Reuters รายงานว่าสงครามการค้าระหว่างสหรัฐและจีน บวกกับปัญหาชิปขาดตลาดทั่วโลก ส่งผลสะเทือนต่อโรงงานผลิตชิปในประเทศจีน ไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตบางอย่างได้แล้ว

บริษัทในข่าวคือ SK Hynix บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลีใต้ ที่มีโรงงานอยู่ที่เมืองอู๋ซี (Wuxi) ประเทศจีน ไม่สามารถซื้อเครื่อง extreme ultraviolet lithography (EUV) จากบริษัทเนเธอร์แลนด์ ASML เพื่อใช้ในการผลิตชิปที่ขนาดเล็กมากๆ ได้มาหลายปีแล้ว

การโจมตีแรมแบบ Rowhammer เป็นช่องโหว่ที่ทีม Project Zero ของกูเกิลสาธิตมาตั้งแต่ปี 2015 โดยอาศัยการเปลี่ยนค่าในหน่วยความจำซ้ำๆ จนกระทั่งหน่วยความจำแถว "ข้างๆ" นั้นเปลี่ยนค่าไปด้วย และหลังมีรายงานออกมาผู้ผลิตแรมก็พยายามเพิ่มกระบวนการป้องกันการเปลี่ยนข้อมูลเช่นนี้ ล่าสุดทีมวิจัย COMSEC จากมหาวิทยาลัย ETH Zürich ก็ประสบความสำเร็จในการโจมตีแบบ Blacksmith ที่พัฒนาเทคนิคต่อจาก Rowhammer จนเปลี่ยนค่าในแรมได้แทบทุกยี่ห้อในตลาด

Samsung เปิดตัว DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5X หรือ LPDDR5X แบบ 16Gb เป็นครั้งแรกของวงการชิปความจำ ผลิตด้วยกระบวนการขนาด 14 นาโนเมตร (nm) และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับการทำงานที่ต้องใช้หน่วยความจำความเร็วสูง เช่นการทำงานกับข้อมูลที่ส่งผ่าน 5G การทำงานกับปัญญาประดิษฐ์, AR และ metaverse

แรม LPDDR5X ของ Samsung ใส่แรมได้สูงสุด 64GB ต่อหนึ่งแพ็กเกจหน่วยความจำ มีความเร็วประมวลผลอยู่ที่ 8.5 Gbps (กิกะบิตต่อวินาที) เร็วกว่า 6.4 Gbps ของ LPDDR5 ถึง 1.3 เท่าตัว และใช้พลังงานน้อยกว่าราว 20% จากการลดขนาดกระบวนการผลิตไปอยู่ที่ 14 นาโนเมตร

Kingston ระบุว่าแรม DDR5 UDIMM กลุ่มแรกที่กำลังจะเปิดตัวในปีหน้า ได้รับการรับรองจาก Intel Platform Validation แล้ว และได้จัดส่งตัวอย่างแรม DDR5 UDIMM กว่า 10,000 ชิ้น ให้ผู้ผลิตเมนบอร์ด เพื่อเตรียมรองรับแรม DDR5 เมื่อวางจำหน่ายเรียบร้อยแล้ว

แรม DDR5 UDIMM ชุดแรกของ Kingston มี 2 ความจุ คือ 16GB และ 32GB ความเร็ว 4800MHz และใช้ไฟ 1.1V รหัส KVR48U40BS8-16 และ KVR48U40BD8-32 ตามลำดับ

Wall Street Journal รายงานข่าววงในว่า Western Digital กำลังเจรจาเพื่อควบรวมกับ Kioxia บริษัทหน่วยความจำของญี่ปุ่นที่รีแบรนด์มาจาก Toshiba Memory เดิม ปัจจุบัน Toshiba ถือหุ้นราว 40% ส่วนที่เหลือเป็นของบริษัทลงทุน Bain Capital

หากการเจรจาสำเร็จ บริษัทใหม่จะมีมูลค่า 2 หมื่นล้านดอลลาร์ โดย David Goeckeler ซีอีโอของ Western Digital จะนั่งเป็นซีอีโอของบริษัทใหม่

ผู้นำตลาดหน่วยความจำในปัจจุบันคือซัมซุง มีส่วนแบ่งตลาด NAND ประมาณ 1/3 ส่วน Kioxia มี 19% และ Western Digital มี 15% ซึ่งถ้าสองบริษัทนี้ควบรวมกันได้ก็จะมีส่วนแบ่งตลาดแซงหน้าซัมซุง

