Memory

SK Hynix ชี้ แรม DDR5 มาแน่ปี 2020 ส่วน DDR6 กำลังพัฒนา

By twometre

on 29 January 2019 - 23:09 Tag: SK Hynix, Memory, Hardware

SK Hynix

ช่วงนี้เห็นผู้คนคุยกันว่าแรม DDR4 สำหรับพีซีราคาเริ่มมีแนวโน้มลดลง ล่าสุดมีข่าวจาก SK Hynix แบรนด์ผู้ผลิตชิปเมมโมรีใหญ่อันดับสองของโลก ออกมาระบุว่า แรมแบบ DDR5 พร้อมแล้วที่จะเปิดตัวลงตลาดในปี 2020 นี้ และขณะเดียวกันก็กำลังวางแผนพัฒนา DDR6 อยู่ซึ่งจะเริ่มผลิตในระยะห้าถึงหกปีข้างหน้า

ส่วนสเปคของ DDR5 ที่ SK Hynix ระบุไว้เมื่อปลายปี 2018 คือชิปชิ้นหนึ่งมีความจุ 16Gb (หรือ 2GB) สามารถทำงานได้ที่ 5200MT/s (เข้าใจได้ว่าเป็น 5200MHz) ที่แรงดันไฟ 1.1 โวลต์ จะทำแบนวิดธ์ได้เป็นสองเท่าของ DDR4-2666 ซึ่งวางแผนจะนำไปใช้กับวงการรถยนต์ในอนาคตด้วย

ที่มา - CDRinfo

Corsair โชว์ Capellix LED หลอด LED ขนาดเล็ก โชว์แสงสี RGB งานละเอียด

By twometre

on 10 January 2019 - 00:15 Tag: Corsair, Hardware, Memory

Corsair

ข่าวนี้น่าจะเป็นอีกก้าวสำคัญขององคาพยพ RGB เมื่อ Corsair โชว์อีกหนึ่งเทคโนโลยีไฟ LED ในชื่อ Capellix ที่หลักใหญ่ใจความคือหลอดไฟ LED ชนิดนี้มีขนาดเล็กกว่าหลอด LED แบบ RGB แบบเดิม เล็กลงจาก 2.8 ลบ.มม. เหลือ 0.2 ลบ.มม. และได้ไฟที่สว่างกว่าเดิมสูงสุด 60% ใช้พลังงานน้อยลงกว่าเดิมได้ถึง 40% และอายุการใช้งานยาวนานขึ้นได้ถึง 35%

ข้อดีของความเล็กคือในอนาคตเราอาจได้เห็นฮาร์ดแวร์ที่มีไฟ RGB แสดงผลไฟได้ละเอียดขึ้น ถ้านำไปใช้กับแรม ก็จะกินพลังงานน้อยลง หรือได้แรมแรงขึ้นด้วยบัสหรือค่าไทมิ่งที่กระชับขึ้น เพราะมีพลังงานเหลือไปใช้กับตัวแรมเอง ซึ่งผลิตภัณฑ์แรกที่จะได้นำ LED ชนิดนี้ไปใช้คือแรม DDR4 Dominator Platinum RGB ความเร็วสูงสุด 4800MHz และมี LED 12 ชุดต่อแผงที่สามารถตั้งค่าสีแยกกันได้ วางขายเดือนกุมภาพันธ์ปีนี้

สาเหตุการ์ดจอแพง? เม็ดแรม GDDR6 ราคาสูงกว่า GDDR5 ราว 70%

By twometre

on 2 January 2019 - 21:51 Tag: GeForce, NVIDIA Turing, Memory, Hardware, GPU

GeForce

3DCenter.org สื่อฮาร์ดแวร์ภาษาเยอรมันรายงานข้อมูลจาก DigiKey ผู้ค้าส่งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ว่า ราคาเม็ดแรม GDDR6 แบนด์วิดธ์ 14 Gbps ของ Micron ราคาสูงกว่า 70% เมื่อเทียบราคาเม็ดแรมชนิด GDDR5 8Gbps ในความจุเดียวกัน ซึ่งแรม GDDR6 ตอนนี้ถูกนำมาใช้แล้วบนการ์ดจอซีรีส์ GeForce RTX 20 ของ NVIDIA ในปัจจุบัน

