Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา รองรับ 5G, AI และ UHD ใช้กระบวนการผลิตที่ 10nm

แรม LPDDR5 ขนาด 8GB มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 6,400 Mb/s เร็วขึ้น 1.5 เท่า จากแรม LPDDR4X ที่ให้อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 4,266Mb/s, สามารถส่งข้อมูล 51.2GB หรือวีดีโอ 14 ไฟล์ ความละเอียด Full HD ได้ใน 1 วินาที, มีสองแบนด์วิดท์ ได้แก่ 6,400 Mb/s ขนาดของแรงดันไฟฟ้า 1.1 โวลท์ และ 5,500Mb/s ที่ 1.05 โวลท์

นอกจากนี้ชิป LPDDR5 ยังมีโหมดที่เรียกว่า deep sleep mode ช่วยลดพลังงานให้กับอุปกรณ์พกพาได้ถึง 30% ลดลงครึ่งหนึ่งจาก idle mode ของ LPDDR4X

ส่วนการนำมาใช้จริงจะเริ่มกับมือถือรุ่นใดนั้้น คงต้องรอติดตามกันต่อไป ไม่แน่ว่าอาจเป็น Galaxy S10 ที่จะมาในปีหน้าก็ได้

บริษัท Samsung Electronics ประกาศเริ่มเดินสายการผลิต 32GB DDR4 RAM ในรูปแบบของ SoDIMM (small outline dual in-line memory module หรือ RAM ขนาดเล็กกว่าทั่วไป) ที่ระดับ 10nm โดยมุ่งเน้นประสิทธิภาพระดับพีซีบนแล็ปท็อป ด้วยการเพิ่มความจุและลดการใช้พลังงานลงจากเดิม เพื่อให้สามารถใช้งานแล็ปท็อปได้ยาวนานและมีประสิทธิมากยิ่งขึ้น

เรารู้กันดีว่าวิธีการที่สมองของคนเราสั่งการกล้ามเนื้อต่างๆ รวมทั้งรับข้อมูลจากประสาทรับรู้ ตลอดจนคิดและจดจำเรื่องราวทั้งหลายนั้น คือการส่งผ่านคลื่นสัญญาณไฟฟ้ารูปแบบหนึ่ง แน่นอนว่ามันย่อมมีความเป็นไปได้ว่าการส่งสัญญาณคลื่นไฟฟ้าด้วยวิธีและรูปแบบที่เหมาะสมย่อมสามารถเสริมการทำงานของสมองได้ ตัวอย่างหนึ่งที่เสริมข้อเท็จจริงเรื่องความเป็นไปได้ที่ว่านี้ คืองานวิจัยที่ DARPA ช่วยออกทุนสนับสนุนให้งานหนึ่ง

DARPA ต้องการหาทางช่วยเหลือทหารผ่านศึกที่สมองได้รับการกระทบกระเทือน หลายคนมีปัญหาในการใช้ชีวิตประจำวันเพราะหลงลืมอะไรต่างๆ ได้ง่าย งานวิจัยจึงมีขึ้นเพื่อหาทางช่วยแก้ปัญหาให้แก่วีรบุรุษผู้ผ่านสนามรบเหล่านี้ โดยการใช้คลื่นสัญญาณไฟฟ้ากระตุ้นเข้าไปที่สมอง ทำให้ความสามารถในการจำข้อมูลช่วงสั้นๆ ที่เรียกว่า "ความจำอาศัยเหตุการณ์" ดีขึ้นถึง 35%

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์รายงานผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 4 ของปี 2017 รายได้รวม 65.98 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 24% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน และมีกำไรสุทธิ 12.26 ล้านล้านวอน ซึ่งถือเป็นสถิติใหม่สูงสุดของบริษัทต่อเนื่องอีกไตรมาส

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเป็นธุรกิจหลักของซัมซุง ทั้งในแง่รายได้และกำไร โดยเฉพาะชิ้นส่วนหน่วยความจำ DRAM และ NAND ขณะที่ชิ้นส่วนหน้าจอภาพรวมยังคงเติบโตจาก OLED ที่มีการสั่งซื้อไปใช้กับสมาร์ทโฟนระดับบนเพิ่มขึ้น ส่วน LCD มีคำสั่งซื้อที่ลดลง

ซัมซุงประกาศว่าเตรียมเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR6 ในปริมาณมากสำหรับการ์ดจอแล้ว โดยชิปจะถูกผลิตบนสถาปัตยกรรม 10 นาโนเมตร ความเร็วในการส่งข้อมูล 18Gbps อัตราส่งข้อมูลสูงสุด 72Gbps ใช้แรงดันไฟฟ้า 1.35V

