Memory

ซัมซุงประกาศผลิตหน่วยความจำ GDDR5 ขนาด 8Gb เป็นจำนวนมาก

By Blltz

on 16 January 2015 - 12:32 Tag: Samsung, Memory

Samsung

ซังซุงประกาศเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR5 ความจุ 8Gb เป็นจำนวนมากแล้ว โดยเคลมว่าเป็นเจ้าแรกที่สามารถพัฒนาหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงระดับนี้ได้ก่อนใคร

หน่วยความจำ GDDR5 ของซัมซุงชุดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร ซึ่งนอกจากจะสามารถลดจำนวนชิปลงเพื่อให้ได้จำนวนหน่วยความจำเท่าเดิมได้แล้ว ในชิปรุ่นใหม่ยังส่งข้อมูลได้สูงขึ้นเป็น 8Gbps ต่อพิน (เร็วขึ้น 1Gbps) เร็วกว่า DDR3 ที่ใช้ในโน้ตบุ๊กทั่วไปประมาณ 4 เท่าตัว

ซัมซุงเริ่มผลิตแรม LPDDR4 ขนาด 8 Gb สำหรับอุปกรณ์พกพาแล้ว

By tgst

on 24 December 2014 - 07:53 Tag: Samsung, Memory

Samsung

ซัมซุงซึ่งได้ชื่อว่าเป็นหนึ่งในผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาที่ใหญ่เจ้าหนึ่ง วันนี้ประกาศเดินหน้าสายการผลิตแรมตัวใหม่สำหรับใช้ในอุปกรณ์พกพาแล้ว

แรมดังกล่าวเป็นแรมประเภท LPDDR4 ใช้กระบวนการผลิตที่ 20nm ขนาด 8 Gb ซึ่งเร็วกว่าแรม LPDDR3 ที่ขนาด 4 Gb ถึงสองเท่า

แรมตัวใหม่นี้สามารถทำความจุเพิ่มขึ้นไปได้ถึง 4GB อีกด้วย นอกจากนี้ ซัมซุงยังอ้างอีกว่า แรมดังกล่าวนั้นเร็วกว่า DRAM ที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์และ PC ทั้งยังกินพลังงานน้อยกว่ามาก

ซัมซุงจะเริ่มส่งแรม LPDDR4 ขนาดความจุ 2GB และ 3GB ในเดือนนี้ และจะส่งขนาดความจุ 4GB ได้ในช่วงต้นปี 2015

Micron เปิดตัวหน่วยความจำใหม่ ประสิทธิภาพเหนือกว่า DDR3 หลายเท่า, เริ่มส่งของต้นปีหน้า

By Blltz

on 24 June 2014 - 18:53 Tag: Micron, Memory

Micron

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

ซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 ขนาด 20 นาโนเมตรเป็นจำนวนมากแล้ว

By Blltz

on 11 March 2014 - 16:16 Tag: Samsung, Memory

Samsung

ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)

เตรียมพบมือถือแรม 4GB หลังซัมซุงพัฒนาชิปแรม LPDDR4 ขนาด 8 Gb สำเร็จ

By mk

on 31 December 2013 - 16:29 Tag: Samsung, Hardware, Hardware, Memory

Samsung

Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จในการผลิตชิปหน่วยความจำ low power double data rate 4 (LPDDR4) ขนาด 8 Gigabit (Gb นะครับไม่ใช่ GB) และเตรียมทำตลาดแรมชนิดนี้สำหรับอุปกรณ์พกพาในปีหน้า (ยังไม่ระบุกรอบเวลาชัดเจน)

ชิปแรมตัวใหม่นี้ใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร เมื่อชิปหนึ่งตัวมีขนาด 8 Gb (หรือ 1GB) ทำให้แรมหนึ่งแผงสามารถยัดชิป 4 ตัวเพื่อทำแรมขนาด 4GB ในแผ่นเดียวได้ (นั่นแปลว่าเราจะได้เห็นมือถือแรม 4GB ในเร็วๆ นี้)

ชิปแรมตัวนี้สามารถส่งข้อมูลได้ 3200 Mbps ต่อพินหนึ่งขา เร็วกว่าแรม LPDDR3 ในปัจจุบันเท่าตัว แต่ใช้พลังงานน้อยกว่ากันประมาณ 40%

ราคาชิปหน่วยความจำเพิ่มสูงสุดในรอบ 2 ปี หลังเหตุการณ์โรงงาน SK Hynix ไฟไหม้

By mk

on 25 September 2013 - 17:16 Tag: Hynix, Memory

Hynix

จากกรณี ไฟไหม้โรงงาน SK Hynix ในจีน กระทบชิปหน่วยความจำ 10% ของโลก ส่งผลให้ราคาชิปหน่วยความจำดีดตัวขึ้น 42% จากเดิม (คิดจากชิปหน่วยความจำ DDR3 ขนาด 2Gb) มาอยู่ที่ 2.27 ดอลลาร์ เทียบกับของเดิมที่มีราคา 1.60 ดอลลาร์ในวันที่ไฟไหม้

