Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

บริษัทหน่วยความจำ Micron Technology ประกาศหยุดพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลมาตั้งแต่ปี 2015 และใช้เป็นหน่วยความจำสำหรับ Intel Optane

3D XPoint เป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile memory (NVM ปิดไฟแล้วข้อมูลยังอยู่) ที่มีตำแหน่งทางการตลาดอยู่ระหว่างแรมแบบ DRAM และสตอเรจแบบ Flash (เร็วกว่า Flash แต่ถูกกว่า DRAM) ซึ่งอินเทลนำมาพัฒนาเป็นผลิตภัณฑ์ตระกูล Optane ที่นำไปคั่นตรงกลางระหว่างแรมกับสตอเรจ ส่วน Micron เคยออก SSD มาตัวเดียวคือ X100

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก (อย่าสับสนกับแรม GDDR5 ของการ์ดจอ ซึ่งพัฒนาจาก DDR3 และตอนนี้อัพเกรดไปเป็น GDDR6X แล้ว)

จากสเปกของแรม DDR5 มีอัตราการส่งข้อมูล 3200-6400 Mbps เพิ่มขึ้น 2 เท่าจาก DDR4 (1600-3200 Mbps) ส่วน SK hynix ระบุว่าแรมของตัวเองทำได้ที่ 4800-5600 Mbps หรือเพิ่มขึ้นราว 1.8 เท่า นอกจากนี้ยังทำงานที่ 1.1V ลดลงจาก 1.2V ของ DDR4 เล็กน้อย ช่วยให้ประหยัดพลังงานลงจากเดิม 20%

ฟีเจอร์อื่นของ SK hynix DDR5 คือมีตัวแก้ไขข้อมูลผิดพลาดหรือ Error Correcting Code (ECC) อยู่ในตัวชิปโดยตรง บริษัทระบุว่าสามารถผลิตแรมที่มีขนาดสูงสุด 256GB

SK hynix ประเมินว่าเราจะเห็นยอดขายแรม DDR5 คิดเป็นสัดส่วน 10% ของแรมที่ขายในปี 2021 และจะเพิ่มเป็น 43% ในปี 2024

ไมครอนแถลงข่าวแสดงประสิทธิภาพของแรม GDDR6X ที่ใช้ในการ์ดจอ Nvidia ตระกูล RTX 3000 ว่าเป็นองค์ประกอบสำคัญที่ทำให้การ์ดจอรุ่นใหม่ของ Nvidia มีแบนด์วิดท์สูงขึ้นมากจนรับมือกับภาพระดับ 4K ได้ดีขึ้น จากการส่งข้อมูลแบบ PAM4 (4-level pulse amplitude modulation)

Strategy Analytics เปิดเผยว่า Samsung ยังคงครองส่วนแบ่งตลาดชิปหน่วยความจำมือถือมากที่สุดในไตรมาสแรกของปีนี้ ที่มีมูลค่ารวมทั้งหมด 9.4 พันล้านเหรียญ โดยมีส่วนแบ่งตลาดถึง 50% ตามมาด้วยบริษัท SK Hynix และ Micron เป็นอันดับสองและสาม โดยสามบริษัทนี้รวมกัน ครองส่วนแบ่งตลาดถึง 84%

เมื่อแยกเป็นตลาดชิปแบบ NAND ฝั่ง Samsung Memory ครองส่วนแบ่ง 43.8% ตามมาด้วย Kioxia ที่ 21% และ SK Hynix ที่ 16% ภาพรวมของตลาดเติบโตขึ้น 4% จากไตรมาสเดียวกันในปีที่แล้ว จากราคาของชิป NAND ที่ทรงตัวขึ้น บวกกับอุปสงค์ที่เพิ่มขึ้นของชิปหน่วยความจำประเภทแฟลช

นอกจากชิปเซ็ตสมาร์ทโฟนที่ Huawei กำลังหาทางหนีทีไล่หลังถูกรัฐบาลสหรัฐบีบ ยังมีเรื่องของชิปเมมโมรี่ที่มีรายงานว่า Huawei กำลังพูดคุยอยู่กับ Samsung และ SK Hynix ผู้ผลิต 2 ค่ายเกาหลีเพื่อซัพพลายชิปให้ในระยะยาว

Huawei เป็นลูกค้า Samsung กับ SK Hynix สำหรับการสั่งชิปแฟลช NAND และ DRAM อยู่แล้วด้วยมูลค่าราว ๆ 8.1 พันล้านเหรียญทุกปี ขณะที่การพูดคุยครั้งนี้ก็เพื่อทำให้ซัพพลายเชนของตัวเองมีความหลากหลายมากขึ้น

