ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)

สำหรับการเปลี่ยนมาใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร ช่วยลดการใช้พลังงานจากขนาด 25 นาโนเมตรลงถึง 25% ด้วยกันครับ

ที่มา - Samsung Tomorrow

Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จในการผลิตชิปหน่วยความจำ low power double data rate 4 (LPDDR4) ขนาด 8 Gigabit (Gb นะครับไม่ใช่ GB) และเตรียมทำตลาดแรมชนิดนี้สำหรับอุปกรณ์พกพาในปีหน้า (ยังไม่ระบุกรอบเวลาชัดเจน)

ชิปแรมตัวใหม่นี้ใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร เมื่อชิปหนึ่งตัวมีขนาด 8 Gb (หรือ 1GB) ทำให้แรมหนึ่งแผงสามารถยัดชิป 4 ตัวเพื่อทำแรมขนาด 4GB ในแผ่นเดียวได้ (นั่นแปลว่าเราจะได้เห็นมือถือแรม 4GB ในเร็วๆ นี้)

ชิปแรมตัวนี้สามารถส่งข้อมูลได้ 3200 Mbps ต่อพินหนึ่งขา เร็วกว่าแรม LPDDR3 ในปัจจุบันเท่าตัว แต่ใช้พลังงานน้อยกว่ากันประมาณ 40%

ที่มา - Samsung Tomorrow

จากกรณี ไฟไหม้โรงงาน SK Hynix ในจีน กระทบชิปหน่วยความจำ 10% ของโลก ส่งผลให้ราคาชิปหน่วยความจำดีดตัวขึ้น 42% จากเดิม (คิดจากชิปหน่วยความจำ DDR3 ขนาด 2Gb) มาอยู่ที่ 2.27 ดอลลาร์ เทียบกับของเดิมที่มีราคา 1.60 ดอลลาร์ในวันที่ไฟไหม้

SK Hynix แก้ปัญหาเบื้องต้นโดยเร่งปริมาณการผลิตจากโรงงานที่เกาหลีใต้แทน ซึ่งนักวิเคราะห์จากเกาหลียังมองว่าราคาชิปหน่วยความจำน่าจะยังอยู่ในระดับสูงไปตลอดไตรมาสที่สี่ของปีนี้ หรือจนกว่าโรงงานของ Hynix จะกลับมาทำงานได้เต็มที่เหมือนเดิม (ซึ่ง Hynix บอกว่าประมาณเดือนพฤศจิกายน)

ผู้ที่ได้รับผลกระทบมากที่สุดคงหนีไม่พ้นผู้ผลิตสมาร์ทโฟน ที่ตลาดมักจะแข่งกันดุเดือดที่สุดในช่วงไตรมาสที่สี่ของปีเป็นปกติอยู่แล้ว

ที่มา - Bloomberg

เมื่อวันพุธที่ผ่านมา โรงงานหน่วยความจำของบริษัท SK Hynix ที่เมืองอู๋ซี ในประเทศจีน เกิดไฟไหม้เสียหายหนักจนต้องหยุดสายการผลิต ถึงแม้จะไม่มีใครได้รับบาดเจ็บหรือเสียชีวิตก็ตาม

อย่างไรก็ตามไฟไหม้ครั้งนี้กลับสร้างผลสะเทือนต่อวงการหน่วยความจำของโลก เพราะ SK Hynix ถือเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เป็นอันดับสองของโลก มีส่วนแบ่งตลาดประมาณ 30% และโรงงานแห่งนี้มีกำลังการผลิตประมาณครึ่งหนึ่งของ SK Hynix ทั้งบริษัท

คาดว่าไฟไหม้รอบนี้จะส่งผลต่อปริมาณซัพพลายของชิป DRAM ทั่วโลกประมาณ 10% และ SK Hynix เองก็เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ให้สินค้าของแอปเปิลด้วย

ที่มา - Wall Street Journal, AllThingsD

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

ซัมซุงบอกว่าหน่วยความจำรุ่นนี้จะเริ่มใช้ในอุปกรณ์ของตัวเองในอีกเดือนสองเดือนข้างหน้า ไม่แน่ว่าเราอาจจะเห็น Galaxy Note 3 ใช้ก็ได้ครับ