ทั้งนี้ GDDR6 ยังมีเม็ดแรมอีกหลายสเปคทั้ง 12 และ 13 Gbps แต่ NVIDIA เลือกใช้แต่เม็ดแรม 14 Gbps เท่านั้น อาจเป็นสาเหตุที่ทำให้การ์ดรุ่นดังกล่าวตั้งราคาออกมาสูง สอดคล้องกับข่าวลือก่อนหน้าที่ว่าค่ายนี้จะออกมา RTX 2060 ที่จับกับแรม GDDR5 เพื่อราคาที่ย่อมเยากว่า

เสริม: มีผลเบนช์มาร์ก GeForce RTX 2060 หลุดออกมาก่อนวันเปิดตัวอย่างเป็นทางการวันที่ 7 มกราคม 2562 นี้ โดยจะวางตัวใกล้ๆ GeForce GTX 1070 Ti เดิม ในราคา 349 เหรียญสหรัฐฯ (ประมาณ 11,300 บาท) ไว้เปิดตัวแล้วเรามาดูกันละเอียดอีกทีครับ

Samsung เริ่มสายการผลิต 10nm 32GB DDR4 SoDIMM RAM เจาะตลาดเกมมิ่งแล็ปท็อป

By PsychoReach

on 31 May 2018 - 13:54 Tag: Samsung, Hardware, Memory

Samsung

บริษัท Samsung Electronics ประกาศเริ่มเดินสายการผลิต 32GB DDR4 RAM ในรูปแบบของ SoDIMM (small outline dual in-line memory module หรือ RAM ขนาดเล็กกว่าทั่วไป) ที่ระดับ 10nm โดยมุ่งเน้นประสิทธิภาพระดับพีซีบนแล็ปท็อป ด้วยการเพิ่มความจุและลดการใช้พลังงานลงจากเดิม เพื่อให้สามารถใช้งานแล็ปท็อปได้ยาวนานและมีประสิทธิมากยิ่งขึ้น

ไม่ต้องดื่มซุปไก่ก็จำเก่งขึ้นได้ โดยใช้การกระตุ้นสมองด้วยคลื่นไฟฟ้า (แต่ต้องเจาะสมองนะ)

By ตะโร่งโต้ง

on 8 April 2018 - 15:26 Tag: Memory, Research, Brain

Memory

เรารู้กันดีว่าวิธีการที่สมองของคนเราสั่งการกล้ามเนื้อต่างๆ รวมทั้งรับข้อมูลจากประสาทรับรู้ ตลอดจนคิดและจดจำเรื่องราวทั้งหลายนั้น คือการส่งผ่านคลื่นสัญญาณไฟฟ้ารูปแบบหนึ่ง แน่นอนว่ามันย่อมมีความเป็นไปได้ว่าการส่งสัญญาณคลื่นไฟฟ้าด้วยวิธีและรูปแบบที่เหมาะสมย่อมสามารถเสริมการทำงานของสมองได้ ตัวอย่างหนึ่งที่เสริมข้อเท็จจริงเรื่องความเป็นไปได้ที่ว่านี้ คืองานวิจัยที่ DARPA ช่วยออกทุนสนับสนุนให้งานหนึ่ง

DARPA ต้องการหาทางช่วยเหลือทหารผ่านศึกที่สมองได้รับการกระทบกระเทือน หลายคนมีปัญหาในการใช้ชีวิตประจำวันเพราะหลงลืมอะไรต่างๆ ได้ง่าย งานวิจัยจึงมีขึ้นเพื่อหาทางช่วยแก้ปัญหาให้แก่วีรบุรุษผู้ผ่านสนามรบเหล่านี้ โดยการใช้คลื่นสัญญาณไฟฟ้ากระตุ้นเข้าไปที่สมอง ทำให้ความสามารถในการจำข้อมูลช่วงสั้นๆ ที่เรียกว่า "ความจำอาศัยเหตุการณ์" ดีขึ้นถึง 35%