ซัมซุงระบุว่าประสิทธิภาพของแรม GDDR6 ช่วยให้การ์ดจอประมวลผลวิดีโอ, เกมและขุดเหมืองเร็วกว่า GDDR5X มาก โดยจะสามารถพบแรม GDDR6 ได้ในการ์ดจอรุ่นใหม่ที่จะเปิดตัวหลังจากนี้

ที่มา - ArsTechnica

ซัมซุงรายงานผลการดำเนินงานของไตรมาสที่ 3 ปี 2017 ซึ่งมีรายละเอียดเพิ่มเติมจากตัวเลขคาดการณ์เมื่อต้นเดือน โดยมีรายได้รวม 62.05 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 29.8% จากช่วงเดียวกันในปีก่อน มีกำไรจากการดำเนินงาน 14.53 ล้านล้านวอน และมีกำไรสุทธิ 11.19 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 146% เนื่องจากปีที่แล้วกำไรลดลงมากจากปัญหา Galaxy Note 7

ธุรกิจผลิตชิ้นส่วนยังคงเติบโตต่อเนื่องทุกไตรมาส และกลายมาเป็นธุรกิจหลักของซัมซุงไปแล้ว รายได้ส่วนนี้อยู่ที่ 28.02 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 38% เฉพาะธุรกิจหน่วยความจำเพิ่มขึ้นถึง 65% และชิ้นส่วนหน้าจอเพิ่มขึ้น 17% ขณะที่ธุรกิจโทรศัพท์รายได้เพิ่มขึ้น 23% เป็น 27.69 ล้านล้านวอน ซึ่งกำไรส่วนใหญ่ก็อยู่ที่ธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์

Samsung Electronics เตรียมลงทุนจำนวน 7 พันล้านดอลลาร์ในเวลา 3 ปีข้างหน้า เพื่อขยายกำลังการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ในเมืองซีอาน ประเทศจีน โดยตอนนี้ได้อนุมัติเงินจำนวน 2.3 พันล้านดอลลาร์แล้ว

ปัจจุบัน Samsung นั้นมีรายได้จากการผลิตคิดเป็น 38.3% ของรายได้จากการผลิตชิพเมมโมรี่ NAND flash ทั่วโลกในช่วงเดือนเมษายนถึงเดือนมิถุนายน โดยการลงทุนครั้งนี้ โฆษกของ Samsung Electronics ปฏิเสธที่จะให้ความเห็นเกี่ยวกับกำลังการผลิตที่จะเพิ่มขึ้นว่าจะเพิ่มขึ้นได้เท่าไร

ที่มา - Reuters

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

จากเหตุการณ์ Huawei P10/P10 Plus ใช้แรมและหน่วยความจำหลายชนิด รวมถึงเกิดความสงสัยว่า Mate 9 มีความเกี่ยวข้องกับเหตุการณ์ดังกล่าวด้วยหรือไม่ ล่าสุด Huawei ประเทศไทยได้แถลงผ่านหน้าเฟซบุ๊กของบริษัทแล้ว

Huawei ประเทศไทยระบุว่ามาตรฐาน UFS 2.1 และ 2.0 มีความเร็วเท่าเทียมกัน ระหว่าง 249.6 - 583.04 MB/s และใน Huawei Mate 9 เป็นไปตามมาตรฐาน UFS 2.1

ส่วนในรุ่น P10/P10 Plus ได้บอกเหมือนกับที่ Huawei ต่างประเทศได้แถลงมาก่อนหน้านี้ คือบริษัทฯ มีมาตรฐานในการเลือกใช้ชิ้นส่วนจากผู้ผลิตที่น่าเชื่อถือทั่วโลก เพื่อให้มีปริมาณการผลิตที่เพียงพอต่อความต้องการของผู้บริโภค พร้อมยืนยันว่าทั้ง P10/P10 Plus และ Mate 9 ใช้แรม LPDDR4 (โพสต์ต้นทางใช้คำว่า DDR4)

นอกจากนี้หากลูกค้ามีข้อสงสัย สามารถติดต่อศูนย์บริการลูกค้าที่ MBK Center ได้ระหว่างเวลา 10.30 - 19.30 น.

