Tags:
Node Thumbnail

SK hynix เปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน LPDDR5T ที่แรงขึ้นจากแรม LPDDR5X รุ่นล่าสุดในปัจจุบันอีก 13%

LPDDR5T ย่อมาจาก Low Power Double Data Rate 5 Turbo เป็นแรมที่ต่อยอดจาก LPDDR5X โดยเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเป็น 9.6 Gbps หรือเพิ่มขึ้น 13% จาก 8.5 Gbps ของแรมรุ่นเดิม และน่าจะเป็นการอัพเกรดครั้งสุดท้ายก่อนขึ้นเลขใหม่เป็น LPDDR6 ในอนาคตต่อไป

จุดที่น่าสนใจคือ LPDDR5T เป็นสเปกที่ SK hynix พัฒนาขึ้นเอง ไม่ได้อิงกับมาตรฐานแรมของ JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) แต่ SK hynix ก็บอกว่าจะผลักดันให้เป็นมาตรฐานของ JEDEC ด้วย

Tags:
Node Thumbnail

กระทรวงพาณิชย์ของสหรัฐ เพิ่มบริษัทจีนอีก 36 แห่งในรายการควบคุม Entity List มีผลเรื่องจำกัดการทำการค้าระหว่างบริษัทสัญชาติสหรัฐกับบริษัทเหล่านี้ โดยให้เหตุผลว่าเป็นบริษัทที่เกี่ยวข้องกับกองทัพจีน

บริษัทสำคัญที่อยู่ในรายชื่อรอบนี้คือ Yangtze Memory Technologies หรือ YMTC บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของจีน (แบรนด์ในเครือคือ Zhitai) ซึ่งเป็นบริษัทที่ถูกรัฐบาลสหรัฐเพ่งเล็ง มาก่อนหน้านี้แล้ว

Tags:
Node Thumbnail

หลังจากมีสัญญาณว่าไปไม่รอดมาสักพักใหญ่ๆ แล้ว อินเทลก็ประกาศอย่างเป็นทางการว่ายุติธุรกิจหน่วยความจำ Optane ในงานแถลงผลประกอบการไตรมาสล่าสุด

Optane เป็นโครงการที่อินเทลร่วมกับ Micron ตั้งแต่ปี 2015 พัฒนาหน่วยความจำประเภท 3D XPoint ที่เร็วกว่าหน่วยความจำ NAND และใช้เป็นสตอเรจคั่นกลางระหว่างแรมกับ SSD แต่สุดท้ายก็ไปไม่รอด อินเทลหยุดขายสินค้าในปี 2021 ในขณะที่ Micron ขายโรงงานทิ้ง

อินเทลระบุสั้นๆ แค่ว่าจะยุติธุรกิจนี้ และลงบัญชีด้อยค่าสินทรัพย์สินค้ากลุ่ม Optane ที่เหลือเป็นมูลค่า 559 ล้านดอลลาร์

Tags:
Node Thumbnail

ผู้ใช้ทวิตเตอร์ @Emerald_x86 โพสต์ภาพโน้ตบุ๊กธุรกิจ Dell Precision 7670 รุ่นใหม่ของ Dell ที่ใช้สล็อตแรม DDR5 แบบใหม่เรียกว่า Compression Attached Memory Module (CAMM) ที่ Dell ออกแบบเอง

จุดเด่นของสล็อตแบบ CAMM เทียบกับสล็อต SO-DIMM ที่ใช้เป็นมาตรฐานแรมโน้ตบุ๊กในปัจจุบัน คือใช้พื้นที่ภายในเครื่องน้อยลง ชิปแรมถูกฝังมาข้างเดียวกันทั้งหมด (แรมปัจจุบันมีฝังสองด้าน) ช่วยให้ตัวเครื่องบางลง และเป็นทางเลือกที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับแรมแบบเชื่อมบนบอร์ดมาเลย

Tags:
Node Thumbnail

โรงงาน Kioxia (Toshiba เก่า) และ Western Digital ในเมือง Yokkaichi และ Kiakami ประเทศญี่ปุ่น พบปัญหาชิปความจำ 3D NAND ปนเปื้อนที่ยังไม่มีการชี้แจงสาเหตุจากบริษัท จนเสียหายกว่า 6.5EB (1EB = 1 ล้าน TB หรือ 1 พันล้าน GB) และต้องหยุดการผลิตชั่วคราว

