SK Hynix ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ประกาศร่วมมือกับ TSMC พัฒนากระบวนการผลิตแรม HBM4 รุ่นต่อไป โดยคาดว่าจะผลิตจำนวนมากได้ในปี 2026 จากเดิมที่ SK Hynix ใช้เทคโนโลยีของตัวเองผลิตแรม HBM มาเสมอ

ความร่วมมือครั้งนี้เป็นความร่วมมือบางส่่วน โดยแรม HBM นั้นประกอบไปด้วยชิปหลายตัว ตัว DRAM จริงๆ ซ้อนกันอยู่หลายๆ แผ่นเพื่อให้ได้แบนวิดท์สูง แล้วเชื่อมกับแผ่น base die ที่อยู่ล่างสุดเพื่อควบคุมการทำงานแรมและเชื่อมต่อกับชิปภายนอกเช่นชิปกราฟิก การประกาศครั้งนี้ SK Hynix จะใช้เทคโนโลยี base die ของ TSMC เพื่อให้สามารถแพ็กแรมได้เพิ่มขึ้น

แรม HBM กลายเป็นส่วนประกอบสำคัญของวงการ AI ในปีที่ผ่านมา และเป็นคอขวดหนึ่งในการส่งมอบเซิร์ฟเวอร์ฝึก AI ประสิทธิภาพสูง

SK hynix ประกาศลงทุนเป็นเงินประมาณ 3,870 ล้านดอลลาร์ ตั้งโรงงานแพ็คเกจจิ้งชิปขั้นสูง ตลอดจนศูนย์วิจัยและพัฒนาผลิตภัณฑ์ AI ในเมือง West Lafayette รัฐอินดีแอนา

โรงงานแห่งนี้จะมีสินค้าหลักที่ผลิตคือหน่วยความจำ HBM ตลอดจนชิป DRAM ซึ่งถือเป็นสินค้าสำคัญในการประมวลผล AI ยุคนี้ คาดว่าจะเริ่มเดินสายการผลิตได้ในครึ่งหลังของปี 2028 ซึ่งได้รับการสนับสนุนจากทางรัฐ และหน่วยงานท้องถิ่น

SK Hynix ยังประกาศย้ำแผนลงทุนในเกาหลีใต้วงเงิน 122 ล้านล้านวอน ในเขตอุตสาหกรรม Yongin ที่ประกาศไปในเดือนมกราคม

เกาหลีใต้ประกาศแผนการสร้างคลัสเตอร์ด้านเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ของโลก ภายในปี 2047 โดยใช้เงินลงทุนรวม 622 ล้านล้านวอน หรือประมาณ 16.5 ล้านล้านบาท

โครงการดังกล่าวประกอบด้วยการสร้างโรงงานเซมิคอนดักเตอร์ 16 แห่ง (Fab) โดย 3 แห่ง จะสร้างเพื่องานวิจัยพัฒนาโดยเฉพาะ ซึ่ง Samsung Electronics จะลงทุนเป็นเงิน 500 ล้านล้านวอน สำหรับ 6 โรงงานใน Yongin, 3 โรงงานใน Pyeongtaek และศูนย์วิจัยอีก 3 แห่งใน Giheung ขณะที่ SK hynix จะลงทุนเป็นเงิน 122 ล้านล้านวอน สร้างโรงงาน 4 แห่งใน Yongin

กระทรวงอุตสาหกรรมเกาหลีใต้ประเมินว่า โครงการนี้จะสามารถสร้างงานได้ 3.46 ล้านตำแหน่ง ในแผนงานนี้ยังรวมทั้งการสามารถจัดการซัพพลายเชนได้เองภายในประเทศ จากปัจจุบันที่ระดับ 30% ให้เพิ่มเป็น 50%