SK Hynix แก้ปัญหาเบื้องต้นโดยเร่งปริมาณการผลิตจากโรงงานที่เกาหลีใต้แทน ซึ่งนักวิเคราะห์จากเกาหลียังมองว่าราคาชิปหน่วยความจำน่าจะยังอยู่ในระดับสูงไปตลอดไตรมาสที่สี่ของปีนี้ หรือจนกว่าโรงงานของ Hynix จะกลับมาทำงานได้เต็มที่เหมือนเดิม (ซึ่ง Hynix บอกว่าประมาณเดือนพฤศจิกายน)

งานเข้าทั่วหล้า ไฟไหม้โรงงาน SK Hynix ในจีน กระทบชิปหน่วยความจำ 10% ของโลก

By mk

on 7 September 2013 - 10:39 Tag: China, Hynix, Memory

China

เมื่อวันพุธที่ผ่านมา โรงงานหน่วยความจำของบริษัท SK Hynix ที่เมืองอู๋ซี ในประเทศจีน เกิดไฟไหม้เสียหายหนักจนต้องหยุดสายการผลิต ถึงแม้จะไม่มีใครได้รับบาดเจ็บหรือเสียชีวิตก็ตาม

อย่างไรก็ตามไฟไหม้ครั้งนี้กลับสร้างผลสะเทือนต่อวงการหน่วยความจำของโลก เพราะ SK Hynix ถือเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เป็นอันดับสองของโลก มีส่วนแบ่งตลาดประมาณ 30% และโรงงานแห่งนี้มีกำลังการผลิตประมาณครึ่งหนึ่งของ SK Hynix ทั้งบริษัท

คาดว่าไฟไหม้รอบนี้จะส่งผลต่อปริมาณซัพพลายของชิป DRAM ทั่วโลกประมาณ 10% และ SK Hynix เองก็เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ให้สินค้าของแอปเปิลด้วย

ซัมซุงเริ่มผลิตแรม DDR4 บนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร, แรงขึ้น กินไฟน้อยลง 30%

By Blltz

on 2 September 2013 - 11:51 Tag: Samsung, RAM, Memory

Samsung

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

ซัมซุงเปิดตัวหน่วยความจำ LPDDR3 4GB บนอุปกรณ์พกพา, เริ่มใช้ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า

By Blltz

on 2 May 2013 - 18:06 Tag: Samsung, RAM, Movile, Memory

Samsung

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

Toshiba พัฒนา RAM ที่ช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

By ตะโร่งโต้ง

on 18 December 2012 - 00:34 Tag: Toshiba, Memory

Toshiba

Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

มาตรฐานแรม DDR4 ออกแล้ว

By lew

on 27 September 2012 - 03:37 Tag: Open Standard, Hardware, Hardware, Hardware, Memory

Open Standard

แรมพีซีตอนนี้ที่เราใช้กันมักเป็นมาตรฐาน DDR3 (หรือยังมี DDR2 บ้างในโทรศัพท์มือถือ) และตอนนี้ JEDEC หน่วยงานออกมาตรฐานด้านเซมิคอนดักเตอร์ก็ออกมาตรฐาน JESD79-4 หรือมาตรฐาน DDR4 ให้ดาวน์โหลดแล้ว พร้อมเปิดเวิร์คชอปสำหรับนักพัฒนาปลายเดือนตุลาคมนี้

มาตรฐานช่วงเริ่มต้น จะรองรับการส่งข้อมูล 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาทีเป็นขั้นต่ำ และ 3.2 พันล้านครั้งต่อวินาทีที่ความเร็วสูงสุด แต่ในมาตรฐาน DDR3 ที่ตอนออกมาตรฐานกำหนดความเร็วสูงสุด 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาที ก็มีการออกชิปรุ่นใหม่ๆ ที่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้นจนทำความเร็วได้เกินมาตรฐาน ใน DDR4 ก็คาดว่าจะทำได้แบบเดียวกัน

Micron ประกาศเปิดสเปค DDR4 พร้อมส่งตัวอย่างให้คู่ค้าบางราย เริ่มผลิตจำนวนมากปลายปี

By Blltz

on 8 May 2012 - 17:55 Tag: RAM, Micron, Memory

RAM

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

ซัมซุงเปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับมือถือ LPDDR3 SDRAM

By mk

on 26 February 2012 - 22:04 Tag: Samsung, Hardware, Hardware, Hardware, Memory

Samsung

ข่าวเก่าไปสักเล็กน้อยแต่ยังใช้ได้อยู่นะครับ

Samsung Electronics ประกาศแผนการผลิตแรมพลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่คือ LPDDR3 SDRAM โดยซัมซุงจะสามารถผลิตหน่วยความจำขนาด 4 Gb ที่ขนาด 30nm และกินไฟ 1.2V

ปัจจุบันแรมในมือถือใช้ LPDDR2 ที่มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 800Mbps ต่อหน่วย (terminal) และมีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดต่อชิปที่ 3.2Gbps ในขณะที่แรม LPDDR3 มีอัตราการส่งข้อมูลต่อ terminal มากกว่ากันเท่าตัวคือ 1.6Gbps โดยที่แรมทั้งสองชนิดกินไฟเท่ากัน