บริษัทวิจัยตลาด TrendForce คาดว่าเหตุปนเปื้อนนี้อาจทำให้ราคาชิป 3D NAND สูงขึ้น 5-10% ทำให้อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำ เช่น SSD ที่ใช้ชิป 3D NAND เป็นส่วนประกอบ มีราคาสูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปีนี้

Tags:
Node Thumbnail

อินเทลประกาศความคืบหน้าการขายธุรกิจ NAND และ SSD ให้กับ SK hynix ที่ประกาศไว้เมื่อปี 2020 ว่าเสร็จสิ้นกระบวนการขั้นแรกแล้ว

สิ่งที่เกิดขึ้นคือ อินเทลขายธุรกิจ SSD และโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำ NAND ที่เมืองต้าเหลียน ประเทศจีน ให้กับ SK hynix ในราคา 7 พันล้านดอลลาร์ โดยอินเทลจะยังใช้บริการผลิต NAND ที่โรงงานแห่งนี้ต่อไป ส่วนธุรกิจ SSD จะกลายเป็นบริษัทใหม่ชื่อ Solidigm (ย่อมาจาก solid-state + paradigm) มีสถานะเป็นบริษัทลูกของ SK hynix และ Robery Crooke หัวหน้าฝ่ายหน่วยความจำของอินเทลจะขึ้นเป็นซีอีโอของบริษัทแห่งนี้

Tags:
Node Thumbnail

หลัง Intel เตรียมออกซีพียู Intel Core 12th Gen เมนบอร์ดรุ่นใหม่ที่เตรียมรองรับซีพียูเจ็นใหม่นี้ เริ่มมาพร้อมกับการรองรับแรมแบบ DDR5 แล้ว แต่ปัญหาคือชิ้นส่วนบางอย่างของแรม DDR5 เช่น วงจรจัดการพลังงาน (power management IC) และโมดูลคุมแรงดันไฟฟ้า (voltage regulating module) ที่ไปรวมอยู่บนแรม DDR5 เริ่มหายากขึ้น ทำให้แรมอาจจะมีราคาแพงขึ้น และหาซื้อได้ยากอีกครั้ง

Tags:
Node Thumbnail

Reuters รายงานว่าสงครามการค้าระหว่างสหรัฐและจีน บวกกับปัญหาชิปขาดตลาดทั่วโลก ส่งผลสะเทือนต่อโรงงานผลิตชิปในประเทศจีน ไม่สามารถเข้าถึงเทคโนโลยีการผลิตบางอย่างได้แล้ว

บริษัทในข่าวคือ SK Hynix บริษัทผลิตหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลีใต้ ที่มีโรงงานอยู่ที่เมืองอู๋ซี (Wuxi) ประเทศจีน ไม่สามารถซื้อเครื่อง extreme ultraviolet lithography (EUV) จากบริษัทเนเธอร์แลนด์ ASML เพื่อใช้ในการผลิตชิปที่ขนาดเล็กมากๆ ได้มาหลายปีแล้ว

Tags:
Node Thumbnail

การโจมตีแรมแบบ Rowhammer เป็นช่องโหว่ที่ทีม Project Zero ของกูเกิลสาธิตมาตั้งแต่ปี 2015 โดยอาศัยการเปลี่ยนค่าในหน่วยความจำซ้ำๆ จนกระทั่งหน่วยความจำแถว "ข้างๆ" นั้นเปลี่ยนค่าไปด้วย และหลังมีรายงานออกมาผู้ผลิตแรมก็พยายามเพิ่มกระบวนการป้องกันการเปลี่ยนข้อมูลเช่นนี้ ล่าสุดทีมวิจัย COMSEC จากมหาวิทยาลัย ETH Zürich ก็ประสบความสำเร็จในการโจมตีแบบ Blacksmith ที่พัฒนาเทคนิคต่อจาก Rowhammer จนเปลี่ยนค่าในแรมได้แทบทุกยี่ห้อในตลาด

Tags:
Node Thumbnail

Samsung เปิดตัว DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5X หรือ LPDDR5X แบบ 16Gb เป็นครั้งแรกของวงการชิปความจำ ผลิตด้วยกระบวนการขนาด 14 นาโนเมตร (nm) และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับการทำงานที่ต้องใช้หน่วยความจำความเร็วสูง เช่นการทำงานกับข้อมูลที่ส่งผ่าน 5G การทำงานกับปัญญาประดิษฐ์, AR และ metaverse

