Toshiba Memory ธุรกิจหน่วยความจำของ Toshiba ที่แยกบริษัทออกมาในปี 2017 (ขายให้กลุ่มทุน Bain Capital) ประกาศรีแบรนด์ตัวเองใหม่ชื่อ Kioxia (อ่านว่า kee-ox-ee-uh) มีผลวันที่ 1 ตุลาคม 2019

ที่มาของชื่อ Kioxia มาจากคำว่า kioku ในภาษาญี่ปุ่นที่แปลว่า "memory" และคำว่า axia ในภาษากรีกที่แปลว่า "value" โดยวิสัยทัศน์ของบริษัทใหม่คือ Uplifting the world with “memory”

ตอนนี้ยังไม่มีโลโก้ของ Kioxia ออกมาให้ดูกัน และยังไม่มีข้อมูลว่าแรมหรือสินค้าอื่นๆ ของ Kioxia จะรีแบรนด์ไปใช้ชื่อใหม่ หรือยังใช้ชื่อ Toshiba ทำตลาดเหมือนเดิม

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น

วันนี้ Samsung Electronics หน่วยธุรกิจด้านอิเล็กทรอนิกส์และชิปของ Samsung ประกาศเปิดตัว DRAM รุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 12 GB ภายใต้แพ็กเกจชิปเดียว นับว่าเป็นการเปิดตัวชิปหน่วยความจำที่มีขนาดสูงสุดในโลก ณ เวลานี้

DRAM ดังกล่าวผลิตตามมาตรฐาน LPDDR4X ทำให้สมาร์ทโฟนสามารถรองรับกล้องได้มากถึง 5 ตัวในเวลาเดียวกัน, เพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลของ AI บนอุปกรณ์ และคุณสมบัติ 5G ในอนาคต

กระบวนการผลิตเกิดจากการรวมชิป LPDDR4X ขนาด 16 Gb (Gigabit ไม่ใช่ Gigabytes) ที่กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตรเข้าด้วยกันอยู่ในแพ็กเกจเดียว สามารถทำความเร็วการส่งข้อมูลได้สูงสุดถึง 34.1 GB ต่อวินาที ในขณะที่ยังรักษาอัตราการสิ้นเปลืองพลังงานไว้ให้อยู่ในระดับต่ำ

ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน

ส่วนการอ่านเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

ช่วงนี้เห็นผู้คนคุยกันว่าแรม DDR4 สำหรับพีซีราคาเริ่มมีแนวโน้มลดลง ล่าสุดมีข่าวจาก SK Hynix แบรนด์ผู้ผลิตชิปเมมโมรีใหญ่อันดับสองของโลก ออกมาระบุว่า แรมแบบ DDR5 พร้อมแล้วที่จะเปิดตัวลงตลาดในปี 2020 นี้ และขณะเดียวกันก็กำลังวางแผนพัฒนา DDR6 อยู่ซึ่งจะเริ่มผลิตในระยะห้าถึงหกปีข้างหน้า

ส่วนสเปคของ DDR5 ที่ SK Hynix ระบุไว้เมื่อปลายปี 2018 คือชิปชิ้นหนึ่งมีความจุ 16Gb (หรือ 2GB) สามารถทำงานได้ที่ 5200MT/s (เข้าใจได้ว่าเป็น 5200MHz) ที่แรงดันไฟ 1.1 โวลต์ จะทำแบนวิดธ์ได้เป็นสองเท่าของ DDR4-2666 ซึ่งวางแผนจะนำไปใช้กับวงการรถยนต์ในอนาคตด้วย

ที่มา - CDRinfo

ข่าวนี้น่าจะเป็นอีกก้าวสำคัญขององคาพยพ RGB เมื่อ Corsair โชว์อีกหนึ่งเทคโนโลยีไฟ LED ในชื่อ Capellix ที่หลักใหญ่ใจความคือหลอดไฟ LED ชนิดนี้มีขนาดเล็กกว่าหลอด LED แบบ RGB แบบเดิม เล็กลงจาก 2.8 ลบ.มม. เหลือ 0.2 ลบ.มม. และได้ไฟที่สว่างกว่าเดิมสูงสุด 60% ใช้พลังงานน้อยลงกว่าเดิมได้ถึง 40% และอายุการใช้งานยาวนานขึ้นได้ถึง 35%

