SK hynix เปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน LPDDR5T ที่แรงขึ้นจากแรม LPDDR5X รุ่นล่าสุดในปัจจุบันอีก 13%

LPDDR5T ย่อมาจาก Low Power Double Data Rate 5 Turbo เป็นแรมที่ต่อยอดจาก LPDDR5X โดยเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเป็น 9.6 Gbps หรือเพิ่มขึ้น 13% จาก 8.5 Gbps ของแรมรุ่นเดิม และน่าจะเป็นการอัพเกรดครั้งสุดท้ายก่อนขึ้นเลขใหม่เป็น LPDDR6 ในอนาคตต่อไป

จุดที่น่าสนใจคือ LPDDR5T เป็นสเปกที่ SK hynix พัฒนาขึ้นเอง ไม่ได้อิงกับมาตรฐานแรมของ JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) แต่ SK hynix ก็บอกว่าจะผลักดันให้เป็นมาตรฐานของ JEDEC ด้วย

กระทรวงพาณิชย์ของสหรัฐ เพิ่มบริษัทจีนอีก 36 แห่งในรายการควบคุม Entity List มีผลเรื่องจำกัดการทำการค้าระหว่างบริษัทสัญชาติสหรัฐกับบริษัทเหล่านี้ โดยให้เหตุผลว่าเป็นบริษัทที่เกี่ยวข้องกับกองทัพจีน

บริษัทสำคัญที่อยู่ในรายชื่อรอบนี้คือ Yangtze Memory Technologies หรือ YMTC บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของจีน (แบรนด์ในเครือคือ Zhitai) ซึ่งเป็นบริษัทที่ถูกรัฐบาลสหรัฐเพ่งเล็ง มาก่อนหน้านี้แล้ว

หลังจากมีสัญญาณว่าไปไม่รอดมาสักพักใหญ่ๆ แล้ว อินเทลก็ประกาศอย่างเป็นทางการว่ายุติธุรกิจหน่วยความจำ Optane ในงานแถลงผลประกอบการไตรมาสล่าสุด

Optane เป็นโครงการที่อินเทลร่วมกับ Micron ตั้งแต่ปี 2015 พัฒนาหน่วยความจำประเภท 3D XPoint ที่เร็วกว่าหน่วยความจำ NAND และใช้เป็นสตอเรจคั่นกลางระหว่างแรมกับ SSD แต่สุดท้ายก็ไปไม่รอด อินเทลหยุดขายสินค้าในปี 2021 ในขณะที่ Micron ขายโรงงานทิ้ง

อินเทลระบุสั้นๆ แค่ว่าจะยุติธุรกิจนี้ และลงบัญชีด้อยค่าสินทรัพย์สินค้ากลุ่ม Optane ที่เหลือเป็นมูลค่า 559 ล้านดอลลาร์

ผู้ใช้ทวิตเตอร์ @Emerald_x86 โพสต์ภาพโน้ตบุ๊กธุรกิจ Dell Precision 7670 รุ่นใหม่ของ Dell ที่ใช้สล็อตแรม DDR5 แบบใหม่เรียกว่า Compression Attached Memory Module (CAMM) ที่ Dell ออกแบบเอง

จุดเด่นของสล็อตแบบ CAMM เทียบกับสล็อต SO-DIMM ที่ใช้เป็นมาตรฐานแรมโน้ตบุ๊กในปัจจุบัน คือใช้พื้นที่ภายในเครื่องน้อยลง ชิปแรมถูกฝังมาข้างเดียวกันทั้งหมด (แรมปัจจุบันมีฝังสองด้าน) ช่วยให้ตัวเครื่องบางลง และเป็นทางเลือกที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับแรมแบบเชื่อมบนบอร์ดมาเลย

โรงงาน Kioxia (Toshiba เก่า) และ Western Digital ในเมือง Yokkaichi และ Kiakami ประเทศญี่ปุ่น พบปัญหาชิปความจำ 3D NAND ปนเปื้อนที่ยังไม่มีการชี้แจงสาเหตุจากบริษัท จนเสียหายกว่า 6.5EB (1EB = 1 ล้าน TB หรือ 1 พันล้าน GB) และต้องหยุดการผลิตชั่วคราว