Samsung เดินหน้าทำสถิติใหม่อีกครั้งทั้งรายได้-กำไร จากธุรกิจผลิตชิ้นส่วนหน่วยความจำ

By arjin

on 31 January 2018 - 14:44 Tag: Samsung, Financial Report, Semiconductor, Memory

Samsung

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์รายงานผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 4 ของปี 2017 รายได้รวม 65.98 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 24% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน และมีกำไรสุทธิ 12.26 ล้านล้านวอน ซึ่งถือเป็นสถิติใหม่สูงสุดของบริษัทต่อเนื่องอีกไตรมาส

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเป็นธุรกิจหลักของซัมซุง ทั้งในแง่รายได้และกำไร โดยเฉพาะชิ้นส่วนหน่วยความจำ DRAM และ NAND ขณะที่ชิ้นส่วนหน้าจอภาพรวมยังคงเติบโตจาก OLED ที่มีการสั่งซื้อไปใช้กับสมาร์ทโฟนระดับบนเพิ่มขึ้น ส่วน LCD มีคำสั่งซื้อที่ลดลง

ซัมซุงเตรียมผลิตแรม GDDR6 แบบแมสสำหรับการ์ดจอรุ่นถัดไป

By nismod

on 19 January 2018 - 13:33 Tag: Samsung, Memory, GPU

Samsung

ซัมซุงประกาศว่าเตรียมเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR6 ในปริมาณมากสำหรับการ์ดจอแล้ว โดยชิปจะถูกผลิตบนสถาปัตยกรรม 10 นาโนเมตร ความเร็วในการส่งข้อมูล 18Gbps อัตราส่งข้อมูลสูงสุด 72Gbps ใช้แรงดันไฟฟ้า 1.35V

ซัมซุงระบุว่าประสิทธิภาพของแรม GDDR6 ช่วยให้การ์ดจอประมวลผลวิดีโอ, เกมและขุดเหมืองเร็วกว่า GDDR5X มาก โดยจะสามารถพบแรม GDDR6 ได้ในการ์ดจอรุ่นใหม่ที่จะเปิดตัวหลังจากนี้

ที่มา - ArsTechnica

Samsung กำไรไตรมาสล่าสุดทำสถิติใหม่อีกครั้ง มองภาวะตลาดหน่วยความจำยังเป็น Supercycle

By arjin

on 31 October 2017 - 09:56 Tag: Samsung, Financial Report, Semiconductor, Memory

Samsung

ซัมซุงรายงานผลการดำเนินงานของไตรมาสที่ 3 ปี 2017 ซึ่งมีรายละเอียดเพิ่มเติมจากตัวเลขคาดการณ์เมื่อต้นเดือน โดยมีรายได้รวม 62.05 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 29.8% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน มีกำไรจากการดำเนินงาน 14.53 ล้านล้านวอน และมีกำไรสุทธิ 11.19 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 146% เนื่องจากปีที่แล้วกำไรลดลงมากจากปัญหา Galaxy Note 7

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเติบโตต่อเนื่องทุกไตรมาส และกลายมาเป็นธุรกิจหลักของซัมซุงไปแล้ว รายได้ส่วนนี้อยู่ที่ 28.02 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 38% เฉพาะธุรกิจหน่วยความจำเพิ่มขึ้นถึง 65% และชิ้นส่วนหน้าจอเพิ่มขึ้น 17% ขณะที่ธุรกิจโทรศัพท์รายได้เพิ่มขึ้น 23% เป็น 27.69 ล้านล้านวอน ซึ่งกำไรส่วนใหญ่ก็อยู่ที่ธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์

Samsung Electronics เตรียมลงทุน 7 พันล้านดอลลาร์ เพิ่มกำลังการผลิต NAND flash ในจีน

