Ryzen 9 7900X คู่กับเมนบอร์ด PRO X670-P ที่ตอนนี้สเปคระบุว่ารองรับแรม 128GB

By lew Founder on Tag: Google Pixel 8, Arm, Security, Memory
Google Pixel 8

Mark Brand จาก Project Zero เล่าถึงฟีเจอร์ลับของ Pixel 8/Pixel 8 Pro ว่าเป็นโทรศัพท์ตัวแรกที่สามารถเปิดฟีเจอร์ Memory Tagging Extensions ฟีเจอร์ป้องกันบั๊กหน่วยความจำหลายรูปแบบ เช่น ทำให้โปรแกรมไม่สามารถใช้หน่วยความจำที่เคยคืนระบบไปแล้ว (user-after-free)

By mk Founder on Tag: Samsung, Memory
Samsung

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7) ที่เป็นรุ่นต่อจากแรม GDDR6 ในปัจจุบัน

แรม GDDR7 จะเพิ่มแบนด์วิดท์การส่งข้อมูลเป็น 1.5 TBps เพิ่มจาก GDDR6 ที่ทำได้ 1.1 TBps โดยใช้เทคนิคการส่งสัญญาณแบบใหม่ Pulse Amplitude Modulation (PAM3) แทนเทคนิค Non Return to Zero (NRZ) ของเดิม ส่งข้อมูลได้มากขึ้น 50% ในรอบการส่งสัญญาเท่ากัน

By mk Founder on Tag: Micron, China, Memory, Security
Micron

รัฐบาลจีนสั่งแบนการขายสินค้าของ Micron ด้วยเหตุผลเรื่องความมั่นคง หลังเริ่มเข้าตรวจสอบ Micron มาตั้งแต่เดือนเมษายน

หน่วยงานที่รับผิดชอบเรื่องนี้คือ Cyberspace Administration of China (CAC) ระบุว่าผลการตรวจสอบพบว่าหน่วยความจำของ Micron มีช่องโหว่ความปลอดภัยร้ายแรง เป็นอันตรายต่อความมั่นคงทางโครงสร้างพื้นฐานไอทีของประเทศจีน แต่ไม่ได้ให้ข้อมูลรายละเอียดว่าช่องโหว่นี้คืออะไร

By mk Founder on Tag: SK Hynix, Memory, Hardware
SK Hynix

SK hynix เปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน LPDDR5T ที่แรงขึ้นจากแรม LPDDR5X รุ่นล่าสุดในปัจจุบันอีก 13%

LPDDR5T ย่อมาจาก Low Power Double Data Rate 5 Turbo เป็นแรมที่ต่อยอดจาก LPDDR5X โดยเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเป็น 9.6 Gbps หรือเพิ่มขึ้น 13% จาก 8.5 Gbps ของแรมรุ่นเดิม และน่าจะเป็นการอัพเกรดครั้งสุดท้ายก่อนขึ้นเลขใหม่เป็น LPDDR6 ในอนาคตต่อไป

By mk Founder on Tag: YMTC, USA, China, Memory, Semiconductor
YMTC

กระทรวงพาณิชย์ของสหรัฐ เพิ่มบริษัทจีนอีก 36 แห่งในรายการควบคุม Entity List มีผลเรื่องจำกัดการทำการค้าระหว่างบริษัทสัญชาติสหรัฐกับบริษัทเหล่านี้ โดยให้เหตุผลว่าเป็นบริษัทที่เกี่ยวข้องกับกองทัพจีน

บริษัทสำคัญที่อยู่ในรายชื่อรอบนี้คือ Yangtze Memory Technologies หรือ YMTC บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของจีน (แบรนด์ในเครือคือ Zhitai) ซึ่งเป็นบริษัทที่ถูกรัฐบาลสหรัฐเพ่งเล็ง มาก่อนหน้านี้แล้ว

By mk Founder on Tag: Intel, Optane, Memory
Intel

หลังจากมีสัญญาณว่าไปไม่รอดมาสักพักใหญ่ๆ แล้ว อินเทลก็ประกาศอย่างเป็นทางการว่ายุติธุรกิจหน่วยความจำ Optane ในงานแถลงผลประกอบการไตรมาสล่าสุด

Optane เป็นโครงการที่อินเทลร่วมกับ Micron ตั้งแต่ปี 2015 พัฒนาหน่วยความจำประเภท 3D XPoint ที่เร็วกว่าหน่วยความจำ NAND และใช้เป็นสตอเรจคั่นกลางระหว่างแรมกับ SSD แต่สุดท้ายก็ไปไม่รอด อินเทลหยุดขายสินค้าในปี 2021 ในขณะที่ Micron ขายโรงงานทิ้ง

อินเทลระบุสั้นๆ แค่ว่าจะยุติธุรกิจนี้ และลงบัญชีด้อยค่าสินทรัพย์สินค้ากลุ่ม Optane ที่เหลือเป็นมูลค่า 559 ล้านดอลลาร์

By mk Founder on Tag: Dell, Memory, Notebook, Hardware
Dell

ผู้ใช้ทวิตเตอร์ @Emerald_x86 โพสต์ภาพโน้ตบุ๊กธุรกิจ Dell Precision 7670 รุ่นใหม่ของ Dell ที่ใช้สล็อตแรม DDR5 แบบใหม่เรียกว่า Compression Attached Memory Module (CAMM) ที่ Dell ออกแบบเอง

จุดเด่นของสล็อตแบบ CAMM เทียบกับสล็อต SO-DIMM ที่ใช้เป็นมาตรฐานแรมโน้ตบุ๊กในปัจจุบัน คือใช้พื้นที่ภายในเครื่องน้อยลง ชิปแรมถูกฝังมาข้างเดียวกันทั้งหมด (แรมปัจจุบันมีฝังสองด้าน) ช่วยให้ตัวเครื่องบางลง และเป็นทางเลือกที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับแรมแบบเชื่อมบนบอร์ดมาเลย

By mheevariety Contributor Writer on Tag: NAND, Western Digital, Kioxia, Memory, SSD
NAND

โรงงาน Kioxia (Toshiba เก่า) และ Western Digital ในเมือง Yokkaichi และ Kiakami ประเทศญี่ปุ่น พบปัญหาชิปความจำ 3D NAND ปนเปื้อนที่ยังไม่มีการชี้แจงสาเหตุจากบริษัท จนเสียหายกว่า 6.5EB (1EB = 1 ล้าน TB หรือ 1 พันล้าน GB) และต้องหยุดการผลิตชั่วคราว

บริษัทวิจัยตลาด TrendForce คาดว่าเหตุปนเปื้อนนี้อาจทำให้ราคาชิป 3D NAND สูงขึ้น 5-10% ทำให้อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำ เช่น SSD ที่ใช้ชิป 3D NAND เป็นส่วนประกอบ มีราคาสูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปีนี้

Subscribe to Memory