บริษัทวิจัยตลาด TrendForce คาดว่าเหตุปนเปื้อนนี้อาจทำให้ราคาชิป 3D NAND สูงขึ้น 5-10% ทำให้อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำ เช่น SSD ที่ใช้ชิป 3D NAND เป็นส่วนประกอบ มีราคาสูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปีนี้

อินเทลประกาศความคืบหน้าการขายธุรกิจ NAND และ SSD ให้กับ SK hynix ที่ประกาศไว้เมื่อปี 2020 ว่าเสร็จสิ้นกระบวนการขั้นแรกแล้ว

สิ่งที่เกิดขึ้นคือ อินเทลขายธุรกิจ SSD และโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำ NAND ที่เมืองต้าเหลียน ประเทศจีน ให้กับ SK hynix ในราคา 7 พันล้านดอลลาร์ โดยอินเทลจะยังใช้บริการผลิต NAND ที่โรงงานแห่งนี้ต่อไป ส่วนธุรกิจ SSD จะกลายเป็นบริษัทใหม่ชื่อ Solidigm (ย่อมาจาก solid-state + paradigm) มีสถานะเป็นบริษัทลูกของ SK hynix และ Robery Crooke หัวหน้าฝ่ายหน่วยความจำของอินเทลจะขึ้นเป็นซีอีโอของบริษัทแห่งนี้

หลัง Intel เตรียมออกซีพียู Intel Core 12th Gen เมนบอร์ดรุ่นใหม่ที่เตรียมรองรับซีพียูเจ็นใหม่นี้ เริ่มมาพร้อมกับการรองรับแรมแบบ DDR5 แล้ว แต่ปัญหาคือชิ้นส่วนบางอย่างของแรม DDR5 เช่น วงจรจัดการพลังงาน (power management IC) และโมดูลคุมแรงดันไฟฟ้า (voltage regulating module) ที่ไปรวมอยู่บนแรม DDR5 เริ่มหายากขึ้น ทำให้แรมอาจจะมีราคาแพงขึ้น และหาซื้อได้ยากอีกครั้ง

Reuters รายงานว่าสงครามการค้าระหว่างสหรัฐและจีน บวกกับปัญหาชิปขาดตลาดทั่วโลก ส่งผลสะเทือนต่อโรงงานผลิตชิปในประเทศจีน ไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตบางอย่างได้แล้ว

บริษัทในข่าวคือ SK Hynix บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลีใต้ ที่มีโรงงานอยู่ที่เมืองอู๋ซี (Wuxi) ประเทศจีน ไม่สามารถซื้อเครื่อง extreme ultraviolet lithography (EUV) จากบริษัทเนเธอร์แลนด์ ASML เพื่อใช้ในการผลิตชิปที่ขนาดเล็กมากๆ ได้มาหลายปีแล้ว

การโจมตีแรมแบบ Rowhammer เป็นช่องโหว่ที่ทีม Project Zero ของกูเกิลสาธิตมาตั้งแต่ปี 2015 โดยอาศัยการเปลี่ยนค่าในหน่วยความจำซ้ำๆ จนกระทั่งหน่วยความจำแถว "ข้างๆ" นั้นเปลี่ยนค่าไปด้วย และหลังมีรายงานออกมาผู้ผลิตแรมก็พยายามเพิ่มกระบวนการป้องกันการเปลี่ยนข้อมูลเช่นนี้ ล่าสุดทีมวิจัย COMSEC จากมหาวิทยาลัย ETH Zürich ก็ประสบความสำเร็จในการโจมตีแบบ Blacksmith ที่พัฒนาเทคนิคต่อจาก Rowhammer จนเปลี่ยนค่าในแรมได้แทบทุกยี่ห้อในตลาด

Samsung เปิดตัว DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5X หรือ LPDDR5X แบบ 16Gb เป็นครั้งแรกของวงการชิปความจำ ผลิตด้วยกระบวนการขนาด 14 นาโนเมตร (nm) และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับการทำงานที่ต้องใช้หน่วยความจำความเร็วสูง เช่นการทำงานกับข้อมูลที่ส่งผ่าน 5G การทำงานกับปัญญาประดิษฐ์, AR และ metaverse