ที่มา - techredar

Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

ระบบประมวลผลของอุปกรณ์พกพาโดยส่วนใหญ่มักทำงานควบคู่กับ SRAM (static RAM) ซึ่งถือเป็น RAM ที่มีความเร็วในการทำงานสูง แต่กินพลังงานไฟฟ้าเป็นอย่างมาก เนื่องจากต้องการพลังงานไฟฟ้าไปเลี้ยงอยู่ตลอดเวลาเพื่อรักษาข้อมูลไว้ในหน่วยความจำ ทั้งยังมีปัญหากระแสรั่วไหล โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อหน่วยประมวลผลได้รับการพัฒนาให้มีความเร็วสูงยิ่งขึ้น หน่วยความจำก็ยิ่งต้องทำงานเร็วขึ้นสอดคล้องกันไป ทำให้ยิ่งสิ้นเปลืองพลังงาน

Toshiba จึงเลือกพัฒนา MRAM (magnetoresistive RAM) ขึ้นมาเพื่อใช้งานทดแทนกัน โดยทั่วไปแล้ว MRAM ไม่ต้องการไฟเลี้ยงในการเก็บรักษาข้อมูล ทั้งนี้จะต้องการไฟก็ต่อเมื่อต้องทำ operation กับข้อมูลดังกล่าวเท่านั้น จึงลดปัญหาเรื่องกระแสไฟรั่วไหลในขณะ stand by ทว่าจนถึงก่อนหน้านี้จุดอ่อนที่สำคัญของ MRAM คือทำงานช้ากว่า SRAM และแม้จะกินพลังงานเฉพาะช่วงที่มี operation ของข้อมูล แต่โดยรวมยังต้องอาศัยพลังงานมากกว่า SRAM จึงไม่ค่อยได้รับความนิยมในการเลือกใช้

สิ่งที่ Toshiba ทำคือลดการใช้พลังงานของ STT-MRAM ลงให้เหลือแค่ 10% ของ MRAM และเพิ่มความเร็วในการ operation ให้มากขึ้น ผลที่ได้คือ RAM ใหม่ทำงานได้เร็วทัดเทียมกับ SRAM ในขณะที่กินพลังงานแค่ 1 ใน 3 เท่านั้น โดย MRAM ที่ได้รับการพัฒนาใหม่นี้ เรียกว่า STT-MRAM

แม้จะเพิ่งเป็นเพียงการทดสอบด้วยระบบจำลองเท่านั้น แต่ Toshiba เชื่อว่าจะสามารถผลิตแรมให้ใช้งานได้จริงเร็วๆ นี้

แรมพีซีตอนนี้ที่เราใช้กันมักเป็นมาตรฐาน DDR3 (หรือยังมี DDR2 บ้างในโทรศัพท์มือถือ) และตอนนี้ JEDEC หน่วยงานออกมาตรฐานด้านเซมิคอนดักเตอร์ก็ออกมาตรฐาน JESD79-4 หรือมาตรฐาน DDR4 ให้ดาวน์โหลดแล้ว พร้อมเปิดเวิร์คชอปสำหรับนักพัฒนาปลายเดือนตุลาคมนี้

มาตรฐานช่วงเริ่มต้น จะรองรับการส่งข้อมูล 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาทีเป็นขั้นต่ำ และ 3.2 พันล้านครั้งต่อวินาทีที่ความเร็วสูงสุด แต่ในมาตรฐาน DDR3 ที่ตอนออกมาตรฐานกำหนดความเร็วสูงสุด 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาที ก็มีการออกชิปรุ่นใหม่ๆ ที่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้นจนทำความเร็วได้เกินมาตรฐาน ใน DDR4 ก็คาดว่าจะทำได้แบบเดียวกัน

การแบ่งชุดแรม (bank group) ใน DDR4 จะเลือกได้เป็น 2 หรือ 4 ชุด ความพิเศษอยู่ที่แต่ละชุดสามารถรับคำสั่งได้ต่างกัน ทำให้แต่ละชุดสามารถอ่าน/เขียน/refresh ได้อิสระจากกัน ความเร็วระบบโดยรวมจึงน่าจะเร็วขึ้นมาก