By nutmos

on 28 August 2017 - 23:43 Tag: Samsung, NAND, Memory, Storage

Samsung

Samsung Electronics เตรียมลงทุนจำนวน 7 พันล้านดอลลาร์ในเวลา 3 ปีข้างหน้า เพื่อขยายกำลังการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ในเมืองซีอาน ประเทศจีน โดยตอนนี้ได้อนุมัติเงินจำนวน 2.3 พันล้านดอลลาร์แล้ว

ปัจจุบัน Samsung นั้นมีรายได้จากการผลิตคิดเป็น 38.3% ของรายได้จากการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ทั่วโลกในช่วงเดือนเมษายนถึงเดือนมิถุนายน โดยการลงทุนครั้งนี้ โฆษกของ Samsung Electronics ปฏิเสธที่จะให้ความเห็นเกี่ยวกับกำลังการผลิตที่จะเพิ่มขึ้นว่าจะเพิ่มขึ้นได้เท่าไร

ที่มา - Reuters

SK Hynix โชว์สเปคเม็ดแรม GDDR6 และ HBM2 เติมฝันการ์ดจอเบอร์แรงปลายปี

By twometre

on 17 May 2017 - 11:55 Tag: SK Hynix, Hardware, GPU, Memory

SK Hynix

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

Huawei ประเทศไทยแถลง UFS 2.1 และ 2.0 มีความเร็วเท่ากัน ยืนยันทุกเครื่องใช้แรม LPDDR4

By BlackMiracle

on 25 April 2017 - 10:38 Tag: Huawei, Storage, Mobile, Memory

Huawei

จากเหตุการณ์ Huawei P10/P10 Plus ใช้แรมและหน่วยความจำหลายชนิด รวมถึงเกิดความสงสัยว่า Mate 9 มีความเกี่ยวข้องกับเหตุการณ์ดังกล่าวด้วยหรือไม่ ล่าสุด Huawei ประเทศไทยได้แถลงผ่านหน้าเฟซบุ๊กของบริษัทแล้ว

Huawei ประเทศไทยระบุว่ามาตรฐาน UFS 2.1 และ 2.0 มีความเร็วเท่าเทียมกัน ระหว่าง 249.6 - 583.04 MB/s และใน Huawei Mate 9 เป็นไปตามมาตรฐาน UFS 2.1

ส่วนในรุ่น P10/P10 Plus ได้บอกเหมือนกับที่ Huawei ต่างประเทศได้แถลงมาก่อนหน้านี้ คือบริษัทฯ มีมาตรฐานในการเลือกใช้ชิ้นส่วนจากผู้ผลิตที่น่าเชื่อถือทั่วโลก เพื่อให้มีปริมาณการผลิตที่เพียงพอต่อความต้องการของผู้บริโภค พร้อมยืนยันว่าทั้ง P10/P10 Plus และ Mate 9 ใช้แรม LPDDR4 (โพสต์ต้นทางใช้คำว่า DDR4)

นอกจากนี้หากลูกค้ามีข้อสงสัย สามารถติดต่อศูนย์บริการลูกค้าที่ MBK Center ได้ระหว่างเวลา 10.30 - 19.30 น.

ที่มา - Facebook: Huawei Mobile

นึกว่าซื้อหวย Huawei ยอมรับ P10/P10 Plus มีสเปกแรมและหน่วยความจำหลายชนิด ผู้ใช้ไม่มีโอกาสทราบก่อนซื้อเลย

By BlackMiracle

on 21 April 2017 - 09:28 Tag: Huawei, Storage, Mobile, Memory

Huawei

หนึ่งในสมาร์ทโฟนยอดฮิตในขณะนี้ย่อมหนีไม่พ้น Huawei P10 และ P10 Plus ที่เพิ่งเปิดตัวและวางจำหน่ายไปไม่นาน และก็มีข่าวว่าผู้ใช้พบว่าการทดสอบเบนช์มาร์กด้านความเร็วหน่วยความจำในหลายๆ เครื่องได้ผลต่างกันมาก ล่าสุด Huawei ออกมายอมรับแล้วว่า P10 และ P10 Plus ที่วางจำหน่ายอยู่จะมาพร้อมสเปกแรมและหน่วยความจำที่แตกต่างกันไป