แรม LPDDR5X ของ Samsung ใส่แรมได้สูงสุด 64GB ต่อหนึ่งแพ็กเกจหน่วยความจำ มีความเร็วประมวลผลอยู่ที่ 8.5 Gbps (กิกะบิตต่อวินาที) เร็วกว่า 6.4 Gbps ของ LPDDR5 ถึง 1.3 เท่าตัว และใช้พลังงานน้อยกว่าราว 20% จากการลดขนาดกระบวนการผลิตไปอยู่ที่ 14 นาโนเมตร

Kingston ระบุว่าแรม DDR5 UDIMM กลุ่มแรกที่กำลังจะเปิดตัวในปีหน้า ได้รับการรับรองจาก Intel Platform Validation แล้ว และได้จัดส่งตัวอย่างแรม DDR5 UDIMM กว่า 10,000 ชิ้น ให้ผู้ผลิตเมนบอร์ด เพื่อเตรียมรองรับแรม DDR5 เมื่อวางจำหน่ายเรียบร้อยแล้ว

แรม DDR5 UDIMM ชุดแรกของ Kingston มี 2 ความจุ คือ 16GB และ 32GB ความเร็ว 4800MHz และใช้ไฟ 1.1V รหัส KVR48U40BS8-16 และ KVR48U40BD8-32 ตามลำดับ

Wall Street Journal รายงานข่าววงในว่า Western Digital กำลังเจรจาเพื่อควบรวมกับ Kioxia บริษัทหน่วยความจำของญี่ปุ่นที่รีแบรนด์มาจาก Toshiba Memory เดิม ปัจจุบัน Toshiba ถือหุ้นราว 40% ส่วนที่เหลือเป็นของบริษัทลงทุน Bain Capital

หากการเจรจาสำเร็จ บริษัทใหม่จะมีมูลค่า 2 หมื่นล้านดอลลาร์ โดย David Goeckeler ซีอีโอของ Western Digital จะนั่งเป็นซีอีโอของบริษัทใหม่

ผู้นำตลาดหน่วยความจำในปัจจุบันคือซัมซุง มีส่วนแบ่งตลาด NAND ประมาณ 1/3 ส่วน Kioxia มี 19% และ Western Digital มี 15% ซึ่งถ้าสองบริษัทนี้ควบรวมกันได้ก็จะมีส่วนแบ่งตลาดแซงหน้าซัมซุง

ซัมซุงเปิดข้อมูลโมดูลแรม DDR5-7200 ที่ความจุสูงสุด 512GB มากกว่าโมดูลแรมใหญ่สุดทุกวันนี้ที่มีขายไม่เกิน 256GB อย่างไรก็ดี สเปค DDR5-7200 ที่ควรจะกำหนดโดย JEDEC นั้นยังไม่นิ่งทำให้ไม่แน่ชัดว่าซีพียูหรือเมนบอร์ดตัวไหนจะรองรับโมดูลแรมนี้บ้าง

ความพิเศษของโมดูลแรมใหม่นี้คือซัมซุงซ้อนชิปเข้าด้วยกันถึง 8 ชั้นและยังมีความหนาโดยรวมของแพ็กเกจเพียง 1 มิลลิเมตรเท่านั้น ตัวชิปแรมมีระบบแก้ไขความผิดพลาดในตัวชิป (on-die ECC) เพื่อช่วยเพิ่มผลผลิตจากโรงงาน (เพราะชิปยังใช้งานได้แม้มีความผิดพลาดบางบิต) เทคนิคนี้ทำให้อัตราข้อมูลผิดพลาดลดลงถึง 1 ล้านเท่า ชดเชยความผิดพลาดที่มากขึ้นจากการลดขนาดวงจร

คาดว่าโมดูลแรมแบบ 512GB จะเริ่มผลิตเป็นจำนวนมากได้ภายในสิ้นปีนี้

Micron ประกาศขายโรงงานผลิตหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลเป็น Optane (ประกาศเลิกทำเมื่อต้นปี) ให้กับ Texas Instrument แล้ว ถือเป็นการปิดฉากการลงทุนในหน่วยความจำ non-volatile memory ที่ล้มเหลวของ Micron