ซัมซุงเปิดข้อมูลโมดูลแรม DDR5-7200 ที่ความจุสูงสุด 512GB มากกว่าโมดูลแรมใหญ่สุดทุกวันนี้ที่มีขายไม่เกิน 256GB อย่างไรก็ดี สเปค DDR5-7200 ที่ควรจะกำหนดโดย JEDEC นั้นยังไม่นิ่งทำให้ไม่แน่ชัดว่าซีพียูหรือเมนบอร์ดตัวไหนจะรองรับโมดูลแรมนี้บ้าง

ความพิเศษของโมดูลแรมใหม่นี้คือซัมซุงซ้อนชิปเข้าด้วยกันถึง 8 ชั้นและยังมีความหนาโดยรวมของแพ็กเกจเพียง 1 มิลลิเมตรเท่านั้น ตัวชิปแรมมีระบบแก้ไขความผิดพลาดในตัวชิป (on-die ECC) เพื่อช่วยเพิ่มผลผลิตจากโรงงาน (เพราะชิปยังใช้งานได้แม้มีความผิดพลาดบางบิต) เทคนิคนี้ทำให้อัตราข้อมูลผิดพลาดลดลงถึง 1 ล้านเท่า ชดเชยความผิดพลาดที่มากขึ้นจากการลดขนาดวงจร

คาดว่าโมดูลแรมแบบ 512GB จะเริ่มผลิตเป็นจำนวนมากได้ภายในสิ้นปีนี้

Micron ประกาศขายโรงงานผลิตหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลเป็น Optane (ประกาศเลิกทำเมื่อต้นปี) ให้กับ Texas Instrument แล้ว ถือเป็นการปิดฉากการลงทุนในหน่วยความจำ non-volatile memory ที่ล้มเหลวของ Micron

ฝั่งของอินเทลยังไม่มีท่าทีชัดเจนว่าจะเอายังไงกับ Optane ต่อไป แต่เมื่อหน่วยความจำที่ใช้ใน Optane ต้องผลิตจากโรงงานของ Micron ก็ไม่น่าจะไปต่อได้ง่ายนัก

โรงงานผลิตหน่วยความจำแห่งนี้อยู่ที่เมือง Lehi ในรัฐ Utah ของสหรัฐ มูลค่าการขายกิจการรวมทั้งหมด 1.5 พันล้านดอลลาร์ แบ่งเป็นเงินสด 900 ล้านดอลลาร์ และการตีมูลค่าจากเครื่องมือและทรัพย์สินต่างๆ อีก 600 ล้านดอลลาร์

ผู้ผลิตน่าจะรับรู้ปัญหานี้อยู่แล้ว แต่เลือกที่จะไม่เปิดเผยโดยหวังว่าน่าจะไม่มีใครรู้

Jarrod'sTech สังเกตเห็นความผิดปกติ และ Linus Tech Tip ได้นำมาทดสอบและนำเสนอผ่าน youtube คลิป "วิถีสกปรกที่ผู้ผลิตใช้ในการดาวน์เกรดพีซีของคุณ"

Linus ได้เอาโนตบุค 2 เครื่องที่สเปค RAM คล้ายๆกัน คือ 16 gigabytes, 3200 megahertz, DDR4.
แต่เครื่องหนึ่งเป็น AMD ส่วนอีกเครื่องเป็น Intel สเปคดังนี้

เครื่อง AMD ราคา 1650 ดอลลาร์
ASUS Strix G15 Advantage edition
AMD Ryzen 9 5900HX 8-Core + Radeon RX 6800M

เคื่อง Intel ราคา 2400 ดอลลาร์
Gigabyte Aorus 15G
Intel i7 11800H + NVIDIA GeForce NRTX 3080

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

บริษัทหน่วยความจำ Micron Technology ประกาศหยุดพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลมาตั้งแต่ปี 2015 และใช้เป็นหน่วยความจำสำหรับ Intel Optane

3D XPoint เป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile memory (NVM ปิดไฟแล้วข้อมูลยังอยู่) ที่มีตำแหน่งทางการตลาดอยู่ระหว่างแรมแบบ DRAM และสตอเรจแบบ Flash (เร็วกว่า Flash แต่ถูกกว่า DRAM) ซึ่งอินเทลนำมาพัฒนาเป็นผลิตภัณฑ์ตระกูล Optane ที่นำไปคั่นตรงกลางระหว่างแรมกับสตอเรจ ส่วน Micron เคยออก SSD มาตัวเดียวคือ X100