ที่มา - Facebook: Huawei Mobile

หนึ่งในสมาร์ทโฟนยอดฮิตในขณะนี้ย่อมหนีไม่พ้น Huawei P10 และ P10 Plus ที่เพิ่งเปิดตัวและวางจำหน่ายไปไม่นาน และก็มีข่าวว่าผู้ใช้พบว่าการทดสอบเบนช์มาร์กด้านความเร็วหน่วยความจำในหลายๆ เครื่องได้ผลต่างกันมาก ล่าสุด Huawei ออกมายอมรับแล้วว่า P10 และ P10 Plus ที่วางจำหน่ายอยู่จะมาพร้อมสเปกแรมและหน่วยความจำที่แตกต่างกันไป

Huawei ระบุว่าแรมของ P10 และ P10 Plus จะมีทั้งแบบ LPDDR3 และ LPDDR4 และหน่วยความจำจะมีทั้ง UFS 2.0, UFS 2.1 และ eMMC 5.1 เลยทีเดียว โดยแรม LPDDR3 และ LPDDR4 ตามสเปกแล้วมีแบนด์วิดท์ต่างกันถึงเท่าตัว คือ 12.8GB/s และ 25.6GB/s และใช้ไฟที่ 1.2 และ 1.1 โวลต์ตามลำดับ ส่วนหน่วยความจำ UFS 2.0 กับ 2.1 ไม่ค่อยต่างกัน แต่ทั้งสองแบบนั้นเร็วกว่า eMMC 5.1 อย่างมาก ตามตารางด้านล่าง

JEDEC กลุ่มมาตรฐานด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีสมาชิกเกือบ 300 ราย ประกาศว่ามาตรฐานของแรม DDR5 รุ่นถัดไป "น่าจะ" เสร็จภายในปีหน้า 2018 โดยจะมีแบนด์วิดท์สูงกว่าแรม DDR4 ในปัจจุบันถึง 2 เท่า

นอกจากนี้ แรม DDR5 จะยังมีความหนาแน่นของการจัดวางชิป (density) เพิ่มขึ้นอีก 2 เท่าเช่นกัน และมีการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ตอนนี้ยังมีข้อมูลของสเปก DDR5 ออกมาแค่นี้ รายละเอียดทางเทคนิคคงต้องรอกันต่อไป (DDR5 ไม่เกี่ยวอะไรกับ GDDR5)

อินเทลร่วมมือกับไมครอน เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่เรียกว่า 3D XPoint มาตั้งแต่ปี 2015 โดยโฆษณาว่ามันเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ NAND ที่ใช้กันในปัจจุบันถึง 1,000 เท่า, ทนทานกว่ากัน 1,000 เท่า และจัดเรียงชิปหน่วยความจำได้หนาแน่นกว่า DRAM 10 เท่า

อินเทลตั้งเป้านำ 3D XPoint มาใช้ทำสตอเรจ SSD ความเร็วสูงภายใต้แบรนด์ Optane ที่วางตัวไว้เป็น "แคชความเร็วสูง" ที่อยู่ระหว่างแรมกับสตอเรจ หรือบางครั้งอาจมองว่ามันเป็นส่วนขยายของแรมก็ได้ ด้วยการที่มันทำงานได้เร็วมากๆ นั่นเอง

หลังจากโฆษณามานานและเลื่อนกำหนดวางขายมาหลายรอบ ในที่สุดผลิตภัณฑ์ตัวแรก Intel Optane SSD DC P4800X ก็เริ่มวางขายแล้ว

Micron ประกาศนำแรมแบบ GDDR6 ลงสู่ตลาดภายในปีนี้ โดยแรมแบบ GDDR6 มีอัตราการส่งข้อมูล 16Gbps เหนือกว่าแรม GDDR5X ที่ทำได้ 12Gbps ในปัจจุบัน

เดิมที Micron ตั้งเป้าว่าจะออกแรม GDDR6 ในปีหน้า 2018 แต่ตัดสินใจเลื่อนให้เร็วขึ้น เพื่อตอบสนองความต้องการของกลุ่มเกมเมอร์ที่เปลี่ยนเครื่องกันบ่อยกว่าพีซีทั่วไป แนวทางของ Micron จะยังขายทั้งแรม GDDR6 สำหรับตลาดบน และ GDDR5X ในตลาดรองลงมา

ตอนนี้ยังไม่แน่ชัดว่าจะมีผู้ผลิตจีพียูรายไหนใช้แรม GDDR6 ช่วงปลายปีนี้หรือไม่ เพราะในตลาดเองก็เริ่มมีแรมแบบใหม่ๆ อย่าง HBM (high-bandwidth memory) ที่ใช้ในจีพียูบางตัวแล้ว เช่น NVIDIA Tesla P100