ฝั่งของอินเทลยังไม่มีท่าทีชัดเจนว่าจะเอายังไงกับ Optane ต่อไป แต่เมื่อหน่วยความจำที่ใช้ใน Optane ต้องผลิตจากโรงงานของ Micron ก็ไม่น่าจะไปต่อได้ง่ายนัก

โรงงานผลิตหน่วยความจำแห่งนี้อยู่ที่เมือง Lehi ในรัฐ Utah ของสหรัฐ มูลค่าการขายกิจการรวมทั้งหมด 1.5 พันล้านดอลลาร์ แบ่งเป็นเงินสด 900 ล้านดอลลาร์ และการตีมูลค่าจากเครื่องมือและทรัพย์สินต่างๆ อีก 600 ล้านดอลลาร์

ผู้ผลิตน่าจะรับรู้ปัญหานี้อยู่แล้ว แต่เลือกที่จะไม่เปิดเผยโดยหวังว่าน่าจะไม่มีใครรู้

Jarrod'sTech สังเกตเห็นความผิดปกติ และ Linus Tech Tip ได้นำมาทดสอบและนำเสนอผ่าน youtube คลิป "วิถีสกปรกที่ผู้ผลิตใช้ในการดาวน์เกรดพีซีของคุณ"

Linus ได้เอาโนตบุค 2 เครื่องที่สเปค RAM คล้ายๆกัน คือ 16 gigabytes, 3200 megahertz, DDR4.
แต่เครื่องหนึ่งเป็น AMD ส่วนอีกเครื่องเป็น Intel สเปคดังนี้

เครื่อง AMD ราคา 1650 ดอลลาร์
ASUS Strix G15 Advantage edition
AMD Ryzen 9 5900HX 8-Core + Radeon RX 6800M

เคื่อง Intel ราคา 2400 ดอลลาร์
Gigabyte Aorus 15G
Intel i7 11800H + NVIDIA GeForce NRTX 3080

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

บริษัทหน่วยความจำ Micron Technology ประกาศหยุดพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลมาตั้งแต่ปี 2015 และใช้เป็นหน่วยความจำสำหรับ Intel Optane

3D XPoint เป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile memory (NVM ปิดไฟแล้วข้อมูลยังอยู่) ที่มีตำแหน่งทางการตลาดอยู่ระหว่างแรมแบบ DRAM และสตอเรจแบบ Flash (เร็วกว่า Flash แต่ถูกกว่า DRAM) ซึ่งอินเทลนำมาพัฒนาเป็นผลิตภัณฑ์ตระกูล Optane ที่นำไปคั่นตรงกลางระหว่างแรมกับสตอเรจ ส่วน Micron เคยออก SSD มาตัวเดียวคือ X100

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก (อย่าสับสนกับแรม GDDR5 ของการ์ดจอ ซึ่งพัฒนาจาก DDR3 และตอนนี้อัพเกรดไปเป็น GDDR6X แล้ว)

จากสเปกของแรม DDR5 มีอัตราการส่งข้อมูล 3200-6400 Mbps เพิ่มขึ้น 2 เท่าจาก DDR4 (1600-3200 Mbps) ส่วน SK hynix ระบุว่าแรมของตัวเองทำได้ที่ 4800-5600 Mbps หรือเพิ่มขึ้นราว 1.8 เท่า นอกจากนี้ยังทำงานที่ 1.1V ลดลงจาก 1.2V ของ DDR4 เล็กน้อย ช่วยให้ประหยัดพลังงานลงจากเดิม 20%

ฟีเจอร์อื่นของ SK hynix DDR5 คือมีตัวแก้ไขข้อมูลผิดพลาดหรือ Error Correcting Code (ECC) อยู่ในตัวชิปโดยตรง บริษัทระบุว่าสามารถผลิตแรมที่มีขนาดสูงสุด 256GB

SK hynix ประเมินว่าเราจะเห็นยอดขายแรม DDR5 คิดเป็นสัดส่วน 10% ของแรมที่ขายในปี 2021 และจะเพิ่มเป็น 43% ในปี 2024

ไมครอนแถลงข่าวแสดงประสิทธิภาพของแรม GDDR6X ที่ใช้ในการ์ดจอ Nvidia ตระกูล RTX 3000 ว่าเป็นองค์ประกอบสำคัญที่ทำให้การ์ดจอรุ่นใหม่ของ Nvidia มีแบนด์วิดท์สูงขึ้นมากจนรับมือกับภาพระดับ 4K ได้ดีขึ้น จากการส่งข้อมูลแบบ PAM4 (4-level pulse amplitude modulation)