Huawei ระบุว่าแรมของ P10 และ P10 Plus จะมีทั้งแบบ LPDDR3 และ LPDDR4 และหน่วยความจำจะมีทั้ง UFS 2.0, UFS 2.1 และ eMMC 5.1 เลยทีเดียว โดยแรม LPDDR3 และ LPDDR4 ตามสเปกแล้วมีแบนด์วิดท์ต่างกันถึงเท่าตัว คือ 12.8GB/s และ 25.6GB/s และใช้ไฟที่ 1.2 และ 1.1 โวลต์ตามลำดับ ส่วนหน่วยความจำ UFS 2.0 กับ 2.1 ไม่ค่อยต่างกัน แต่ทั้งสองแบบนั้นเร็วกว่า eMMC 5.1 อย่างมาก ตามตารางด้านล่าง

คาดสเปกแรม DDR5 เสร็จภายในปี 2018, เร็วกว่า DDR4 สองเท่า

By mk

on 2 April 2017 - 10:28 Tag: RAM, JEDEC, Hardware, Hardware, Memory

RAM

JEDEC กลุ่มมาตรฐานด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีสมาชิกเกือบ 300 ราย ประกาศว่ามาตรฐานของแรม DDR5 รุ่นถัดไป "น่าจะ" เสร็จภายในปีหน้า 2018 โดยจะมีแบนด์วิดท์สูงกว่าแรม DDR4 ในปัจจุบันถึง 2 เท่า

นอกจากนี้ แรม DDR5 จะยังมีความหนาแน่นของการจัดวางชิป (density) เพิ่มขึ้นอีก 2 เท่าเช่นกัน และมีการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ตอนนี้ยังมีข้อมูลของสเปก DDR5 ออกมาแค่นี้ รายละเอียดทางเทคนิคคงต้องรอกันต่อไป (DDR5 ไม่เกี่ยวอะไรกับ GDDR5)

Intel Optane เริ่มวางขายแล้ว SSD ความเร็วสูงที่ใช้หน่วยความจำแบบใหม่ 3D XPoint

By mk

on 20 March 2017 - 08:25 Tag: Optane, Intel, Data Center, Memory, SSD

Optane

อินเทลร่วมมือกับไมครอน เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่เรียกว่า 3D XPoint มาตั้งแต่ปี 2015 โดยโฆษณาว่ามันเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ NAND ที่ใช้กันในปัจจุบันถึง 1,000 เท่า, ทนทานกว่ากัน 1,000 เท่า และจัดเรียงชิปหน่วยความจำได้หนาแน่นกว่า DRAM 10 เท่า

อินเทลตั้งเป้านำ 3D XPoint มาใช้ทำสตอเรจ SSD ความเร็วสูงภายใต้แบรนด์ Optane ที่วางตัวไว้เป็น "แคชความเร็วสูง" ที่อยู่ระหว่างแรมกับสตอเรจ หรือบางครั้งอาจมองว่ามันเป็นส่วนขยายของแรมก็ได้ ด้วยการที่มันทำงานได้เร็วมากๆ นั่นเอง

หลังจากโฆษณามานานและเลื่อนกำหนดวางขายมาหลายรอบ ในที่สุดผลิตภัณฑ์ตัวแรก Intel Optane SSD DC P4800X ก็เริ่มวางขายแล้ว

Micron เตรียมส่งแรม GDDR6 ลงสู่ตลาดภายในปีนี้ อัตราส่งข้อมูล 16Gbps

By mk

on 5 February 2017 - 18:47 Tag: Micron, Hardware, Hardware, Memory

Micron

Micron ประกาศนำแรมแบบ GDDR6 ลงสู่ตลาดภายในปีนี้ โดยแรมแบบ GDDR6 มีอัตราการส่งข้อมูล 16Gbps เหนือกว่าแรม GDDR5X ที่ทำได้ 12Gbps ในปัจจุบัน