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก (อย่าสับสนกับแรม GDDR5 ของการ์ดจอ ซึ่งพัฒนาจาก DDR3 และตอนนี้อัพเกรดไปเป็น GDDR6X แล้ว)

จากสเปกของแรม DDR5 มีอัตราการส่งข้อมูล 3200-6400 Mbps เพิ่มขึ้น 2 เท่าจาก DDR4 (1600-3200 Mbps) ส่วน SK hynix ระบุว่าแรมของตัวเองทำได้ที่ 4800-5600 Mbps หรือเพิ่มขึ้นราว 1.8 เท่า นอกจากนี้ยังทำงานที่ 1.1V ลดลงจาก 1.2V ของ DDR4 เล็กน้อย ช่วยให้ประหยัดพลังงานลงจากเดิม 20%

ฟีเจอร์อื่นของ SK hynix DDR5 คือมีตัวแก้ไขข้อมูลผิดพลาดหรือ Error Correcting Code (ECC) อยู่ในตัวชิปโดยตรง บริษัทระบุว่าสามารถผลิตแรมที่มีขนาดสูงสุด 256GB

SK hynix ประเมินว่าเราจะเห็นยอดขายแรม DDR5 คิดเป็นสัดส่วน 10% ของแรมที่ขายในปี 2021 และจะเพิ่มเป็น 43% ในปี 2024

ไมครอนแถลงข่าวแสดงประสิทธิภาพของแรม GDDR6X ที่ใช้ในการ์ดจอ Nvidia ตระกูล RTX 3000 ว่าเป็นองค์ประกอบสำคัญที่ทำให้การ์ดจอรุ่นใหม่ของ Nvidia มีแบนด์วิดท์สูงขึ้นมากจนรับมือกับภาพระดับ 4K ได้ดีขึ้น จากการส่งข้อมูลแบบ PAM4 (4-level pulse amplitude modulation)

Strategy Analytics เปิดเผยว่า Samsung ยังคงครองส่วนแบ่งตลาดชิปหน่วยความจำมือถือมากที่สุดในไตรมาสแรกของปีนี้ ที่มีมูลค่ารวมทั้งหมด 9.4 พันล้านเหรียญ โดยมีส่วนแบ่งตลาดถึง 50% ตามมาด้วยบริษัท SK Hynix และ Micron เป็นอันดับสองและสาม โดยสามบริษัทนี้รวมกัน ครองส่วนแบ่งตลาดถึง 84%

เมื่อแยกเป็นตลาดชิปแบบ NAND ฝั่ง Samsung Memory ครองส่วนแบ่ง 43.8% ตามมาด้วย Kioxia ที่ 21% และ SK Hynix ที่ 16% ภาพรวมของตลาดเติบโตขึ้น 4% จากไตรมาสเดียวกันในปีที่แล้ว จากราคาของชิป NAND ที่ทรงตัวขึ้น บวกกับอุปสงค์ที่เพิ่มขึ้นของชิปหน่วยความจำประเภทแฟลช

นอกจากชิปเซ็ตสมาร์ทโฟนที่ Huawei กำลังหาทางหนีทีไล่หลังถูกรัฐบาลสหรัฐบีบ ยังมีเรื่องของชิปเมมโมรี่ที่มีรายงานว่า Huawei กำลังพูดคุยอยู่กับ Samsung และ SK Hynix ผู้ผลิต 2 ค่ายเกาหลีเพื่อซัพพลายชิปให้ในระยะยาว

Huawei เป็นลูกค้า Samsung กับ SK Hynix สำหรับการสั่งชิปแฟลช NAND และ DRAM อยู่แล้วด้วยมูลค่าราว ๆ 8.1 พันล้านเหรียญทุกปี ขณะที่การพูดคุยครั้งนี้ก็เพื่อทำให้ซัพพลายเชนของตัวเองมีความหลากหลายมากขึ้น

ที่มา - Huawei Central

ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

อินเทลนำ Intel® Optane™ DC Persistent Memory รุ่นใหม่เวอร์ชั่นต้นแบบมาโชว์ประสิทธิภาพในวัน Intel Memory and Storage Day ที่กรุงโซล ประเทศเกาหลีใต้ โดยเจ้า NV Storage รุ่นต้นแบบนี้แม้ทาง Intel จะนำมาแสดงแค่ช่องเดียว (Single Channel) แต่ก็ยังส่งข้อมูลได้เร็วมากจนน่าทึ่ง