ที่มา - Huawei Central

ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

อินเทลนำ Intel® Optane™ DC Persistent Memory รุ่นใหม่เวอร์ชั่นต้นแบบมาโชว์ประสิทธิภาพในวัน Intel Memory and Storage Day ที่กรุงโซล ประเทศเกาหลีใต้ โดยเจ้า NV Storage รุ่นต้นแบบนี้แม้ทาง Intel จะนำมาแสดงแค่ช่องเดียว (Single Channel) แต่ก็ยังส่งข้อมูลได้เร็วมากจนน่าทึ่ง

ความเร็วที่ Intel Optane DC Persistent รุ่นต้นแบบทำได้ ในส่วนของ SEQ1M จะทำความเร็วอ่านได้ที่ 3,634.80 MB/s เขียนที่ 1,803.37 MB/s ส่วน Random 4K (IOPS) นั้น ทำคะแนน Read ได้ถึง 437,539 IOPS และ Write ที่ 471,482 IOPS ทีเดียว

Toshiba Memory ธุรกิจหน่วยความจำของ Toshiba ที่แยกบริษัทออกมาในปี 2017 (ขายให้กลุ่มทุน Bain Capital) ประกาศรีแบรนด์ตัวเองใหม่ชื่อ Kioxia (อ่านว่า kee-ox-ee-uh) มีผลวันที่ 1 ตุลาคม 2019

ที่มาของชื่อ Kioxia มาจากคำว่า kioku ในภาษาญี่ปุ่นที่แปลว่า "memory" และคำว่า axia ในภาษากรีกที่แปลว่า "value" โดยวิสัยทัศน์ของบริษัทใหม่คือ Uplifting the world with “memory”

ตอนนี้ยังไม่มีโลโก้ของ Kioxia ออกมาให้ดูกัน และยังไม่มีข้อมูลว่าแรมหรือสินค้าอื่นๆ ของ Kioxia จะรีแบรนด์ไปใช้ชื่อใหม่ หรือยังใช้ชื่อ Toshiba ทำตลาดเหมือนเดิม

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น

วันนี้ Samsung Electronics หน่วยธุรกิจด้านอิเล็กทรอนิกส์และชิปของ Samsung ประกาศเปิดตัว DRAM รุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 12 GB ภายใต้แพ็กเกจชิปเดียว นับว่าเป็นการเปิดตัวชิปหน่วยความจำที่มีขนาดสูงสุดในโลก ณ เวลานี้

DRAM ดังกล่าวผลิตตามมาตรฐาน LPDDR4X ทำให้สมาร์ทโฟนสามารถรองรับกล้องได้มากถึง 5 ตัวในเวลาเดียวกัน, เพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลของ AI บนอุปกรณ์ และคุณสมบัติ 5G ในอนาคต

กระบวนการผลิตเกิดจากการรวมชิป LPDDR4X ขนาด 16 Gb (Gigabit ไม่ใช่ Gigabytes) ที่กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตรเข้าด้วยกันอยู่ในแพ็กเกจเดียว สามารถทำความเร็วการส่งข้อมูลได้สูงสุดถึง 34.1 GB ต่อวินาที ในขณะที่ยังรักษาอัตราการสิ้นเปลืองพลังงานไว้ให้อยู่ในระดับต่ำ

ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน

ส่วนการอ่านเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

ช่วงนี้เห็นผู้คนคุยกันว่าแรม DDR4 สำหรับพีซีราคาเริ่มมีแนวโน้มลดลง ล่าสุดมีข่าวจาก SK Hynix แบรนด์ผู้ผลิตชิปเมมโมรีใหญ่อันดับสองของโลก ออกมาระบุว่า แรมแบบ DDR5 พร้อมแล้วที่จะเปิดตัวลงตลาดในปี 2020 นี้ และขณะเดียวกันก็กำลังวางแผนพัฒนา DDR6 อยู่ซึ่งจะเริ่มผลิตในระยะห้าถึงหกปีข้างหน้า

ส่วนสเปคของ DDR5 ที่ SK Hynix ระบุไว้เมื่อปลายปี 2018 คือชิปชิ้นหนึ่งมีความจุ 16Gb (หรือ 2GB) สามารถทำงานได้ที่ 5200MT/s (เข้าใจได้ว่าเป็น 5200MHz) ที่แรงดันไฟ 1.1 โวลต์ จะทำแบนวิดธ์ได้เป็นสองเท่าของ DDR4-2666 ซึ่งวางแผนจะนำไปใช้กับวงการรถยนต์ในอนาคตด้วย