แรม DDR เคยเป็นคู่แข่งสำคัญเมื่อครั้งอินเทลเลือกใช้ RDRAM ที่ต้องจ่ายค่าสิทธิบัตรให้บริษัท RAMBUS แต่เอเอ็มดีเลือก DDR ที่สมาชิก JEDEC ร่วมกันออกมาตรฐานและไม่มีค่าสิทธิบัตร แม้ความเร็ว RDRAM จะดีกว่าในช่วงแรก แต่ราคา DDR ที่ถูกกว่ามาก ทำให้ได้รับความนิยมสูงกว่า และการพัฒนามาตรฐานมีบ่อยกว่าจนทำความเร็วแซงหน้า RDRAM ไป

ที่มา - Engadget, JEDEC

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

Brian Shirley รองประธานของ Micron ส่วนที่ดูแลผลิตภัณฑ์กลุ่ม DRAM ออกมาพูดหลังประกาศเปิดมาตรฐาน DDR4 ว่าสเปคของเราใกล้เคียงกับมาตรฐานที่ทาง JEDEC ยังไม่ประกาศออกมาอย่างมาก และสามารถปรับให้เข้ากันได้ทันทีที่มาตรฐานออกมา

ข่าวเก่าไปสักเล็กน้อยแต่ยังใช้ได้อยู่นะครับ

Samsung Electronics ประกาศแผนการผลิตแรมพลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่คือ LPDDR3 SDRAM โดยซัมซุงจะสามารถผลิตหน่วยความจำขนาด 4 Gb ที่ขนาด 30nm และกินไฟ 1.2V

ปัจจุบันแรมในมือถือใช้ LPDDR2 ที่มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 800Mbps ต่อหน่วย (terminal) และมีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดต่อชิปที่ 3.2Gbps ในขณะที่แรม LPDDR3 มีอัตราการส่งข้อมูลต่อ terminal มากกว่ากันเท่าตัวคือ 1.6Gbps โดยที่แรมทั้งสองชนิดกินไฟเท่ากัน

ซัมซุงบอกว่าแรมแบบใหม่ LPDDR3 จะกลายเป็นแรมมาตรฐานของมือถือในปีนี้

ที่มา - Nikkei via Unwired View

ข่าวลือจากสำนักข่าวรอยเตอร์ส อ้างว่าแอปเปิลได้เตรียมที่จะเข้าซื้อ Anobit บริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชเมโมรี่จากประเทศอิสราเอลที่ราคาประมาณ 400 หรือ 500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ

Anobit เป็นบริษัทที่เชี่ยวชาญในเรื่อง signal processing สำหรับชิปหน่วยความจำ ทำให้สามารถเพิ่มทั้งความจุและประสิทธิภาพของชิปเหล่านี้ได้ เทคโนโลยีนี้ได้ถูกนำมาใช้ในชิปหน่วยความจำจากซัมซุงและ Hynix ที่ถูกนำมาใช้ใน iPhone 4S อยู่แล้วในทุกวันนี้

ไม่ว่าอย่างไรก็ตามแอปเปิลไม่เคยที่จะคิดซื้อ "ผู้ผลิต" ฮาร์ดแวร์มาก่อน โดยก่อนหน้านี้การเข้าซื้อ P.A. Semi และ Intrinsity ต่างก็เป็นการซื้อ "ผู้คิดค้น-ดีไซน์" เทคโนโลยี ไม่ใช่ผู้ผลิตแต่อย่างใด แต่การเข้าซื้อนี้ก็ฟังดูมีเหตุผลดี หากมาดูจากทัศนคติที่แอปเปิลมีต่อฮาร์ดดิสก์ (HDD) ทุกวันนี้ที่เป็นอุปสรรคต่อการออกแบบสินค้าของแอปเปิล จนถึงตอนนี้ทั้งสองบริษัทยังไม่ได้ออกมาแสดงความเห็นต่อข่าวนี้แต่อย่างใด