ความเร็วที่ Intel Optane DC Persistent รุ่นต้นแบบทำได้ ในส่วนของ SEQ1M จะทำความเร็วอ่านได้ที่ 3,634.80 MB/s เขียนที่ 1,803.37 MB/s ส่วน Random 4K (IOPS) นั้น ทำคะแนน Read ได้ถึง 437,539 IOPS และ Write ที่ 471,482 IOPS ทีเดียว

Toshiba Memory ธุรกิจหน่วยความจำของ Toshiba ที่แยกบริษัทออกมาในปี 2017 (ขายให้กลุ่มทุน Bain Capital) ประกาศรีแบรนด์ตัวเองใหม่ชื่อ Kioxia (อ่านว่า kee-ox-ee-uh) มีผลวันที่ 1 ตุลาคม 2019

ที่มาของชื่อ Kioxia มาจากคำว่า kioku ในภาษาญี่ปุ่นที่แปลว่า "memory" และคำว่า axia ในภาษากรีกที่แปลว่า "value" โดยวิสัยทัศน์ของบริษัทใหม่คือ Uplifting the world with “memory”

ตอนนี้ยังไม่มีโลโก้ของ Kioxia ออกมาให้ดูกัน และยังไม่มีข้อมูลว่าแรมหรือสินค้าอื่นๆ ของ Kioxia จะรีแบรนด์ไปใช้ชื่อใหม่ หรือยังใช้ชื่อ Toshiba ทำตลาดเหมือนเดิม

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น

วันนี้ Samsung Electronics หน่วยธุรกิจด้านอิเล็กทรอนิกส์และชิปของ Samsung ประกาศเปิดตัว DRAM รุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 12 GB ภายใต้แพ็กเกจชิปเดียว นับว่าเป็นการเปิดตัวชิปหน่วยความจำที่มีขนาดสูงสุดในโลก ณ เวลานี้

DRAM ดังกล่าวผลิตตามมาตรฐาน LPDDR4X ทำให้สมาร์ทโฟนสามารถรองรับกล้องได้มากถึง 5 ตัวในเวลาเดียวกัน, เพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลของ AI บนอุปกรณ์ และคุณสมบัติ 5G ในอนาคต

กระบวนการผลิตเกิดจากการรวมชิป LPDDR4X ขนาด 16 Gb (Gigabit ไม่ใช่ Gigabytes) ที่กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตรเข้าด้วยกันอยู่ในแพ็กเกจเดียว สามารถทำความเร็วการส่งข้อมูลได้สูงสุดถึง 34.1 GB ต่อวินาที ในขณะที่ยังรักษาอัตราการสิ้นเปลืองพลังงานไว้ให้อยู่ในระดับต่ำ

ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน

ส่วนการอ่านเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

ช่วงนี้เห็นผู้คนคุยกันว่าแรม DDR4 สำหรับพีซีราคาเริ่มมีแนวโน้มลดลง ล่าสุดมีข่าวจาก SK Hynix แบรนด์ผู้ผลิตชิปเมมโมรีใหญ่อันดับสองของโลก ออกมาระบุว่า แรมแบบ DDR5 พร้อมแล้วที่จะเปิดตัวลงตลาดในปี 2020 นี้ และขณะเดียวกันก็กำลังวางแผนพัฒนา DDR6 อยู่ซึ่งจะเริ่มผลิตในระยะห้าถึงหกปีข้างหน้า

ส่วนสเปคของ DDR5 ที่ SK Hynix ระบุไว้เมื่อปลายปี 2018 คือชิปชิ้นหนึ่งมีความจุ 16Gb (หรือ 2GB) สามารถทำงานได้ที่ 5200MT/s (เข้าใจได้ว่าเป็น 5200MHz) ที่แรงดันไฟ 1.1 โวลต์ จะทำแบนวิดธ์ได้เป็นสองเท่าของ DDR4-2666 ซึ่งวางแผนจะนำไปใช้กับวงการรถยนต์ในอนาคตด้วย

ที่มา - CDRinfo

ข่าวนี้น่าจะเป็นอีกก้าวสำคัญขององคาพยพ RGB เมื่อ Corsair โชว์อีกหนึ่งเทคโนโลยีไฟ LED ในชื่อ Capellix ที่หลักใหญ่ใจความคือหลอดไฟ LED ชนิดนี้มีขนาดเล็กกว่าหลอด LED แบบ RGB แบบเดิม เล็กลงจาก 2.8 ลบ.มม. เหลือ 0.2 ลบ.มม. และได้ไฟที่สว่างกว่าเดิมสูงสุด 60% ใช้พลังงานน้อยลงกว่าเดิมได้ถึง 40% และอายุการใช้งานยาวนานขึ้นได้ถึง 35%