ข้อดีของความเล็กคือในอนาคตเราอาจได้เห็นฮาร์ดแวร์ที่มีไฟ RGB แสดงผลไฟได้ละเอียดขึ้น ถ้านำไปใช้กับแรม ก็จะกินพลังงานน้อยลง หรือได้แรมแรงขึ้นด้วยบัสหรือค่าไทมิ่งที่กระชับขึ้น เพราะมีพลังงานเหลือไปใช้กับตัวแรมเอง ซึ่งผลิตภัณฑ์แรกที่จะได้นำ LED ชนิดนี้ไปใช้คือแรม DDR4 Dominator Platinum RGB ความเร็วสูงสุด 4800MHz และมี LED 12 ชุดต่อแผงที่สามารถตั้งค่าสีแยกกันได้ วางขายเดือนกุมภาพันธ์ปีนี้

3DCenter.org สื่อฮาร์ดแวร์ภาษาเยอรมันรายงานข้อมูลจาก DigiKey ผู้ค้าส่งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ว่า ราคาเม็ดแรม GDDR6 แบนด์วิดธ์ 14 Gbps ของ Micron ราคาสูงกว่า 70% เมื่อเทียบราคาเม็ดแรมชนิด GDDR5 8Gbps ในความจุเดียวกัน ซึ่งแรม GDDR6 ตอนนี้ถูกนำมาใช้แล้วบนการ์ดจอซีรีส์ GeForce RTX 20 ของ NVIDIA ในปัจจุบัน

ทั้งนี้ GDDR6 ยังมีเม็ดแรมอีกหลายสเปคทั้ง 12 และ 13 Gbps แต่ NVIDIA เลือกใช้แต่เม็ดแรม 14 Gbps เท่านั้น อาจเป็นสาเหตุที่ทำให้การ์ดรุ่นดังกล่าวตั้งราคาออกมาสูง สอดคล้องกับข่าวลือก่อนหน้าที่ว่าค่ายนี้จะออกมา RTX 2060 ที่จับกับแรม GDDR5 เพื่อราคาที่ย่อมเยากว่า

เสริม: มีผลเบนช์มาร์ก GeForce RTX 2060 หลุดออกมาก่อนวันเปิดตัวอย่างเป็นทางการวันที่ 7 มกราคม 2562 นี้ โดยจะวางตัวใกล้ๆ GeForce GTX 1070 Ti เดิม ในราคา 349 เหรียญสหรัฐฯ (ประมาณ 11,300 บาท) ไว้เปิดตัวแล้วเรามาดูกันละเอียดอีกทีครับ

Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา รองรับ 5G, AI และ UHD ใช้กระบวนการผลิตที่ 10nm

แรม LPDDR5 ขนาด 8GB มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 6,400 Mb/s เร็วขึ้น 1.5 เท่า จากแรม LPDDR4X ที่ให้อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 4,266Mb/s, สามารถส่งข้อมูล 51.2GB หรือวีดีโอ 14 ไฟล์ ความละเอียด Full HD ได้ใน 1 วินาที, มีสองแบนด์วิดท์ ได้แก่ 6,400 Mb/s ขนาดของแรงดันไฟฟ้า 1.1 โวลท์ และ 5,500Mb/s ที่ 1.05 โวลท์

นอกจากนี้ชิป LPDDR5 ยังมีโหมดที่เรียกว่า deep sleep mode ช่วยลดพลังงานให้กับอุปกรณ์พกพาได้ถึง 30% ลดลงครึ่งหนึ่งจาก idle mode ของ LPDDR4X

ส่วนการนำมาใช้จริงจะเริ่มกับมือถือรุ่นใดนั้้น คงต้องรอติดตามกันต่อไป ไม่แน่ว่าอาจเป็น Galaxy S10 ที่จะมาในปีหน้าก็ได้

บริษัท Samsung Electronics ประกาศเริ่มเดินสายการผลิต 32GB DDR4 RAM ในรูปแบบของ SoDIMM (small outline dual in-line memory module หรือ RAM ขนาดเล็กกว่าทั่วไป) ที่ระดับ 10nm โดยมุ่งเน้นประสิทธิภาพระดับพีซีบนแล็ปท็อป ด้วยการเพิ่มความจุและลดการใช้พลังงานลงจากเดิม เพื่อให้สามารถใช้งานแล็ปท็อปได้ยาวนานและมีประสิทธิมากยิ่งขึ้น