ชาว Blognone หลายท่านคงเคยผ่านวันวัยของการแต่งคอมพิวเตอร์ด้วยสีสันฉูดฉาด ล่าสุดเมื่อเทรนด์อีสปอร์ตกำลังมา เห็นชัดว่าสีสันเหล่านี้กำลังกลับมาอีกครั้ง บนคีย์บอร์ด เมนบอร์ด และล่าสุดกับแรมจาก G.Skill รุ่นนี้

G.Skill เปิดตัวแรม Trident Z RGB ซึ่งเป็นแรม DDR4 ใช้บนคอมพิวเตอร์เดสก์ท็อปที่มากับจุดเด่นที่ครีบระบายความความร้อนสามารถแผดสีได้แบบ RGB ปรับแต่งจังหวะการกระพริบผ่านซอฟต์แวร์ได้ มากับสเปค DDR4-4266MHz ทำงานบน PCB สิบเลเยอร์ และคัดเม็ดแรมเพื่อการโอเวอร์คล็อกด้วย ราคายังไม่ระบุครับ

TechPowerUp ลงบทความวิเคราะห์ถึงสถานการณ์ชิป NAND ซึ่งเป็นส่วนประกอบของหน่วยความจำประเภท SSD มีแนวโน้มจะขาดตลาด เหตุหนึ่งมาจากฝั่งผู้ผลิตสมาร์ทโฟนต้องการชิปเหล่านี้ (รวมถึงเม็ดแรม DRAM) ไปเพิ่มกำลังการผลิตสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ๆ มากขึ้น

บทความนี้ชี้ถึงความต้องการ SSD ที่สูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปี 2016 ซึ่งสูงขึ้นจากเดิม 41.2% เมื่อเทียบกับปีที่แล้ว หรือคิดเป็น 9.5% จากไตรมาสแรก ขณะกำลังการผลิตรายใหญ่ยังไม่เพียงพอ ซึ่งทั้งตอนนี้ Toshiba และ WD (เจ้าของใหม่ของ SanDisk) กำลังมุ่งผลิตชิปแบบ 3D NAND อยู่ ทำให้อาจผลิตได้ไม่ทันความต้องการ

ข้อมูลเพิ่มเติมจาก DRAMeXchange ชี้ว่าไตรมาสนี้ SSD ทั้งชิปแบบ MLC และ TLC ราคาขึ้นไปแล้วราว 6-10% และปิดท้ายด้วยข้อสรุปว่า เตรียมพบราคา SSD ราคาเพิ่มจากปกติราว 20-25% ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า และปี 2018 ถึงจะกลับสู่ภาวะปกติ

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR4 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพาตัวแรกของโลก แรมตัวนี้ใช้ชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ขนาด 16Gb จำนวน 4 ตัว และใช้กระบวนการผลิตที่ 10 นาโนเมตร

จุดเด่นอีกประการหนึ่งของแรมรุ่นนี้คืออัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 4,266 Mbps ซึ่งเยอะกว่าแรม DDR4 ที่ใช้ในพีซี ซึ่งโดยทั่วไปส่งข้อมูลที่ 2,133 Mbps

ตัวแผ่นแรมมีขนาดเพียง 15x15 มิลลิเมตร หนา 1 มิลลิเมตร ด้วยขนาดเล็กระดับนี้ ทำให้การจับแรมมาอยู่ในแพ็กเกจเดียวกับสตอเรจ UFS หรือแพ็กเพจเดียวกับหน่วยประมวลผล ก็เป็นเรื่องที่เป็นไปได้แล้วในตอนนี้

ซัมซุงพูดชัดเจนว่ากลุ่มเป้าหมายของแรมรุ่นนี้คือ มือถือเรือธงยุคถัดไป ซึ่งเราคงได้เห็นมือถือเรือธงของปีหน้า เริ่มใช้แรมขนาด 8GB กัน

ที่งาน Photokina 2016 เมืองโคโลญจน์ ประเทศเยอรมนี Western Digital โดยแบรนด์ลูก SanDisk ประกาศแสดงและสาธิตการ์ดหน่วยความจำแบบ SDXC ความจุ 1 TB เป็นครั้งแรก และใบแรกของโลก