ข้อดีของความเล็กคือในอนาคตเราอาจได้เห็นฮาร์ดแวร์ที่มีไฟ RGB แสดงผลไฟได้ละเอียดขึ้น ถ้านำไปใช้กับแรม ก็จะกินพลังงานน้อยลง หรือได้แรมแรงขึ้นด้วยบัสหรือค่าไทมิ่งที่กระชับขึ้น เพราะมีพลังงานเหลือไปใช้กับตัวแรมเอง ซึ่งผลิตภัณฑ์แรกที่จะได้นำ LED ชนิดนี้ไปใช้คือแรม DDR4 Dominator Platinum RGB ความเร็วสูงสุด 4800MHz และมี LED 12 ชุดต่อแผงที่สามารถตั้งค่าสีแยกกันได้ วางขายเดือนกุมภาพันธ์ปีนี้

3DCenter.org สื่อฮาร์ดแวร์ภาษาเยอรมันรายงานข้อมูลจาก DigiKey ผู้ค้าส่งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ว่า ราคาเม็ดแรม GDDR6 แบนด์วิดธ์ 14 Gbps ของ Micron ราคาสูงกว่า 70% เมื่อเทียบราคาเม็ดแรมชนิด GDDR5 8Gbps ในความจุเดียวกัน ซึ่งแรม GDDR6 ตอนนี้ถูกนำมาใช้แล้วบนการ์ดจอซีรีส์ GeForce RTX 20 ของ NVIDIA ในปัจจุบัน

ทั้งนี้ GDDR6 ยังมีเม็ดแรมอีกหลายสเปคทั้ง 12 และ 13 Gbps แต่ NVIDIA เลือกใช้แต่เม็ดแรม 14 Gbps เท่านั้น อาจเป็นสาเหตุที่ทำให้การ์ดรุ่นดังกล่าวตั้งราคาออกมาสูง สอดคล้องกับข่าวลือก่อนหน้าที่ว่าค่ายนี้จะออกมา RTX 2060 ที่จับกับแรม GDDR5 เพื่อราคาที่ย่อมเยากว่า

เสริม: มีผลเบนช์มาร์ก GeForce RTX 2060 หลุดออกมาก่อนวันเปิดตัวอย่างเป็นทางการวันที่ 7 มกราคม 2562 นี้ โดยจะวางตัวใกล้ๆ GeForce GTX 1070 Ti เดิม ในราคา 349 เหรียญสหรัฐฯ (ประมาณ 11,300 บาท) ไว้เปิดตัวแล้วเรามาดูกันละเอียดอีกทีครับ

Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา รองรับ 5G, AI และ UHD ใช้กระบวนการผลิตที่ 10nm

แรม LPDDR5 ขนาด 8GB มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 6,400 Mb/s เร็วขึ้น 1.5 เท่า จากแรม LPDDR4X ที่ให้อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 4,266Mb/s, สามารถส่งข้อมูล 51.2GB หรือวีดีโอ 14 ไฟล์ ความละเอียด Full HD ได้ใน 1 วินาที, มีสองแบนด์วิดท์ ได้แก่ 6,400 Mb/s ขนาดของแรงดันไฟฟ้า 1.1 โวลท์ และ 5,500Mb/s ที่ 1.05 โวลท์

นอกจากนี้ชิป LPDDR5 ยังมีโหมดที่เรียกว่า deep sleep mode ช่วยลดพลังงานให้กับอุปกรณ์พกพาได้ถึง 30% ลดลงครึ่งหนึ่งจาก idle mode ของ LPDDR4X

ส่วนการนำมาใช้จริงจะเริ่มกับมือถือรุ่นใดนั้้น คงต้องรอติดตามกันต่อไป ไม่แน่ว่าอาจเป็น Galaxy S10 ที่จะมาในปีหน้าก็ได้

บริษัท Samsung Electronics ประกาศเริ่มเดินสายการผลิต 32GB DDR4 RAM ในรูปแบบของ SoDIMM (small outline dual in-line memory module หรือ RAM ขนาดเล็กกว่าทั่วไป) ที่ระดับ 10nm โดยมุ่งเน้นประสิทธิภาพระดับพีซีบนแล็ปท็อป ด้วยการเพิ่มความจุและลดการใช้พลังงานลงจากเดิม เพื่อให้สามารถใช้งานแล็ปท็อปได้ยาวนานและมีประสิทธิมากยิ่งขึ้น