แรม LPDDR5X ของ Samsung ใส่แรมได้สูงสุด 64GB ต่อหนึ่งแพ็กเกจหน่วยความจำ มีความเร็วประมวลผลอยู่ที่ 8.5 Gbps (กิกะบิตต่อวินาที) เร็วกว่า 6.4 Gbps ของ LPDDR5 ถึง 1.3 เท่าตัว และใช้พลังงานน้อยกว่าราว 20% จากการลดขนาดกระบวนการผลิตไปอยู่ที่ 14 นาโนเมตร

Tags:
Node Thumbnail

Kingston ระบุว่าแรม DDR5 UDIMM กลุ่มแรกที่กำลังจะเปิดตัวในปีหน้า ได้รับการรับรองจาก Intel Platform Validation แล้ว และได้จัดส่งตัวอย่างแรม DDR5 UDIMM กว่า 10,000 ชิ้น ให้ผู้ผลิตเมนบอร์ด เพื่อเตรียมรองรับแรม DDR5 เมื่อวางจำหน่ายเรียบร้อยแล้ว

แรม DDR5 UDIMM ชุดแรกของ Kingston มี 2 ความจุ คือ 16GB และ 32GB ความเร็ว 4800MHz และใช้ไฟ 1.1V รหัส KVR48U40BS8-16 และ KVR48U40BD8-32 ตามลำดับ

Tags:
Node Thumbnail

Wall Street Journal รายงานข่าววงในว่า Western Digital กำลังเจรจาเพื่อควบรวมกับ Kioxia บริษัทหน่วยความจำของญี่ปุ่นที่รีแบรนด์มาจาก Toshiba Memory เดิม ปัจจุบัน Toshiba ถือหุ้นราว 40% ส่วนที่เหลือเป็นของบริษัทลงทุน Bain Capital

หากการเจรจาสำเร็จ บริษัทใหม่จะมีมูลค่า 2 หมื่นล้านดอลลาร์ โดย David Goeckeler ซีอีโอของ Western Digital จะนั่งเป็นซีอีโอของบริษัทใหม่

ผู้นำตลาดหน่วยความจำในปัจจุบันคือซัมซุง มีส่วนแบ่งตลาด NAND ประมาณ 1/3 ส่วน Kioxia มี 19% และ Western Digital มี 15% ซึ่งถ้าสองบริษัทนี้ควบรวมกันได้ก็จะมีส่วนแบ่งตลาดแซงหน้าซัมซุง

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงเปิดข้อมูลโมดูลแรม DDR5-7200 ที่ความจุสูงสุด 512GB มากกว่าโมดูลแรมใหญ่สุดทุกวันนี้ที่มีขายไม่เกิน 256GB อย่างไรก็ดี สเปค DDR5-7200 ที่ควรจะกำหนดโดย JEDEC นั้นยังไม่นิ่งทำให้ไม่แน่ชัดว่าซีพียูหรือเมนบอร์ดตัวไหนจะรองรับโมดูลแรมนี้บ้าง

ความพิเศษของโมดูลแรมใหม่นี้คือซัมซุงซ้อนชิปเข้าด้วยกันถึง 8 ชั้นและยังมีความหนาโดยรวมของแพ็กเกจเพียง 1 มิลลิเมตรเท่านั้น ตัวชิปแรมมีระบบแก้ไขความผิดพลาดในตัวชิป (on-die ECC) เพื่อช่วยเพิ่มผลผลิตจากโรงงาน (เพราะชิปยังใช้งานได้แม้มีความผิดพลาดบางบิต) เทคนิคนี้ทำให้อัตราข้อมูลผิดพลาดลดลงถึง 1 ล้านเท่า ชดเชยความผิดพลาดที่มากขึ้นจากการลดขนาดวงจร

คาดว่าโมดูลแรมแบบ 512GB จะเริ่มผลิตเป็นจำนวนมากได้ภายในสิ้นปีนี้

Tags:
Node Thumbnail

Micron ประกาศขายโรงงานผลิตหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลเป็น Optane (ประกาศเลิกทำเมื่อต้นปี) ให้กับ Texas Instrument แล้ว ถือเป็นการปิดฉากการลงทุนในหน่วยความจำ non-volatile memory ที่ล้มเหลวของ Micron

ฝั่งของอินเทลยังไม่มีท่าทีชัดเจนว่าจะเอายังไงกับ Optane ต่อไป แต่เมื่อหน่วยความจำที่ใช้ใน Optane ต้องผลิตจากโรงงานของ Micron ก็ไม่น่าจะไปต่อได้ง่ายนัก