ที่มา - CDRinfo

ข่าวนี้น่าจะเป็นอีกก้าวสำคัญขององคาพยพ RGB เมื่อ Corsair โชว์อีกหนึ่งเทคโนโลยีไฟ LED ในชื่อ Capellix ที่หลักใหญ่ใจความคือหลอดไฟ LED ชนิดนี้มีขนาดเล็กกว่าหลอด LED แบบ RGB แบบเดิม เล็กลงจาก 2.8 ลบ.มม. เหลือ 0.2 ลบ.มม. และได้ไฟที่สว่างกว่าเดิมสูงสุด 60% ใช้พลังงานน้อยลงกว่าเดิมได้ถึง 40% และอายุการใช้งานยาวนานขึ้นได้ถึง 35%

ข้อดีของความเล็กคือในอนาคตเราอาจได้เห็นฮาร์ดแวร์ที่มีไฟ RGB แสดงผลไฟได้ละเอียดขึ้น ถ้านำไปใช้กับแรม ก็จะกินพลังงานน้อยลง หรือได้แรมแรงขึ้นด้วยบัสหรือค่าไทมิ่งที่กระชับขึ้น เพราะมีพลังงานเหลือไปใช้กับตัวแรมเอง ซึ่งผลิตภัณฑ์แรกที่จะได้นำ LED ชนิดนี้ไปใช้คือแรม DDR4 Dominator Platinum RGB ความเร็วสูงสุด 4800MHz และมี LED 12 ชุดต่อแผงที่สามารถตั้งค่าสีแยกกันได้ วางขายเดือนกุมภาพันธ์ปีนี้

3DCenter.org สื่อฮาร์ดแวร์ภาษาเยอรมันรายงานข้อมูลจาก DigiKey ผู้ค้าส่งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ว่า ราคาเม็ดแรม GDDR6 แบนด์วิดธ์ 14 Gbps ของ Micron ราคาสูงกว่า 70% เมื่อเทียบราคาเม็ดแรมชนิด GDDR5 8Gbps ในความจุเดียวกัน ซึ่งแรม GDDR6 ตอนนี้ถูกนำมาใช้แล้วบนการ์ดจอซีรีส์ GeForce RTX 20 ของ NVIDIA ในปัจจุบัน

ทั้งนี้ GDDR6 ยังมีเม็ดแรมอีกหลายสเปคทั้ง 12 และ 13 Gbps แต่ NVIDIA เลือกใช้แต่เม็ดแรม 14 Gbps เท่านั้น อาจเป็นสาเหตุที่ทำให้การ์ดรุ่นดังกล่าวตั้งราคาออกมาสูง สอดคล้องกับข่าวลือก่อนหน้าที่ว่าค่ายนี้จะออกมา RTX 2060 ที่จับกับแรม GDDR5 เพื่อราคาที่ย่อมเยากว่า

เสริม: มีผลเบนช์มาร์ก GeForce RTX 2060 หลุดออกมาก่อนวันเปิดตัวอย่างเป็นทางการวันที่ 7 มกราคม 2562 นี้ โดยจะวางตัวใกล้ๆ GeForce GTX 1070 Ti เดิม ในราคา 349 เหรียญสหรัฐฯ (ประมาณ 11,300 บาท) ไว้เปิดตัวแล้วเรามาดูกันละเอียดอีกทีครับ

Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา รองรับ 5G, AI และ UHD ใช้กระบวนการผลิตที่ 10nm

แรม LPDDR5 ขนาด 8GB มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 6,400 Mb/s เร็วขึ้น 1.5 เท่า จากแรม LPDDR4X ที่ให้อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 4,266Mb/s, สามารถส่งข้อมูล 51.2GB หรือวีดีโอ 14 ไฟล์ ความละเอียด Full HD ได้ใน 1 วินาที, มีสองแบนด์วิดท์ ได้แก่ 6,400 Mb/s ขนาดของแรงดันไฟฟ้า 1.1 โวลท์ และ 5,500Mb/s ที่ 1.05 โวลท์

นอกจากนี้ชิป LPDDR5 ยังมีโหมดที่เรียกว่า deep sleep mode ช่วยลดพลังงานให้กับอุปกรณ์พกพาได้ถึง 30% ลดลงครึ่งหนึ่งจาก idle mode ของ LPDDR4X

ส่วนการนำมาใช้จริงจะเริ่มกับมือถือรุ่นใดนั้้น คงต้องรอติดตามกันต่อไป ไม่แน่ว่าอาจเป็น Galaxy S10 ที่จะมาในปีหน้าก็ได้