SK hynix รายงานผลประกอบการไตรมาสแรกของปี 2023 มีรายได้ 5.088 ล้านล้านวอน ขาดทุน 3.402 ล้านล้านวอน คิดเป็นการขาดทุน 67% ของรายได้ โดยระบุเหตุผลว่าเกิดจากความต้องการชิปหน่วยความจำที่ยังลดลงต่อเนื่อง แต่คาดว่าจะถึงจุดต่ำสุดแล้ว และความต้องการชิปน่าจะค่อยๆ กลับขึ้นมาในไตรมาสที่สองนี้

แนวทางแก้ไขปัญหาธุรกิจของ SK hynix หลังจากนี้จะเน้นสินค้าพรีเมียมราคาสูง เช่น DDR5, LPDDR5, และ HBM3 ที่ใช้งานในเซิร์ฟเวอร์ประสิทธิภาพสูงโดยเฉพาะงานกลุ่มปัญญาประดิษฐ์ที่ต้องการแรมปริมาณสูงมาก และความต้องการน่าจะเพิ่มขึ้นต่อไปแม้บริษัทต่างๆ จะลดรายจ่ายก็ตามที

SK hynix เปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน LPDDR5T ที่แรงขึ้นจากแรม LPDDR5X รุ่นล่าสุดในปัจจุบันอีก 13%

LPDDR5T ย่อมาจาก Low Power Double Data Rate 5 Turbo เป็นแรมที่ต่อยอดจาก LPDDR5X โดยเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเป็น 9.6 Gbps หรือเพิ่มขึ้น 13% จาก 8.5 Gbps ของแรมรุ่นเดิม และน่าจะเป็นการอัพเกรดครั้งสุดท้ายก่อนขึ้นเลขใหม่เป็น LPDDR6 ในอนาคตต่อไป

จุดที่น่าสนใจคือ LPDDR5T เป็นสเปกที่ SK hynix พัฒนาขึ้นเอง ไม่ได้อิงกับมาตรฐานแรมของ JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) แต่ SK hynix ก็บอกว่าจะผลักดันให้เป็นมาตรฐานของ JEDEC ด้วย

วันนี้บริษัทเซมิคอนดักเตอร์รายสำคัญอย่าง Texas Instrument (TI) และ SK Hynix แถลงผลประกอบการ โดยทั้งสองรายระบุเหมือนกันว่าตลาดเริ่มชะลอตัว อาจจะแสดงให้เห็นว่าเราออกจากยุคชิปขาดแคลนอย่างเต็มตัวแล้ว

ผลประกอบการของ TI ยังคงเติบโตแต่ช้าลงมาก โดยรายได้เติบโตเพียง 1% QoQ และ 13% YoY คิดเป็น 5,241 ล้านดอลลาร์ ขณะที่กำไรรวมยังคงเติบโตค่อนข้างดีที่ 18% YoY คิดเป็น 2,295 ล้านดอลลาร์

SK Hynix ที่มีสินค้าหลักคือ DRAM และหน่วยความจำแฟลชนั้นผลประกอบการลดลงทั้งรายได้และกำไร โดยรายได้อยู่ที่ 10.9 ล้านล้านวอน ลดลง 20% QoQ และ 7% YoY ขณะที่กำไรเหลือ 1.1 ล้านล้านวอน ลดลง 62% QoQ และ 67% YoY

Financial Times รายงานว่ายักษ์ใหญ่ของวงการเซมิคอนดักเตอร์เกาหลีคือซัมซุงและ SK hynix กำลังทบทวนนโยบายการลงทุนในจีน หลังสหรัฐอเมริกาผ่านกฎหมาย CHIPS Act ที่ให้ทุนกับบริษัทเอกชนไปผลิตชิปในสหรัฐ

กฎหมายฉบับนี้ยังมีเงื่อนไขว่าบริษัทที่จะรับทุนจากรัฐบาลสหรัฐ ต้องไม่ขยายหรืออัพเกรดโรงงานผลิตชิปในจีนเป็นเวลา 10 ปีด้วย เงื่อนไขนี้บีบให้บริษัทอย่างซัมซุงและ SK hynix ต้องตัดสินใจว่าจะเลือกทางใดกันแน่ระหว่างจีนกับสหรัฐ