การ์ด SDXC ความจุ 1 TB ถือเป็นรุ่นต่อของ SanDisk Extreme PRO SDXC UHS-I ขนาด 512 GB ที่บริษัทเปิดตัวไปเมื่อสองปีที่แล้ว โดยตัวแทนของบริษัทระบุว่าการ์ดตัวนี้จะรองรับการบันทึกภาพและวิดีโอที่ความละเอียดสูง รวมถึงงานประเภท virtual reality และสื่อบันเทิงอื่นๆ ที่มีปริมาณมากขึ้นเรื่อยๆ รวมถึงเป็นการพิสูจน์ความสามารถของ Western Digital ว่าสามารถเพิ่มความจุได้เป็นสองเท่า โดยไม่ต้องเปลี่ยนรูปแบบ (form factor)

ยังไม่มีระบุว่าจะผลิตจริงหรือวางจำหน่ายเมื่อใด

ต่อเนื่องจากข่าวของ HBM3 มีความคืบหน้าของ GDDR6 ซึ่งเป็นเมมโมรีบนกราฟิกการ์ดแบบถัดไป ต่อจาก GDDR5X ในปัจจุบัน กับแบนด์วิดท์ 16Gb/s จากเดิมที่ 10Gb/s เมื่อเรียงตัวใช้งานแบบ 256 บิตจะได้แบนด์วิดท์ 512GB/s หรือ 768GB/s ในแบบ 384 บิต (แล้วแต่ผู้ผลิตกราฟิกการ์ดจะออกแบบ)

ความน่าสนใจอยู่ที่กลไกที่ชื่อว่า LP4X ที่จะควบคุมแรงดันไฟเม็ดแรมให้เหมาะสมกับความเร็วสัญญาณนาฬิกาที่ใช้อยู่ตอนนั้น ทำให้ประหยัดพลังงานกว่าเดิมอีก 20%

เมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา Samsung ประกาศเปิดตัวชิปแรมขนาด 6 GB ที่ผลิตบนเทคโนโลยี 10 nm ที่งาน Mobile Solutions Forum จัดขึ้นที่เมือง Shenzhen ประเทศจีน

ตัวชิปดังกล่าวมีรายละเอียดน้อยมาก นอกจากระบุว่าทำงานตามมาตรฐาน LPDDR4 เท่านั้น ซึ่งสื่ออย่าง Android Authority คาดว่าชิปตัวนี้จะถูกเอาไปใช้กับสมาร์ทโฟนที่เป็นเรือธงตัวต่อไปของบริษัท ซึ่งก็คือ Galaxy Note 6 ครับ

ที่มา - Android Authority

ที่งาน IEEE International Memory Workshop ในปีนี้ IBM โดยนักวิจัยจาก IBM Research ประกาศความสำเร็จในการทำให้หน่วยความจำแบบ PCM (phase-change memory) สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อหนึ่งเซลล์อย่างเป็นทางการ และถือเป็นการเปิดโอกาสให้กับแนวทางการเก็บข้อมูลในอนาคต

เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลทุกวันนี้ก้าวหน้าไปมาก คนรุ่นพ่อรุ่นแม่เราตอนที่พวกท่านยังหนุ่มสาวคงยากจะคิดว่าการจะเก็บภาพนับพันนับหมื่นภาพในอุปกรณ์ที่เล็กกว่าอุ้งมือแทนอัลบั้มภาพกองพะเนินนั้นจะเป็นอย่างไร ตอนที่พวกเรายังเด็กก็อาจจะไม่เคยฉุกคิดว่าไม่ทันที่เราจะแก่เราจะได้เห็นเทคโนโลยีที่เก็บบทเพลงจากเทปคาสเซทนับร้อยม้วนลงในการ์ดความจำที่เล็กเพียงปลายนิ้วมือได้สำเร็จ แต่ที่ว่ามานั้นยังห่างไกลจากการเก็บข้อมูลของสมอง กระบวนการธรรมชาติที่มีกลวิธีในการจดจำบันทึกเรื่องราวแตกต่างจากคอมพิวเตอร์ที่มองทุกอย่างด้วยพื้นฐานเลข "0" และ "1"

ปี 2016 ดูจะเป็นปีที่ฝั่งการ์ดจอวิ่งไวเป็นพิเศษ หลังจากเพิ่งมีรายงานว่าซัมซุงเริ่มเดินเครื่องผลิต HBM2 หน่วยความจำไฮเอนด์ได้ไม่กี่วัน JEDEC องค์กรที่กำกับดูแลเกี่ยวกับเซมิคอนดัคเตอร์ก็ออกมาประกาศมาตรฐาน GDDR5X อย่างเป็นทางการแล้ว