Strategy Analytics เปิดเผยว่า Samsung ยังคงครองส่วนแบ่งตลาดชิปหน่วยความจำมือถือมากที่สุดในไตรมาสแรกของปีนี้ ที่มีมูลค่ารวมทั้งหมด 9.4 พันล้านเหรียญ โดยมีส่วนแบ่งตลาดถึง 50% ตามมาด้วยบริษัท SK Hynix และ Micron เป็นอันดับสองและสาม โดยสามบริษัทนี้รวมกัน ครองส่วนแบ่งตลาดถึง 84%

เมื่อแยกเป็นตลาดชิปแบบ NAND ฝั่ง Samsung Memory ครองส่วนแบ่ง 43.8% ตามมาด้วย Kioxia ที่ 21% และ SK Hynix ที่ 16% ภาพรวมของตลาดเติบโตขึ้น 4% จากไตรมาสเดียวกันในปีที่แล้ว จากราคาของชิป NAND ที่ทรงตัวขึ้น บวกกับอุปสงค์ที่เพิ่มขึ้นของชิปหน่วยความจำประเภทแฟลช

นอกจากชิปเซ็ตสมาร์ทโฟนที่ Huawei กำลังหาทางหนีทีไล่หลังถูกรัฐบาลสหรัฐบีบ ยังมีเรื่องของชิปเมมโมรี่ที่มีรายงานว่า Huawei กำลังพูดคุยอยู่กับ Samsung และ SK Hynix ผู้ผลิต 2 ค่ายเกาหลีเพื่อซัพพลายชิปให้ในระยะยาว

Huawei เป็นลูกค้า Samsung กับ SK Hynix สำหรับการสั่งชิปแฟลช NAND และ DRAM อยู่แล้วด้วยมูลค่าราว ๆ 8.1 พันล้านเหรียญทุกปี ขณะที่การพูดคุยครั้งนี้ก็เพื่อทำให้ซัพพลายเชนของตัวเองมีความหลากหลายมากขึ้น

ที่มา - Huawei Central

ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

อินเทลนำ Intel® Optane™ DC Persistent Memory รุ่นใหม่เวอร์ชั่นต้นแบบมาโชว์ประสิทธิภาพในวัน Intel Memory and Storage Day ที่กรุงโซล ประเทศเกาหลีใต้ โดยเจ้า NV Storage รุ่นต้นแบบนี้แม้ทาง Intel จะนำมาแสดงแค่ช่องเดียว (Single Channel) แต่ก็ยังส่งข้อมูลได้เร็วมากจนน่าทึ่ง

ความเร็วที่ Intel Optane DC Persistent รุ่นต้นแบบทำได้ ในส่วนของ SEQ1M จะทำความเร็วอ่านได้ที่ 3,634.80 MB/s เขียนที่ 1,803.37 MB/s ส่วน Random 4K (IOPS) นั้น ทำคะแนน Read ได้ถึง 437,539 IOPS และ Write ที่ 471,482 IOPS ทีเดียว

Toshiba Memory ธุรกิจหน่วยความจำของ Toshiba ที่แยกบริษัทออกมาในปี 2017 (ขายให้กลุ่มทุน Bain Capital) ประกาศรีแบรนด์ตัวเองใหม่ชื่อ Kioxia (อ่านว่า kee-ox-ee-uh) มีผลวันที่ 1 ตุลาคม 2019

ที่มาของชื่อ Kioxia มาจากคำว่า kioku ในภาษาญี่ปุ่นที่แปลว่า "memory" และคำว่า axia ในภาษากรีกที่แปลว่า "value" โดยวิสัยทัศน์ของบริษัทใหม่คือ Uplifting the world with “memory”

ตอนนี้ยังไม่มีโลโก้ของ Kioxia ออกมาให้ดูกัน และยังไม่มีข้อมูลว่าแรมหรือสินค้าอื่นๆ ของ Kioxia จะรีแบรนด์ไปใช้ชื่อใหม่ หรือยังใช้ชื่อ Toshiba ทำตลาดเหมือนเดิม

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น