ซัมซุงบอกว่าแรมแบบใหม่ LPDDR3 จะกลายเป็นแรมมาตรฐานของมือถือในปีนี้

[ข่าวลือ] แอปเปิลเตรียมเข้าซื้อบริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลช Anobit

By toandthen

on 14 December 2011 - 02:02 Tag: Apple, Memory

Apple

ข่าวลือจากสำนักข่าวรอยเตอร์ส อ้างว่าแอปเปิลได้เตรียมที่จะเข้าซื้อ Anobit บริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชเมโมรี่จากประเทศอิสราเอลที่ราคาประมาณ 400 หรือ 500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ

Anobit เป็นบริษัทที่เชี่ยวชาญในเรื่อง signal processing สำหรับชิปหน่วยความจำ ทำให้สามารถเพิ่มทั้งความจุและประสิทธิภาพของชิปเหล่านี้ได้ เทคโนโลยีนี้ได้ถูกนำมาใช้ในชิปหน่วยความจำจากซัมซุงและ Hynix ที่ถูกนำมาใช้ใน iPhone 4S อยู่แล้วในทุกวันนี้

อินเทลรวมกับไมครอนเปิดตัวชิปหน่วยความจำแบบ NAND Flash ขนาด 128Gb

By lew

on 7 December 2011 - 20:54 Tag: Intel, Micron, Storage, Memory

Intel

นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)

ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล

เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก

AMD เตรียมขายแรมภายใต้แบรนด์ Radeon

By lew

on 8 August 2011 - 21:09 Tag: AMD, Radeon, Memory

AMD

เอเอ็มดีช่วงหลังแม้จะมีชิปเซ็ต, GPU, และซีพียู เป็นของตัวเองแล้วแต่สิ่งหนึ่งที่ขาดอยู่คือแรมที่ยังต้องอาศัยแบรนด์อื่นๆ อยู่ ล่าสุดเว็บของเอเอ็มดีก็ปรากฏสินค้า AMD Radeon™ Memory for Systems เป็น DIMM สำหรับเครื่องเดสก์ทอปและเซิร์ฟเวอร์ปรากฏขึ้นมาโดยไม่มีการประกาศล่วงหน้า

เอเอ็มดีระบุว่าแรมของเอเอ็มดีเองจะออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์มของตัวเองโดยเฉพาะ โดยแบ่งสินค้าออกเป็นสามตระกูลคือ Entertainment, ULTRA PRO Gaming, และ Enterprise ในหน้าสินค้าตอนนี้มีเฉพาะรุ่น 2GB เท่านั้น

ยังไม่ประกาศราคาแต่ตอนนี้คนสนใจยี่ห้อแรมกันเยอะพอให้เอเอ็มดีต้องลงมาสู้ในตลาดนี้เองเลยหรือ?

ซัมซุงซื้อ Grandis บริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำ STT-RAM

By arjin

on 3 August 2011 - 16:08 Tag: Merging, Samsung, RAM, Grandis, STTRAM, Memory

Merging

ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป

Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป

ที่มา: BGR

แผ่นดินไหวที่ญี่ปุ่นกระทบการผลิตชิปหน่วยความจำ

By arjin

on 12 March 2011 - 08:35 Tag: Toshiba, Japan, SanDisk, Chip, NAND, Memory

Toshiba

จากเหตุการณ์แผ่นดินไหวที่ประเทศญี่ปุ่นเมื่อวานนี้ ทำให้เกิดความกังวลถึงปริมาณอุปทานของสินค้าหลายอย่างซึ่งมีฐานการผลิตหลักในญี่ปุ่น ซึ่งชิปหน่วยความจำก็เป็นหนึ่งในนั้น โดยเฉพาะสินค้าอย่างหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญในโทรศัพท์มือถือและแท็บเล็ต ซึ่งปัจจุบันบริษัท Toshiba ซึ่งพาร์ทเนอร์การผลิตร่วมกับ SanDisk มีส่วนแบ่งการตลาดของหน่วยความจำแฟลชถึง 35%

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4

By mk

on 7 January 2011 - 10:38 Tag: Samsung, RAM, Memory

Samsung

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล

ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%

เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้

SanDisk ปล่อย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟ

By nuntawat

on 7 May 2010 - 06:07 Tag: SanDisk, Xbox, Memory

SanDisk

SanDisk วางขาย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟที่ได้ไลเซนส์มาจากไมโครซอฟท์แล้ว สามารถใช้บันทึกข้อมูลจากคอนโซลหนึ่งไปอีกคอนโซลหนึ่งได้ อาทิ ข้อมูลการเล่นเกม, gamertags, map packs เป็นต้น สนนราคา 8GB ที่ 34.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 1,300 บาท) และ 16GB ที่ 69.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 2,300 บาท) นอกจากนั้น SanDisk ยังแถม Xbox LIVE Gold เป็นเวลา 1 เดือนให้กับผู้ซื้อแฟลชไดร์ฟทั้งสองรุ่นอีกด้วย หน้าตาเป็นอย่างไรดูได้จากท้ายข่าว

ที่มา: Engadget

Subscribe to Memory