Financial Times ยังอ้างแหล่งข่าวจากรัฐบาลเกาหลีใต้ว่า โรงงานชิปในจีนของบริษัทเกาหลีจะถูกลดความสำคัญลงเรื่อยๆ และถ้าจีนไม่พอใจ ทางเลือกเดียวของบริษัทเกาหลีก็คือเลือกข้างสหรัฐ

อินเทลประกาศความคืบหน้าการขายธุรกิจ NAND และ SSD ให้กับ SK hynix ที่ประกาศไว้เมื่อปี 2020 ว่าเสร็จสิ้นกระบวนการขั้นแรกแล้ว

สิ่งที่เกิดขึ้นคือ อินเทลขายธุรกิจ SSD และโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำ NAND ที่เมืองต้าเหลียน ประเทศจีน ให้กับ SK hynix ในราคา 7 พันล้านดอลลาร์ โดยอินเทลจะยังใช้บริการผลิต NAND ที่โรงงานแห่งนี้ต่อไป ส่วนธุรกิจ SSD จะกลายเป็นบริษัทใหม่ชื่อ Solidigm (ย่อมาจาก solid-state + paradigm) มีสถานะเป็นบริษัทลูกของ SK hynix และ Robery Crooke หัวหน้าฝ่ายหน่วยความจำของอินเทลจะขึ้นเป็นซีอีโอของบริษัทแห่งนี้

Reuters รายงานว่าสงครามการค้าระหว่างสหรัฐและจีน บวกกับปัญหาชิปขาดตลาดทั่วโลก ส่งผลสะเทือนต่อโรงงานผลิตชิปในประเทศจีน ไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตบางอย่างได้แล้ว

บริษัทในข่าวคือ SK Hynix บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลีใต้ ที่มีโรงงานอยู่ที่เมืองอู๋ซี (Wuxi) ประเทศจีน ไม่สามารถซื้อเครื่อง extreme ultraviolet lithography (EUV) จากบริษัทเนเธอร์แลนด์ ASML เพื่อใช้ในการผลิตชิปที่ขนาดเล็กมากๆ ได้มาหลายปีแล้ว

SK hynix ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ออกมายอมรับว่าสายการผลิตแรมมีปัญหาบางสาย โดยยังไม่สามารถระบุปริมาณแรมที่มีปัญหาได้

เมื่อวันจันทร์ที่ผ่านมามีข่าวลือว่ามูลค่ารวมของแรมที่มีปัญหามีปริมาณถึง 240,000 เวเฟอร์ คิดเป็นสัดส่วนถึง 13% ของกำลังผลิต 1.8 ล้านเวเฟอร์ต่อเดือนของ SK hynix มูลค่ารวมถึงหกหมื่นล้านบาท แม้ว่าทางบริษัทจะไม่สามารถระบุมูลค่าความเสียหายได้แต่ระบุว่าตัวเลขนี้เกินความเป็นจริงไปมาก และได้แจ้งความต่อตำรวจเพื่อหาต้นตอข่าวลือนี้

SK hynix มีรายได้เกือบทั้งหมดจากการผลิตแรมและหน่วยความจำแฟลช คิดเป็นกำลังผลิต 80% ของโรงงาน รายได้ไตรมาสแรกของปี 2021 สูงถึง 8.5 ล้านล้านวอน หรือประมาณ 240,000 ล้านบาท

SK Hynix บริษัทผู้ผลิตชิปสัญชาติเกาหลีใต้ เพิ่งได้รับอนุญาตจากรัฐบาลให้ตั้งศูนย์รวมโรงงานผลิตชิปด้วยเทคโนโลยี extreme ultraviolet lithography (EUV) มูลค่ากว่า 120 ล้านล้านวอน หรือ 106.35 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ และจะเริ่มก่อสร้างช่วงไตรมาสที่ 4 ของปีนี้