เรารู้กันดีว่าวิธีการที่สมองของคนเราสั่งการกล้ามเนื้อต่างๆ รวมทั้งรับข้อมูลจากประสาทรับรู้ ตลอดจนคิดและจดจำเรื่องราวทั้งหลายนั้น คือการส่งผ่านคลื่นสัญญาณไฟฟ้ารูปแบบหนึ่ง แน่นอนว่ามันย่อมมีความเป็นไปได้ว่าการส่งสัญญาณคลื่นไฟฟ้าด้วยวิธีและรูปแบบที่เหมาะสมย่อมสามารถเสริมการทำงานของสมองได้ ตัวอย่างหนึ่งที่เสริมข้อเท็จจริงเรื่องความเป็นไปได้ที่ว่านี้ คืองานวิจัยที่ DARPA ช่วยออกทุนสนับสนุนให้งานหนึ่ง

DARPA ต้องการหาทางช่วยเหลือทหารผ่านศึกที่สมองได้รับการกระทบกระเทือน หลายคนมีปัญหาในการใช้ชีวิตประจำวันเพราะหลงลืมอะไรต่างๆ ได้ง่าย งานวิจัยจึงมีขึ้นเพื่อหาทางช่วยแก้ปัญหาให้แก่วีรบุรุษผู้ผ่านสนามรบเหล่านี้ โดยการใช้คลื่นสัญญาณไฟฟ้ากระตุ้นเข้าไปที่สมอง ทำให้ความสามารถในการจำข้อมูลช่วงสั้นๆ ที่เรียกว่า "ความจำอาศัยเหตุการณ์" ดีขึ้นถึง 35%

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์รายงานผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 4 ของปี 2017 รายได้รวม 65.98 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 24% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน และมีกำไรสุทธิ 12.26 ล้านล้านวอน ซึ่งถือเป็นสถิติใหม่สูงสุดของบริษัทต่อเนื่องอีกไตรมาส

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเป็นธุรกิจหลักของซัมซุง ทั้งในแง่รายได้และกำไร โดยเฉพาะชิ้นส่วนหน่วยความจำ DRAM และ NAND ขณะที่ชิ้นส่วนหน้าจอภาพรวมยังคงเติบโตจาก OLED ที่มีการสั่งซื้อไปใช้กับสมาร์ทโฟนระดับบนเพิ่มขึ้น ส่วน LCD มีคำสั่งซื้อที่ลดลง

ซัมซุงประกาศว่าเตรียมเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR6 ในปริมาณมากสำหรับการ์ดจอแล้ว โดยชิปจะถูกผลิตบนสถาปัตยกรรม 10 นาโนเมตร ความเร็วในการส่งข้อมูล 18Gbps อัตราส่งข้อมูลสูงสุด 72Gbps ใช้แรงดันไฟฟ้า 1.35V

ซัมซุงระบุว่าประสิทธิภาพของแรม GDDR6 ช่วยให้การ์ดจอประมวลผลวิดีโอ, เกมและขุดเหมืองเร็วกว่า GDDR5X มาก โดยจะสามารถพบแรม GDDR6 ได้ในการ์ดจอรุ่นใหม่ที่จะเปิดตัวหลังจากนี้

ที่มา - ArsTechnica

ซัมซุงรายงานผลการดำเนินงานของไตรมาสที่ 3 ปี 2017 ซึ่งมีรายละเอียดเพิ่มเติมจากตัวเลขคาดการณ์เมื่อต้นเดือน โดยมีรายได้รวม 62.05 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 29.8% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน มีกำไรจากการดำเนินงาน 14.53 ล้านล้านวอน และมีกำไรสุทธิ 11.19 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 146% เนื่องจากปีที่แล้วกำไรลดลงมากจากปัญหา Galaxy Note 7

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเติบโตต่อเนื่องทุกไตรมาส และกลายมาเป็นธุรกิจหลักของซัมซุงไปแล้ว รายได้ส่วนนี้อยู่ที่ 28.02 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 38% เฉพาะธุรกิจหน่วยความจำเพิ่มขึ้นถึง 65% และชิ้นส่วนหน้าจอเพิ่มขึ้น 17% ขณะที่ธุรกิจโทรศัพท์รายได้เพิ่มขึ้น 23% เป็น 27.69 ล้านล้านวอน ซึ่งกำไรส่วนใหญ่ก็อยู่ที่ธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์