บริษัท Samsung Electronics ประกาศเริ่มเดินสายการผลิต 32GB DDR4 RAM ในรูปแบบของ SoDIMM (small outline dual in-line memory module หรือ RAM ขนาดเล็กกว่าทั่วไป) ที่ระดับ 10nm โดยมุ่งเน้นประสิทธิภาพระดับพีซีบนแล็ปท็อป ด้วยการเพิ่มความจุและลดการใช้พลังงานลงจากเดิม เพื่อให้สามารถใช้งานแล็ปท็อปได้ยาวนานและมีประสิทธิมากยิ่งขึ้น

เรารู้กันดีว่าวิธีการที่สมองของคนเราสั่งการกล้ามเนื้อต่างๆ รวมทั้งรับข้อมูลจากประสาทรับรู้ ตลอดจนคิดและจดจำเรื่องราวทั้งหลายนั้น คือการส่งผ่านคลื่นสัญญาณไฟฟ้ารูปแบบหนึ่ง แน่นอนว่ามันย่อมมีความเป็นไปได้ว่าการส่งสัญญาณคลื่นไฟฟ้าด้วยวิธีและรูปแบบที่เหมาะสมย่อมสามารถเสริมการทำงานของสมองได้ ตัวอย่างหนึ่งที่เสริมข้อเท็จจริงเรื่องความเป็นไปได้ที่ว่านี้ คืองานวิจัยที่ DARPA ช่วยออกทุนสนับสนุนให้งานหนึ่ง

DARPA ต้องการหาทางช่วยเหลือทหารผ่านศึกที่สมองได้รับการกระทบกระเทือน หลายคนมีปัญหาในการใช้ชีวิตประจำวันเพราะหลงลืมอะไรต่างๆ ได้ง่าย งานวิจัยจึงมีขึ้นเพื่อหาทางช่วยแก้ปัญหาให้แก่วีรบุรุษผู้ผ่านสนามรบเหล่านี้ โดยการใช้คลื่นสัญญาณไฟฟ้ากระตุ้นเข้าไปที่สมอง ทำให้ความสามารถในการจำข้อมูลช่วงสั้นๆ ที่เรียกว่า "ความจำอาศัยเหตุการณ์" ดีขึ้นถึง 35%

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์รายงานผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 4 ของปี 2017 รายได้รวม 65.98 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 24% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน และมีกำไรสุทธิ 12.26 ล้านล้านวอน ซึ่งถือเป็นสถิติใหม่สูงสุดของบริษัทต่อเนื่องอีกไตรมาส

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเป็นธุรกิจหลักของซัมซุง ทั้งในแง่รายได้และกำไร โดยเฉพาะชิ้นส่วนหน่วยความจำ DRAM และ NAND ขณะที่ชิ้นส่วนหน้าจอภาพรวมยังคงเติบโตจาก OLED ที่มีการสั่งซื้อไปใช้กับสมาร์ทโฟนระดับบนเพิ่มขึ้น ส่วน LCD มีคำสั่งซื้อที่ลดลง

ซัมซุงประกาศว่าเตรียมเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR6 ในปริมาณมากสำหรับการ์ดจอแล้ว โดยชิปจะถูกผลิตบนสถาปัตยกรรม 10 นาโนเมตร ความเร็วในการส่งข้อมูล 18Gbps อัตราส่งข้อมูลสูงสุด 72Gbps ใช้แรงดันไฟฟ้า 1.35V

ซัมซุงระบุว่าประสิทธิภาพของแรม GDDR6 ช่วยให้การ์ดจอประมวลผลวิดีโอ, เกมและขุดเหมืองเร็วกว่า GDDR5X มาก โดยจะสามารถพบแรม GDDR6 ได้ในการ์ดจอรุ่นใหม่ที่จะเปิดตัวหลังจากนี้

ที่มา - ArsTechnica

ซัมซุงรายงานผลการดำเนินงานของไตรมาสที่ 3 ปี 2017 ซึ่งมีรายละเอียดเพิ่มเติมจากตัวเลขคาดการณ์เมื่อต้นเดือน โดยมีรายได้รวม 62.05 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 29.8% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน มีกำไรจากการดำเนินงาน 14.53 ล้านล้านวอน และมีกำไรสุทธิ 11.19 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 146% เนื่องจากปีที่แล้วกำไรลดลงมากจากปัญหา Galaxy Note 7