เดิมที Micron ตั้งเป้าว่าจะออกแรม GDDR6 ในปีหน้า 2018 แต่ตัดสินใจเลื่อนให้เร็วขึ้น เพื่อตอบสนองความต้องการของกลุ่มเกมเมอร์ที่เปลี่ยนเครื่องกันบ่อยกว่าพีซีทั่วไป แนวทางของ Micron จะยังขายทั้งแรม GDDR6 สำหรับตลาดบน และ GDDR5X ในตลาดรองลงมา

ตอนนี้ยังไม่แน่ชัดว่าจะมีผู้ผลิตจีพียูรายไหนใช้แรม GDDR6 ช่วงปลายปีนี้หรือไม่ เพราะในตลาดเองก็เริ่มมีแรมแบบใหม่ๆ อย่าง HBM (high-bandwidth memory) ที่ใช้ในจีพียูบางตัวแล้ว เช่น NVIDIA Tesla P100

G.Skill เปิดตัวแรม DDR4 แบบมีไฟ RGB ที่ครีบระบายความร้อน

By twometre

on 22 December 2016 - 19:15 Tag: G.Skill, overclocking, Hardware, Hardware, Memory

G.Skill

ชาว Blognone หลายท่านคงเคยผ่านวันวัยของการแต่งคอมพิวเตอร์ด้วยสีสันฉูดฉาด ล่าสุดเมื่อเทรนด์อีสปอร์ตกำลังมา เห็นชัดว่าสีสันเหล่านี้กำลังกลับมาอีกครั้ง บนคีย์บอร์ด เมนบอร์ด และล่าสุดกับแรมจาก G.Skill รุ่นนี้

G.Skill เปิดตัวแรม Trident Z RGB ซึ่งเป็นแรม DDR4 ใช้บนคอมพิวเตอร์เดสก์ท็อปที่มากับจุดเด่นที่ครีบระบายความความร้อนสามารถแผดสีได้แบบ RGB ปรับแต่งจังหวะการกระพริบผ่านซอฟต์แวร์ได้ มากับสเปค DDR4-4266MHz ทำงานบน PCB สิบเลเยอร์ และคัดเม็ดแรมเพื่อการโอเวอร์คล็อกด้วย ราคายังไม่ระบุครับ

นักวิเคราะห์ชี้ เตรียมพบราคา SSD ปรับตัวสูงขึ้น เพราะชิป NAND ขาดตลาด

By twometre

on 3 December 2016 - 17:07 Tag: NAND, Hardware, Hardware, Hardware, Hardware, Storage, Memory

NAND

TechPowerUp ลงบทความวิเคราะห์ถึงสถานการณ์ชิป NAND ซึ่งเป็นส่วนประกอบของหน่วยความจำประเภท SSD มีแนวโน้มจะขาดตลาด เหตุหนึ่งมาจากฝั่งผู้ผลิตสมาร์ทโฟนต้องการชิปเหล่านี้ (รวมถึงเม็ดแรม DRAM) ไปเพิ่มกำลังการผลิตสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ๆ มากขึ้น

บทความนี้ชี้ถึงความต้องการ SSD ที่สูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปี 2016 ซึ่งสูงขึ้นจากเดิม 41.2% เมื่อเทียบกับปีที่แล้ว หรือคิดเป็น 9.5% จากไตรมาสแรก ขณะกำลังการผลิตรายใหญ่ยังไม่เพียงพอ ซึ่งทั้งตอนนี้ Toshiba และ WD (เจ้าของใหม่ของ SanDisk) กำลังมุ่งผลิตชิปแบบ 3D NAND อยู่ ทำให้อาจผลิตได้ไม่ทันความต้องการ