Samsung Electronics เตรียมลงทุนจำนวน 7 พันล้านดอลลาร์ในเวลา 3 ปีข้างหน้า เพื่อขยายกำลังการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ในเมืองซีอาน ประเทศจีน โดยตอนนี้ได้อนุมัติเงินจำนวน 2.3 พันล้านดอลลาร์แล้ว

ปัจจุบัน Samsung นั้นมีรายได้จากการผลิตคิดเป็น 38.3% ของรายได้จากการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ทั่วโลกในช่วงเดือนเมษายนถึงเดือนมิถุนายน โดยการลงทุนครั้งนี้ โฆษกของ Samsung Electronics ปฏิเสธที่จะให้ความเห็นเกี่ยวกับกำลังการผลิตที่จะเพิ่มขึ้นว่าจะเพิ่มขึ้นได้เท่าไร

ที่มา - Reuters

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

จากเหตุการณ์ Huawei P10/P10 Plus ใช้แรมและหน่วยความจำหลายชนิด รวมถึงเกิดความสงสัยว่า Mate 9 มีความเกี่ยวข้องกับเหตุการณ์ดังกล่าวด้วยหรือไม่ ล่าสุด Huawei ประเทศไทยได้แถลงผ่านหน้าเฟซบุ๊กของบริษัทแล้ว

Huawei ประเทศไทยระบุว่ามาตรฐาน UFS 2.1 และ 2.0 มีความเร็วเท่าเทียมกัน ระหว่าง 249.6 - 583.04 MB/s และใน Huawei Mate 9 เป็นไปตามมาตรฐาน UFS 2.1

ส่วนในรุ่น P10/P10 Plus ได้บอกเหมือนกับที่ Huawei ต่างประเทศได้แถลงมาก่อนหน้านี้ คือบริษัทฯ มีมาตรฐานในการเลือกใช้ชิ้นส่วนจากผู้ผลิตที่น่าเชื่อถือทั่วโลก เพื่อให้มีปริมาณการผลิตที่เพียงพอต่อความต้องการของผู้บริโภค พร้อมยืนยันว่าทั้ง P10/P10 Plus และ Mate 9 ใช้แรม LPDDR4 (โพสต์ต้นทางใช้คำว่า DDR4)

นอกจากนี้หากลูกค้ามีข้อสงสัย สามารถติดต่อศูนย์บริการลูกค้าที่ MBK Center ได้ระหว่างเวลา 10.30 - 19.30 น.

ที่มา - Facebook: Huawei Mobile

หนึ่งในสมาร์ทโฟนยอดฮิตในขณะนี้ย่อมหนีไม่พ้น Huawei P10 และ P10 Plus ที่เพิ่งเปิดตัวและวางจำหน่ายไปไม่นาน และก็มีข่าวว่าผู้ใช้พบว่าการทดสอบเบนช์มาร์กด้านความเร็วหน่วยความจำในหลายๆ เครื่องได้ผลต่างกันมาก ล่าสุด Huawei ออกมายอมรับแล้วว่า P10 และ P10 Plus ที่วางจำหน่ายอยู่จะมาพร้อมสเปกแรมและหน่วยความจำที่แตกต่างกันไป

Huawei ระบุว่าแรมของ P10 และ P10 Plus จะมีทั้งแบบ LPDDR3 และ LPDDR4 และหน่วยความจำจะมีทั้ง UFS 2.0, UFS 2.1 และ eMMC 5.1 เลยทีเดียว โดยแรม LPDDR3 และ LPDDR4 ตามสเปกแล้วมีแบนด์วิดท์ต่างกันถึงเท่าตัว คือ 12.8GB/s และ 25.6GB/s และใช้ไฟที่ 1.2 และ 1.1 โวลต์ตามลำดับ ส่วนหน่วยความจำ UFS 2.0 กับ 2.1 ไม่ค่อยต่างกัน แต่ทั้งสองแบบนั้นเร็วกว่า eMMC 5.1 อย่างมาก ตามตารางด้านล่าง

JEDEC กลุ่มมาตรฐานด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีสมาชิกเกือบ 300 ราย ประกาศว่ามาตรฐานของแรม DDR5 รุ่นถัดไป "น่าจะ" เสร็จภายในปีหน้า 2018 โดยจะมีแบนด์วิดท์สูงกว่าแรม DDR4 ในปัจจุบันถึง 2 เท่า