ที่มา - Engadget

นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)

ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล

เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก

การพัฒนาสารการผลิตของหน่วยความจำแบบ NAND flash แบบนี้กำลังกดดันให้ราคาต่อพื้นที่นั้นต่ำลงอย่างรวดเร็ว ในไม่ช้าเราอาจจะเห็นหน่วยความจำแบบนี้ถูกกว่าฮาร์ดดิสก์ในไม่กี่ปีข้างหน้า

ที่มา - Intel

เอเอ็มดีช่วงหลังแม้จะมีชิปเซ็ต, GPU, และซีพียู เป็นของตัวเองแล้วแต่สิ่งหนึ่งที่ขาดอยู่คือแรมที่ยังต้องอาศัยแบรนด์อื่นๆ อยู่ ล่าสุดเว็บของเอเอ็มดีก็ปรากฏสินค้า AMD Radeon™ Memory for Systems เป็น DIMM สำหรับเครื่องเดสก์ทอปและเซิร์ฟเวอร์ปรากฏขึ้นมาโดยไม่มีการประกาศล่วงหน้า

เอเอ็มดีระบุว่าแรมของเอเอ็มดีเองจะออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์มของตัวเองโดยเฉพาะ โดยแบ่งสินค้าออกเป็นสามตระกูลคือ Entertainment, ULTRA PRO Gaming, และ Enterprise ในหน้าสินค้าตอนนี้มีเฉพาะรุ่น 2GB เท่านั้น

ยังไม่ประกาศราคาแต่ตอนนี้คนสนใจยี่ห้อแรมกันเยอะพอให้เอเอ็มดีต้องลงมาสู้ในตลาดนี้เองเลยหรือ?

ที่มา - AMD

ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป

Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป

ที่มา: BGR

จากเหตุการณ์แผ่นดินไหวที่ประเทศญี่ปุ่นเมื่อวานนี้ ทำให้เกิดความกังวลถึงปริมาณอุปทานของสินค้าหลายอย่างซึ่งมีฐานการผลิตหลักในญี่ปุ่น ซึ่งชิปหน่วยความจำก็เป็นหนึ่งในนั้น โดยเฉพาะสินค้าอย่างหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญในโทรศัพท์มือถือและแท็บเล็ต ซึ่งปัจจุบันบริษัท Toshiba ซึ่งพาร์ทเนอร์การผลิตร่วมกับ SanDisk มีส่วนแบ่งการตลาดของหน่วยความจำแฟลชถึง 35%

โฆษกของ Toshiba กล่าวว่าบริษัทกำลังตรวจสอบความเสียหายของโรงงานต่างๆอยู่ บางโรงงานมีปัญหาเรื่องระบบไฟฟ้า แต่ส่วนใหญ่สามารถเริ่มการผลิตได้ตามปกติแล้ว ส่วนที่น่ากังวลมากกว่าคือปัญหาการขนส่งสินค้าเนื่องจากทุกเส้นทางทั้งทางบก ทางน้ำ ทางอากาศล้วนได้รับความเสียหาย

นักวิเคราะห์มองว่าปัญหาสินค้าขาดแคลนน่าจะมีผลเพียงช่วงสั้นๆ เพราะโรงงานในญี่ปุ่นล้วนออกแบบมาเพื่อรองรับแผ่นดินไหวอยู่แล้ว อีกทั้งช่วงครึ่งปีแรกความต้องการสินค้าในตลาดอิเล็กทรอนิกส์จะไม่สูงอยู่แล้ว

ที่มา: The Wall Street Journal

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล

ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%

เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - TechSpot

SanDisk วางขาย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟที่ได้ไลเซนส์มาจากไมโครซอฟท์แล้ว สามารถใช้บันทึกข้อมูลจากคอนโซลหนึ่งไปอีกคอนโซลหนึ่งได้ อาทิ ข้อมูลการเล่นเกม, gamertags, map packs เป็นต้น สนนราคา 8GB ที่ 34.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 1,300 บาท) และ 16GB ที่ 69.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 2,300 บาท) นอกจากนั้น SanDisk ยังแถม Xbox LIVE Gold เป็นเวลา 1 เดือนให้กับผู้ซื้อแฟลชไดร์ฟทั้งสองรุ่นอีกด้วย หน้าตาเป็นอย่างไรดูได้จากท้ายข่าว