โรงงานผลิตหน่วยความจำแห่งนี้อยู่ที่เมือง Lehi ในรัฐ Utah ของสหรัฐ มูลค่าการขายกิจการรวมทั้งหมด 1.5 พันล้านดอลลาร์ แบ่งเป็นเงินสด 900 ล้านดอลลาร์ และการตีมูลค่าจากเครื่องมือและทรัพย์สินต่างๆ อีก 600 ล้านดอลลาร์

Tags:
Node Thumbnail

ผู้ผลิตน่าจะรับรู้ปัญหานี้อยู่แล้ว แต่เลือกที่จะไม่เปิดเผยโดยหวังว่าน่าจะไม่มีใครรู้

Jarrod'sTech สังเกตเห็นความผิดปกติ และ Linus Tech Tip ได้นำมาทดสอบและนำเสนอผ่าน youtube คลิป "วิถีสกปรกที่ผู้ผลิตใช้ในการดาวน์เกรดพีซีของคุณ"

Linus ได้เอาโนตบุค 2 เครื่องที่สเปค RAM คล้ายๆกัน คือ 16 gigabytes, 3200 megahertz, DDR4.
แต่เครื่องหนึ่งเป็น AMD ส่วนอีกเครื่องเป็น Intel สเปคดังนี้

เครื่อง AMD ราคา 1650 ดอลลาร์
ASUS Strix G15 Advantage edition
AMD Ryzen 9 5900HX 8-Core + Radeon RX 6800M

เคื่อง Intel ราคา 2400 ดอลลาร์
Gigabyte Aorus 15G
Intel i7 11800H + NVIDIA GeForce NRTX 3080

Tags:
Node Thumbnail

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

Tags:
Node Thumbnail

บริษัทหน่วยความจำ Micron Technology ประกาศหยุดพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3D XPoint ที่ร่วมพัฒนากับอินเทลมาตั้งแต่ปี 2015 และใช้เป็นหน่วยความจำสำหรับ Intel Optane

3D XPoint เป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile memory (NVM ปิดไฟแล้วข้อมูลยังอยู่) ที่มีตำแหน่งทางการตลาดอยู่ระหว่างแรมแบบ DRAM และสตอเรจแบบ Flash (เร็วกว่า Flash แต่ถูกกว่า DRAM) ซึ่งอินเทลนำมาพัฒนาเป็นผลิตภัณฑ์ตระกูล Optane ที่นำไปคั่นตรงกลางระหว่างแรมกับสตอเรจ ส่วน Micron เคยออก SSD มาตัวเดียวคือ X100

Tags:
Node Thumbnail

SK hynix เปิดตัวแรม DDR5 รุ่นแรกของโลก (อย่าสับสนกับแรม GDDR5 ของการ์ดจอ ซึ่งพัฒนาจาก DDR3 และตอนนี้อัพเกรดไปเป็น GDDR6X แล้ว)

จากสเปกของแรม DDR5 มีอัตราการส่งข้อมูล 3200-6400 Mbps เพิ่มขึ้น 2 เท่าจาก DDR4 (1600-3200 Mbps) ส่วน SK hynix ระบุว่าแรมของตัวเองทำได้ที่ 4800-5600 Mbps หรือเพิ่มขึ้นราว 1.8 เท่า นอกจากนี้ยังทำงานที่ 1.1V ลดลงจาก 1.2V ของ DDR4 เล็กน้อย ช่วยให้ประหยัดพลังงานลงจากเดิม 20%

ฟีเจอร์อื่นของ SK hynix DDR5 คือมีตัวแก้ไขข้อมูลผิดพลาดหรือ Error Correcting Code (ECC) อยู่ในตัวชิปโดยตรง บริษัทระบุว่าสามารถผลิตแรมที่มีขนาดสูงสุด 256GB

SK hynix ประเมินว่าเราจะเห็นยอดขายแรม DDR5 คิดเป็นสัดส่วน 10% ของแรมที่ขายในปี 2021 และจะเพิ่มเป็น 43% ในปี 2024

Tags:
Node Thumbnail

ไมครอนแถลงข่าวแสดงประสิทธิภาพของแรม GDDR6X ที่ใช้ในการ์ดจอ Nvidia ตระกูล RTX 3000 ว่าเป็นองค์ประกอบสำคัญที่ทำให้การ์ดจอรุ่นใหม่ของ Nvidia มีแบนด์วิดท์สูงขึ้นมากจนรับมือกับภาพระดับ 4K ได้ดีขึ้น จากการส่งข้อมูลแบบ PAM4 (4-level pulse amplitude modulation)