นอกจากนี้ แรม DDR5 จะยังมีความหนาแน่นของการจัดวางชิป (density) เพิ่มขึ้นอีก 2 เท่าเช่นกัน และมีการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ตอนนี้ยังมีข้อมูลของสเปก DDR5 ออกมาแค่นี้ รายละเอียดทางเทคนิคคงต้องรอกันต่อไป (DDR5 ไม่เกี่ยวอะไรกับ GDDR5)

อินเทลร่วมมือกับไมครอน เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่เรียกว่า 3D XPoint มาตั้งแต่ปี 2015 โดยโฆษณาว่ามันเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ NAND ที่ใช้กันในปัจจุบันถึง 1,000 เท่า, ทนทานกว่ากัน 1,000 เท่า และจัดเรียงชิปหน่วยความจำได้หนาแน่นกว่า DRAM 10 เท่า

อินเทลตั้งเป้านำ 3D XPoint มาใช้ทำสตอเรจ SSD ความเร็วสูงภายใต้แบรนด์ Optane ที่วางตัวไว้เป็น "แคชความเร็วสูง" ที่อยู่ระหว่างแรมกับสตอเรจ หรือบางครั้งอาจมองว่ามันเป็นส่วนขยายของแรมก็ได้ ด้วยการที่มันทำงานได้เร็วมากๆ นั่นเอง

หลังจากโฆษณามานานและเลื่อนกำหนดวางขายมาหลายรอบ ในที่สุดผลิตภัณฑ์ตัวแรก Intel Optane SSD DC P4800X ก็เริ่มวางขายแล้ว

Micron ประกาศนำแรมแบบ GDDR6 ลงสู่ตลาดภายในปีนี้ โดยแรมแบบ GDDR6 มีอัตราการส่งข้อมูล 16Gbps เหนือกว่าแรม GDDR5X ที่ทำได้ 12Gbps ในปัจจุบัน

เดิมที Micron ตั้งเป้าว่าจะออกแรม GDDR6 ในปีหน้า 2018 แต่ตัดสินใจเลื่อนให้เร็วขึ้น เพื่อตอบสนองความต้องการของกลุ่มเกมเมอร์ที่เปลี่ยนเครื่องกันบ่อยกว่าพีซีทั่วไป แนวทางของ Micron จะยังขายทั้งแรม GDDR6 สำหรับตลาดบน และ GDDR5X ในตลาดรองลงมา

ตอนนี้ยังไม่แน่ชัดว่าจะมีผู้ผลิตจีพียูรายไหนใช้แรม GDDR6 ช่วงปลายปีนี้หรือไม่ เพราะในตลาดเองก็เริ่มมีแรมแบบใหม่ๆ อย่าง HBM (high-bandwidth memory) ที่ใช้ในจีพียูบางตัวแล้ว เช่น NVIDIA Tesla P100

ชาว Blognone หลายท่านคงเคยผ่านวันวัยของการแต่งคอมพิวเตอร์ด้วยสีสันฉูดฉาด ล่าสุดเมื่อเทรนด์อีสปอร์ตกำลังมา เห็นชัดว่าสีสันเหล่านี้กำลังกลับมาอีกครั้ง บนคีย์บอร์ด เมนบอร์ด และล่าสุดกับแรมจาก G.Skill รุ่นนี้

G.Skill เปิดตัวแรม Trident Z RGB ซึ่งเป็นแรม DDR4 ใช้บนคอมพิวเตอร์เดสก์ท็อปที่มากับจุดเด่นที่ครีบระบายความความร้อนสามารถแผดสีได้แบบ RGB ปรับแต่งจังหวะการกระพริบผ่านซอฟต์แวร์ได้ มากับสเปค DDR4-4266MHz ทำงานบน PCB สิบเลเยอร์ และคัดเม็ดแรมเพื่อการโอเวอร์คล็อกด้วย ราคายังไม่ระบุครับ

TechPowerUp ลงบทความวิเคราะห์ถึงสถานการณ์ชิป NAND ซึ่งเป็นส่วนประกอบของหน่วยความจำประเภท SSD มีแนวโน้มจะขาดตลาด เหตุหนึ่งมาจากฝั่งผู้ผลิตสมาร์ทโฟนต้องการชิปเหล่านี้ (รวมถึงเม็ดแรม DRAM) ไปเพิ่มกำลังการผลิตสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ๆ มากขึ้น