ที่มา: Engadget

ซัมซุงเตรียมเปิดโรงงานผลิตชิป NAND Flash ขนาดจิ๋วเพียง 20 nm โดยมันจะถูกรวมอยู่ใน SD card และพวกหน่วยความจำต่างๆ ซัมซุงยังกล่าวว่า NAND Flash ขนาดจิ๋วเขียนและรับข้อมูลได้รวดเร็วมาก

NAND Flash ขนาดจิ๋ว 20 nm ให้ความเร็วของการทำงานเพิ่มขึ้น 50% จากรุ่นก่อน (30 nm) โดยจะเขียนข้อมูลที่ความเร็ว 10MB/s และอ่านข้อมูลที่ 20MB/s โดยจะฝังอยู่ในหน่วยความจำขนาดตั้งแต่ 4GB - 64GB

ที่มา - SamsungHUB

ปัญหาสำคัญของคอมพิวเตอร์แบบซีพียูหลายคอร์นั้นคือการเข้าถึงหน่วยความจำที่เป็นคอขวดของระบบเสมอๆ วันนี้ทาง Rambus ผู้พัฒนา RDRAM ที่เคยใช้ในเมนบอร์ดของอินเทลและ XDR DRAM ที่ใช้ใน PS3 นั้นก็ประกาศเทคโนโลยีใหม่คือ Threaded Memory

ทาง Rambus อ้างว่าเทคโนโลยีนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการส่งข้อมูลได้มากถึงร้อยละ 50 ขณะที่ลดการใช้พลังงานลงร้อยละ 20

ยังไม่มีรายละเอียดเชิงเทคนิคว่าทาง Rambus ใช้เทคนิคอะไรในการเพิ่มความเร็วนี้ แต่ที่มีการเปิดเผยออกมาคือ Threaded Memory นั้นสามารถใช้กับหน่วยความจำแบบ DDR3 ที่มีราคาไม่แพงนักได้ และระบบหน่วยความจำจะรองรับการส่งข้อมูลครั้งละ 64 ไบต์ มากกว่าหน่วยความจำทั่วไปในปัจจุบันถึง 8 เท่า ที่รองรับเพียง 64 บิต หรือ 8 ไบต์เท่านั้น

มีการเปิดเผยแผนภาพออกมาเพียงภาพเดียวในตอนนี้ ดูเหมือนว่า Threaded Memory นั้นจะเปิดให้เข้าถึงข้อมูลในหน่วยความจำได้ทีละหลายๆ ชุดพร้อมกันเป็นจำนวนเท่าของ 64 บิต คำถามในตอนนี้คือมีดูเหมือนจะไม่มีซีพียูที่รองรับการต่อแบบแปลกๆ เช่นนี้

Rambus ระบุว่าจะมีการแสดง Threaded Memory รุ่นต้นแบบในงาน IDF 2009 ที่จะจัดในสัปดาห์หน้า

ที่มา - TechConnect

แม้ว่า DDR3 จะยังดูไกลเกินเอื้อมสำหรับเราหลายๆ คน แต่วันนี้เองทางซัมซุงก็ออกโมดูลแรม DDR3 ขนาด 32 กิกะไบต์ มาให้เราฝันถึงกันแล้ว โดยแรมรุ่นใหม่นี้ผลิตด้วยเทคโนโลยี 50 นาโนเมตร และทำงานที่ความต่างศักย์ 1.35 โวลต์ ต่ำกว่าโมดูลปรกติที่ใช้ไฟ 1.5 โวลต์ทำให้ปรัะหยัดพลังงานกว่า และทางซัมซุงยังอ้างว่าช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้สูงขึ้นไปด้วย

ถ้าใครซื้อมาซัก 6 แถวใส่กับบอร์ด i7 แล้วช่วยส่งผล Benchmark มาให้เพื่อนๆ กันบ้างนะครับ

ที่มา - I4U