Tags:
Node Thumbnail

Strategy Analytics เปิดเผยว่า Samsung ยังคงครองส่วนแบ่งตลาดชิปหน่วยความจำมือถือมากที่สุดในไตรมาสแรกของปีนี้ ที่มีมูลค่ารวมทั้งหมด 9.4 พันล้านเหรียญ โดยมีส่วนแบ่งตลาดถึง 50% ตามมาด้วยบริษัท SK Hynix และ Micron เป็นอันดับสองและสาม โดยสามบริษัทนี้รวมกัน ครองส่วนแบ่งตลาดถึง 84%

เมื่อแยกเป็นตลาดชิปแบบ NAND ฝั่ง Samsung Memory ครองส่วนแบ่ง 43.8% ตามมาด้วย Kioxia ที่ 21% และ SK Hynix ที่ 16% ภาพรวมของตลาดเติบโตขึ้น 4% จากไตรมาสเดียวกันในปีที่แล้ว จากราคาของชิป NAND ที่ทรงตัวขึ้น บวกกับอุปสงค์ที่เพิ่มขึ้นของชิปหน่วยความจำประเภทแฟลช

Tags:
Node Thumbnail

นอกจากชิปเซ็ตสมาร์ทโฟนที่ Huawei กำลังหาทางหนีทีไล่หลังถูกรัฐบาลสหรัฐบีบ ยังมีเรื่องของชิปเมมโมรี่ที่มีรายงานว่า Huawei กำลังพูดคุยอยู่กับ Samsung และ SK Hynix ผู้ผลิต 2 ค่ายเกาหลีเพื่อซัพพลายชิปให้ในระยะยาว

Huawei เป็นลูกค้า Samsung กับ SK Hynix สำหรับการสั่งชิปแฟลช NAND และ DRAM อยู่แล้วด้วยมูลค่าราว ๆ 8.1 พันล้านเหรียญทุกปี ขณะที่การพูดคุยครั้งนี้ก็เพื่อทำให้ซัพพลายเชนของตัวเองมีความหลากหลายมากขึ้น

ที่มา - Huawei Central

Tags:
Node Thumbnail

ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

Tags:
Node Thumbnail

อินเทลนำ Intel® Optane™ DC Persistent Memory รุ่นใหม่เวอร์ชั่นต้นแบบมาโชว์ประสิทธิภาพในวัน Intel Memory and Storage Day ที่กรุงโซล ประเทศเกาหลีใต้ โดยเจ้า NV Storage รุ่นต้นแบบนี้แม้ทาง Intel จะนำมาแสดงแค่ช่องเดียว (Single Channel) แต่ก็ยังส่งข้อมูลได้เร็วมากจนน่าทึ่ง

ความเร็วที่ Intel Optane DC Persistent รุ่นต้นแบบทำได้ ในส่วนของ SEQ1M จะทำความเร็วอ่านได้ที่ 3,634.80 MB/s เขียนที่ 1,803.37 MB/s ส่วน Random 4K (IOPS) นั้น ทำคะแนน Read ได้ถึง 437,539 IOPS และ Write ที่ 471,482 IOPS ทีเดียว

Tags:
Node Thumbnail

Toshiba Memory ธุรกิจหน่วยความจำของ Toshiba ที่แยกบริษัทออกมาในปี 2017 (ขายให้กลุ่มทุน Bain Capital) ประกาศรีแบรนด์ตัวเองใหม่ชื่อ Kioxia (อ่านว่า kee-ox-ee-uh) มีผลวันที่ 1 ตุลาคม 2019

ที่มาของชื่อ Kioxia มาจากคำว่า kioku ในภาษาญี่ปุ่นที่แปลว่า "memory" และคำว่า axia ในภาษากรีกที่แปลว่า "value" โดยวิสัยทัศน์ของบริษัทใหม่คือ Uplifting the world with “memory”

ตอนนี้ยังไม่มีโลโก้ของ Kioxia ออกมาให้ดูกัน และยังไม่มีข้อมูลว่าแรมหรือสินค้าอื่นๆ ของ Kioxia จะรีแบรนด์ไปใช้ชื่อใหม่ หรือยังใช้ชื่อ Toshiba ทำตลาดเหมือนเดิม

Tags:
Node Thumbnail

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น

Pages