มาตรฐาน GDDR5X จะยังคงใช้สเปคเดียวกับ GDDR5 แต่เพิ่มแบนด์วิทด์ต่อ die เป็นเท่าตัวไปอยู่ที่ 10-14 Gb/s ซึ่งแม้ว่าจะเทียบกับ HBM2 (หรือแม้แต่ HBM) ไม่ได้เลย แต่การองรับเทคโนโลยีเดิมๆ อย่างครบถ้วนก็เป็นแต้มต่อของ GDDR5X อยู่

คาดกันว่าทั้งสองค่ายการ์ดจอน่าจะใช้ GDDR5X กับการ์ดจอรุ่นกลางลงมา และเริ่มนำ HBM2 ไปใช้กับรุ่นไฮเอนด์ในเร็วๆ นี้

เมื่อกลางปีก่อนในงานเปิดตัว R9 Fury X การ์ดจอรุ่นเรือธงตัวใหม่ที่มาพร้อมกับหน่วยความจำแบบ HBM ซึ่งมีจุดเด่นอยู่ที่แบนด์วิดท์กว้างยังกับทะเลถึง 512GB/s ล่าสุดมีรายงานความคืบหน้าของหน่วยความจำตัวต่อไปอย่าง HBM2 มาแล้ว

รายงานชิ้นใหม่ระบุว่าซัมซุงได้เริ่มผลิตหน่วยความจำ HBM2 เป็นจำนวนมากแล้ว โดยฟีเจอร์ใหม่ที่มาพร้อมกับ HBM2 จะมีตั้งแต่การซ้อนชิปหน่วยความจำได้สี่ชั้น เพิ่มแบนด์วิดท์สูงสุดเป็น 1,024GB/s และสามารถเพิ่มความจุสูงสุดถึง 16GB จากรุ่นแรกที่จำกัดอยู่ที่ 4GB

สำหรับไลน์การผลิตของซัมซุงจะผลิตบนขนาด 20 นาโนเมตร โดยเริ่มจากตัวสี่ชิปที่ความจุชิปละ 8Gb ก่อน (รวมเป็น 4GB) และจะขยับไปทำรุ่นที่ใช้ชิปซ้อนกัน 8 ตัวในภายหลัง

ซัมซุงเปิดตัวแรม DDR4 แบบ RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ให้พื้นที่แผงละ 128GB สำหรับงานในศูนย์ข้อมูลที่ต้องการพื้นที่แรมสูงๆ

โมดูลแรมที่พื้นที่สูงขนาดนี้อาศัยชิปความจุ 4GB จำนวน 36 ชิป (รวมพื้นที่ 144GB แต่เนื่องจากข้อมูลบางส่วนเป็น ECC จึงใช้งานได้จริง 128GB) แต่ะชิปเป็นแผงซิลิกอนความจุ 8Gb จำนวน 4 แผง เชื่อมต่อกันเป็นชิปเดียวด้วยเทคโนโลยีการบรรจุชิป "through silicon via" (TSV)

ตอนนี้เริ่มเดินสายการผลิตแล้ว อีกไม่นานน่าจะหาสั่งซื้อมาใช้งานกันได้

ที่มา - Samsung

เป็นเรื่องที่ค้างคากันมานานว่าจริงๆ แล้ว iPhone 6s นั้นมาพร้อมกับแรมเท่าไหร่กันแน่ แต่จากอัพเดตล่าสุดของ Xcode เริ่มมีการให้ข้อมูลในเรื่องดังกล่าวออกมาแล้ว โดยผู้ที่สามารถแกะออกมาได้ คือนักพัฒนา iOS รายหนึ่งที่มีชื่อว่า Hamza Sood

Hamza Sood อธิบายว่า ใน iOS Emulator จะมีการส่งค่า memoryClass ของตัวเครื่องจริงออกมาเพื่อทดสอบการทำงานของแอพพลิเคชันด้วย และเขาได้ใช้เทคนิคดังกล่าวในการเขียนแอพพลิเคชันเพื่อแสดงค่าออกมา ซึ่งผลก็คือ iPhone 6s (และ iPhone 6s Plus) จะมาพร้อมกับแรม 2GB และ iPad Pro มาพร้อมกับแรม 4GB ซึ่งมากที่สุดในบรรดาอุปกรณ์ iOS ทั้งหมด ที่มีขนาดแรมส่วนใหญ่ที่ 1GB