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเติบโตต่อเนื่องทุกไตรมาส และกลายมาเป็นธุรกิจหลักของซัมซุงไปแล้ว รายได้ส่วนนี้อยู่ที่ 28.02 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 38% เฉพาะธุรกิจหน่วยความจำเพิ่มขึ้นถึง 65% และชิ้นส่วนหน้าจอเพิ่มขึ้น 17% ขณะที่ธุรกิจโทรศัพท์รายได้เพิ่มขึ้น 23% เป็น 27.69 ล้านล้านวอน ซึ่งกำไรส่วนใหญ่ก็อยู่ที่ธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์

Samsung Electronics เตรียมลงทุนจำนวน 7 พันล้านดอลลาร์ในเวลา 3 ปีข้างหน้า เพื่อขยายกำลังการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ในเมืองซีอาน ประเทศจีน โดยตอนนี้ได้อนุมัติเงินจำนวน 2.3 พันล้านดอลลาร์แล้ว

ปัจจุบัน Samsung นั้นมีรายได้จากการผลิตคิดเป็น 38.3% ของรายได้จากการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ทั่วโลกในช่วงเดือนเมษายนถึงเดือนมิถุนายน โดยการลงทุนครั้งนี้ โฆษกของ Samsung Electronics ปฏิเสธที่จะให้ความเห็นเกี่ยวกับกำลังการผลิตที่จะเพิ่มขึ้นว่าจะเพิ่มขึ้นได้เท่าไร

ที่มา - Reuters

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

จากเหตุการณ์ Huawei P10/P10 Plus ใช้แรมและหน่วยความจำหลายชนิด รวมถึงเกิดความสงสัยว่า Mate 9 มีความเกี่ยวข้องกับเหตุการณ์ดังกล่าวด้วยหรือไม่ ล่าสุด Huawei ประเทศไทยได้แถลงผ่านหน้าเฟซบุ๊กของบริษัทแล้ว

Huawei ประเทศไทยระบุว่ามาตรฐาน UFS 2.1 และ 2.0 มีความเร็วเท่าเทียมกัน ระหว่าง 249.6 - 583.04 MB/s และใน Huawei Mate 9 เป็นไปตามมาตรฐาน UFS 2.1

ส่วนในรุ่น P10/P10 Plus ได้บอกเหมือนกับที่ Huawei ต่างประเทศได้แถลงมาก่อนหน้านี้ คือบริษัทฯ มีมาตรฐานในการเลือกใช้ชิ้นส่วนจากผู้ผลิตที่น่าเชื่อถือทั่วโลก เพื่อให้มีปริมาณการผลิตที่เพียงพอต่อความต้องการของผู้บริโภค พร้อมยืนยันว่าทั้ง P10/P10 Plus และ Mate 9 ใช้แรม LPDDR4 (โพสต์ต้นทางใช้คำว่า DDR4)

นอกจากนี้หากลูกค้ามีข้อสงสัย สามารถติดต่อศูนย์บริการลูกค้าที่ MBK Center ได้ระหว่างเวลา 10.30 - 19.30 น.

ที่มา - Facebook: Huawei Mobile

หนึ่งในสมาร์ทโฟนยอดฮิตในขณะนี้ย่อมหนีไม่พ้น Huawei P10 และ P10 Plus ที่เพิ่งเปิดตัวและวางจำหน่ายไปไม่นาน และก็มีข่าวว่าผู้ใช้พบว่าการทดสอบเบนช์มาร์กด้านความเร็วหน่วยความจำในหลายๆ เครื่องได้ผลต่างกันมาก ล่าสุด Huawei ออกมายอมรับแล้วว่า P10 และ P10 Plus ที่วางจำหน่ายอยู่จะมาพร้อมสเปกแรมและหน่วยความจำที่แตกต่างกันไป

Huawei ระบุว่าแรมของ P10 และ P10 Plus จะมีทั้งแบบ LPDDR3 และ LPDDR4 และหน่วยความจำจะมีทั้ง UFS 2.0, UFS 2.1 และ eMMC 5.1 เลยทีเดียว โดยแรม LPDDR3 และ LPDDR4 ตามสเปกแล้วมีแบนด์วิดท์ต่างกันถึงเท่าตัว คือ 12.8GB/s และ 25.6GB/s และใช้ไฟที่ 1.2 และ 1.1 โวลต์ตามลำดับ ส่วนหน่วยความจำ UFS 2.0 กับ 2.1 ไม่ค่อยต่างกัน แต่ทั้งสองแบบนั้นเร็วกว่า eMMC 5.1 อย่างมาก ตามตารางด้านล่าง