ศูนย์โรงงานนี้จะประกอบไปด้วยโรงงานย่อย 4 โรงงาน ในพื้นที่ 4.15 ล้านตารางเมตร ในเมืองยงอิน ห่างไป 50 กิโลเมตรทางใต้ของกรุงโซล โรงงานแรกจะเริ่มผลิตชิปได้ภายในปี 2025 และมีอัตราการผลิตทั้งหมดเมื่อแล้วเสร็จทั้ง 4 โรงงานอยู่ที่ 800,000 เวเฟอร์ต่อเดือน (wafer starts per month)

Seok-Hee Lee ซีอีโอ SK hynix ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ขึ้นพูดในงาน IEEE-IRPS แสดงวิสัยทัศน์ของโลกคอมพิวเตอร์ในอนาคต โดยสรุปภาพรวมว่าแรมและซีพียูกำลังหลอมรวมกันใกล้ชิดขึ้นเรื่อยๆ ในอนาคตเราจะเห็นซีพียูและแรมอยู่บนชิปเดียวกัน จนกระทั่งตัวแรมมีความสามารถประมวลผลข้อมูลได้ในตัว

Lee ให้เหตุผลของการคาดการณ์นี้ว่าการประมวลผลในอนาคตต้องการประมวลผลข้อมูลขนาดใหญ่ขึ้นเรื่อยๆ และแบนวิดท์ระหว่างซีพียูและแรมกลายเป็นคอขวดของการประมวลผล เขาสรุปแนวโน้มที่ผ่านมาจากเดิมที่เราเห็นซีพีและแรมแยกกันอย่างชัดเจน แต่สถาปัตยกรรมใหม่ๆ เริ่มนำแรมและซีพียูมาเข้าใกล้กันขึ้นเรื่อยๆ เช่นสถาปัตยกรรม HBM ที่มีแบนด์วิดท์ระหว่างซีพียูและแรมสูงมาก หรือ PNM ที่นำซีพียูและแรมไปอยู่บนโมดูลเดียวกัน

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ประกาศการซื้อธุรกิจชิปเมมโมรี NAND ของ Intel คิดเป็นมูลค่าราว 9 พันล้านเหรียญ ซึ่งดีลนี้รวมถึงธุรกิจสตอเรจและโรงงานผลิตในจีนด้วย ยกเว้นแค่ส่วนชิป Optane (via Bloomberg)

นักวิเคราะห์มองว่าดีลนี้ดีกับทั้ง SK Hynix และคู่แข่งรายอื่น ๆ ในแง่ว่าสร้างความเสถียรในอุตสาหกรรม NAND จากการลดการลงทุนที่ไม่จำเป็นลง

ดีลนี้จะทำให้ SK Hynix เป็นผู้ผลิตชิป NAND เบอร์ 2 ของโลกทันทีโดยมีส่วนแบ่งที่รวมจาก Intel เข้ามาราว 23.2% ตามหลังซัมซุงที่ส่วนแบ่งตลาดราว 31.4%

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก (อย่าสับสนกับแรม GDDR5 ของการ์ดจอ ซึ่งพัฒนาจาก DDR3 และตอนนี้อัพเกรดไปเป็น GDDR6X แล้ว)

จากสเปกของแรม DDR5 มีอัตราการส่งข้อมูล 3200-6400 Mbps เพิ่มขึ้น 2 เท่าจาก DDR4 (1600-3200 Mbps) ส่วน SK hynix ระบุว่าแรมของตัวเองทำได้ที่ 4800-5600 Mbps หรือเพิ่มขึ้นราว 1.8 เท่า นอกจากนี้ยังทำงานที่ 1.1V ลดลงจาก 1.2V ของ DDR4 เล็กน้อย ช่วยให้ประหยัดพลังงานลงจากเดิม 20%

ฟีเจอร์อื่นของ SK hynix DDR5 คือมีตัวแก้ไขข้อมูลผิดพลาดหรือ Error Correcting Code (ECC) อยู่ในตัวชิปโดยตรง บริษัทระบุว่าสามารถผลิตแรมที่มีขนาดสูงสุด 256GB