บทความนี้ชี้ถึงความต้องการ SSD ที่สูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปี 2016 ซึ่งสูงขึ้นจากเดิม 41.2% เมื่อเทียบกับปีที่แล้ว หรือคิดเป็น 9.5% จากไตรมาสแรก ขณะกำลังการผลิตรายใหญ่ยังไม่เพียงพอ ซึ่งทั้งตอนนี้ Toshiba และ WD (เจ้าของใหม่ของ SanDisk) กำลังมุ่งผลิตชิปแบบ 3D NAND อยู่ ทำให้อาจผลิตได้ไม่ทันความต้องการ

ข้อมูลเพิ่มเติมจาก DRAMeXchange ชี้ว่าไตรมาสนี้ SSD ทั้งชิปแบบ MLC และ TLC ราคาขึ้นไปแล้วราว 6-10% และปิดท้ายด้วยข้อสรุปว่า เตรียมพบราคา SSD ราคาเพิ่มจากปกติราว 20-25% ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า และปี 2018 ถึงจะกลับสู่ภาวะปกติ

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR4 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพาตัวแรกของโลก แรมตัวนี้ใช้ชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ขนาด 16Gb จำนวน 4 ตัว และใช้กระบวนการผลิตที่ 10 นาโนเมตร

จุดเด่นอีกประการหนึ่งของแรมรุ่นนี้คืออัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 4,266 Mbps ซึ่งเยอะกว่าแรม DDR4 ที่ใช้ในพีซี ซึ่งโดยทั่วไปส่งข้อมูลที่ 2,133 Mbps

ตัวแผ่นแรมมีขนาดเพียง 15x15 มิลลิเมตร หนา 1 มิลลิเมตร ด้วยขนาดเล็กระดับนี้ ทำให้การจับแรมมาอยู่ในแพ็กเกจเดียวกับสตอเรจ UFS หรือแพ็กเพจเดียวกับหน่วยประมวลผล ก็เป็นเรื่องที่เป็นไปได้แล้วในตอนนี้

ซัมซุงพูดชัดเจนว่ากลุ่มเป้าหมายของแรมรุ่นนี้คือ มือถือเรือธงยุคถัดไป ซึ่งเราคงได้เห็นมือถือเรือธงของปีหน้า เริ่มใช้แรมขนาด 8GB กัน

ที่งาน Photokina 2016 เมืองโคโลญจน์ ประเทศเยอรมนี Western Digital โดยแบรนด์ลูก SanDisk ประกาศแสดงและสาธิตการ์ดหน่วยความจำแบบ SDXC ความจุ 1 TB เป็นครั้งแรก และใบแรกของโลก

การ์ด SDXC ความจุ 1 TB ถือเป็นรุ่นต่อของ SanDisk Extreme PRO SDXC UHS-I ขนาด 512 GB ที่บริษัทเปิดตัวไปเมื่อสองปีที่แล้ว โดยตัวแทนของบริษัทระบุว่าการ์ดตัวนี้จะรองรับการบันทึกภาพและวิดีโอที่ความละเอียดสูง รวมถึงงานประเภท virtual reality และสื่อบันเทิงอื่นๆ ที่มีปริมาณมากขึ้นเรื่อยๆ รวมถึงเป็นการพิสูจน์ความสามารถของ Western Digital ว่าสามารถเพิ่มความจุได้เป็นสองเท่า โดยไม่ต้องเปลี่ยนรูปแบบ (form factor)

ยังไม่มีระบุว่าจะผลิตจริงหรือวางจำหน่ายเมื่อใด

ต่อเนื่องจากข่าวของ HBM3 มีความคืบหน้าของ GDDR6 ซึ่งเป็นเมมโมรีบนกราฟิกการ์ดแบบถัดไป ต่อจาก GDDR5X ในปัจจุบัน กับแบนด์วิดท์ 16Gb/s จากเดิมที่ 10Gb/s เมื่อเรียงตัวใช้งานแบบ 256 บิตจะได้แบนด์วิดท์ 512GB/s หรือ 768GB/s ในแบบ 384 บิต (แล้วแต่ผู้ผลิตกราฟิกการ์ดจะออกแบบ)

ความน่าสนใจอยู่ที่กลไกที่ชื่อว่า LP4X ที่จะควบคุมแรงดันไฟเม็ดแรมให้เหมาะสมกับความเร็วสัญญาณนาฬิกาที่ใช้อยู่ตอนนั้น ทำให้ประหยัดพลังงานกว่าเดิมอีก 20%