ข้อมูลเพิ่มเติมจาก DRAMeXchange ชี้ว่าไตรมาสนี้ SSD ทั้งชิปแบบ MLC และ TLC ราคาขึ้นไปแล้วราว 6-10% และปิดท้ายด้วยข้อสรุปว่า เตรียมพบราคา SSD ราคาเพิ่มจากปกติราว 20-25% ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า และปี 2018 ถึงจะกลับสู่ภาวะปกติ

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR4 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา

By mk

on 23 October 2016 - 10:48 Tag: Samsung, Hardware, Hardware, Memory

Samsung

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR4 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพาตัวแรกของโลก แรมตัวนี้ใช้ชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ขนาด 16Gb จำนวน 4 ตัว และใช้กระบวนการผลิตที่ 10 นาโนเมตร

จุดเด่นอีกประการหนึ่งของแรมรุ่นนี้คืออัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 4,266 Mbps ซึ่งเยอะกว่าแรม DDR4 ที่ใช้ในพีซี ซึ่งโดยทั่วไปส่งข้อมูลที่ 2,133 Mbps

ตัวแผ่นแรมมีขนาดเพียง 15x15 มิลลิเมตร หนา 1 มิลลิเมตร ด้วยขนาดเล็กระดับนี้ ทำให้การจับแรมมาอยู่ในแพ็กเกจเดียวกับสตอเรจ UFS หรือแพ็กเพจเดียวกับหน่วยประมวลผล ก็เป็นเรื่องที่เป็นไปได้แล้วในตอนนี้

Western Digital สาธิตการ์ดหน่วยความจำ SDXC ความจุ 1 TB เป็นครั้งแรก

By nrad6949

on 20 September 2016 - 16:03 Tag: Western Digital, SanDisk, SDXC, Memory

Western Digital

ที่งาน Photokina 2016 เมืองโคโลญจน์ ประเทศเยอรมนี Western Digital โดยแบรนด์ลูก SanDisk ประกาศแสดงและสาธิตการ์ดหน่วยความจำแบบ SDXC ความจุ 1 TB เป็นครั้งแรก และใบแรกของโลก

การ์ด SDXC ความจุ 1 TB ถือเป็นรุ่นต่อของ SanDisk Extreme PRO SDXC UHS-I ขนาด 512 GB ที่บริษัทเปิดตัวไปเมื่อสองปีที่แล้ว โดยตัวแทนของบริษัทระบุว่าการ์ดตัวนี้จะรองรับการบันทึกภาพและวิดีโอที่ความละเอียดสูง รวมถึงงานประเภท virtual reality และสื่อบันเทิงอื่นๆ ที่มีปริมาณมากขึ้นเรื่อยๆ รวมถึงเป็นการพิสูจน์ความสามารถของ Western Digital ว่าสามารถเพิ่มความจุได้เป็นสองเท่า โดยไม่ต้องเปลี่ยนรูปแบบ (form factor)

Samsung โชว์แผนปล่อยเม็ดแรม GDDR6 ในปี 2018

By twometre

on 24 August 2016 - 07:26 Tag: Samsung, Hardware, Hardware, Memory

Samsung

ต่อเนื่องจากข่าวของ HBM3 มีความคืบหน้าของ GDDR6 ซึ่งเป็นเมมโมรีบนกราฟิกการ์ดแบบถัดไป ต่อจาก GDDR5X ในปัจจุบัน กับแบนด์วิดท์ 16Gb/s จากเดิมที่ 10Gb/s เมื่อเรียงตัวใช้งานแบบ 256 บิตจะได้แบนด์วิดท์ 512GB/s หรือ 768GB/s ในแบบ 384 บิต (แล้วแต่ผู้ผลิตกราฟิกการ์ดจะออกแบบ)

ความน่าสนใจอยู่ที่กลไกที่ชื่อว่า LP4X ที่จะควบคุมแรงดันไฟเม็ดแรมให้เหมาะสมกับความเร็วสัญญาณนาฬิกาที่ใช้อยู่ตอนนั้น ทำให้ประหยัดพลังงานกว่าเดิมอีก 20%

Subscribe to Memory