SK hynix ประเมินว่าเราจะเห็นยอดขายแรม DDR5 คิดเป็นสัดส่วน 10% ของแรมที่ขายในปี 2021 และจะเพิ่มเป็น 43% ในปี 2024

ซัมซุงและ SK Hynix ผู้ผลิตชิปเซ็ตจากเกาหลีกำลังเป็นรายล่าสุดที่ถูกบีบจากกฎหมายของสหรัฐ ทำให้ไม่สามารถผลิตและส่งมอบชิปให้ Huawei หลังวันที่ 15 กันยายนนี้ตามกำหนด 120 วัน หลังออกกฎหมาย ซึ่งอาจครอบคลุมทั้งชิปเซ็ตและชิปความจำ

นอกจากชิปเซ็ตสมาร์ทโฟนที่ Huawei กำลังหาทางหนีทีไล่หลังถูกรัฐบาลสหรัฐบีบ ยังมีเรื่องของชิปเมมโมรี่ที่มีรายงานว่า Huawei กำลังพูดคุยอยู่กับ Samsung และ SK Hynix ผู้ผลิต 2 ค่ายเกาหลีเพื่อซัพพลายชิปให้ในระยะยาว

Huawei เป็นลูกค้า Samsung กับ SK Hynix สำหรับการสั่งชิปแฟลช NAND และ DRAM อยู่แล้วด้วยมูลค่าราว ๆ 8.1 พันล้านเหรียญทุกปี ขณะที่การพูดคุยครั้งนี้ก็เพื่อทำให้ซัพพลายเชนของตัวเองมีความหลากหลายมากขึ้น

ที่มา - Huawei Central

ช่วงนี้เห็นผู้คนคุยกันว่าแรม DDR4 สำหรับพีซีราคาเริ่มมีแนวโน้มลดลง ล่าสุดมีข่าวจาก SK Hynix แบรนด์ผู้ผลิตชิปเมมโมรีใหญ่อันดับสองของโลก ออกมาระบุว่า แรมแบบ DDR5 พร้อมแล้วที่จะเปิดตัวลงตลาดในปี 2020 นี้ และขณะเดียวกันก็กำลังวางแผนพัฒนา DDR6 อยู่ซึ่งจะเริ่มผลิตในระยะห้าถึงหกปีข้างหน้า

ส่วนสเปคของ DDR5 ที่ SK Hynix ระบุไว้เมื่อปลายปี 2018 คือชิปชิ้นหนึ่งมีความจุ 16Gb (หรือ 2GB) สามารถทำงานได้ที่ 5200MT/s (เข้าใจได้ว่าเป็น 5200MHz) ที่แรงดันไฟ 1.1 โวลต์ จะทำแบนวิดธ์ได้เป็นสองเท่าของ DDR4-2666 ซึ่งวางแผนจะนำไปใช้กับวงการรถยนต์ในอนาคตด้วย

ที่มา - CDRinfo

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

HBM (High Bandwidth Memory) อธิบายให้ง่ายคือการฝังเม็ดเมมโมรีไว้บนคอร์ GPU ถูกใช้ครั้งแรกกับการ์ด AMD Radeon R9 Nano และ HBM2 ตอนนี้มีใช้อยู่บนการ์ด NVIDIA Tesla P100

SK Hynix และ Samsung เผยข้อมูลของ HBM3 ออกมา ว่าความหนาแน่นของจำนวน die จะเพิ่มจาก 8 เป็น 16Gb ทำให้เราอาจเห็นกราฟิกการ์ดในอนาคตมีแรมบนการ์ดมากถึง 64GB ได้ สร้างแบนด์วิดท์ได้ 512GB/s ต่อเมมโมรีหนึ่งเลเยอร์ และใช้แรงดันไฟต่ำกว่าเดิม และมีราคาถูกกว่า กำหนดผลิตสำเร็จช่วงปี 2019-2020 ครับ

ที่มา - Ars Technica