นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)

ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล

เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก

เอเอ็มดีช่วงหลังแม้จะมีชิปเซ็ต, GPU, และซีพียู เป็นของตัวเองแล้วแต่สิ่งหนึ่งที่ขาดอยู่คือแรมที่ยังต้องอาศัยแบรนด์อื่นๆ อยู่ ล่าสุดเว็บของเอเอ็มดีก็ปรากฏสินค้า AMD Radeon™ Memory for Systems เป็น DIMM สำหรับเครื่องเดสก์ทอปและเซิร์ฟเวอร์ปรากฏขึ้นมาโดยไม่มีการประกาศล่วงหน้า

เอเอ็มดีระบุว่าแรมของเอเอ็มดีเองจะออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์มของตัวเองโดยเฉพาะ โดยแบ่งสินค้าออกเป็นสามตระกูลคือ Entertainment, ULTRA PRO Gaming, และ Enterprise ในหน้าสินค้าตอนนี้มีเฉพาะรุ่น 2GB เท่านั้น

ยังไม่ประกาศราคาแต่ตอนนี้คนสนใจยี่ห้อแรมกันเยอะพอให้เอเอ็มดีต้องลงมาสู้ในตลาดนี้เองเลยหรือ?

ที่มา - AMD

ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป

Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป

ที่มา: BGR

จากเหตุการณ์แผ่นดินไหวที่ประเทศญี่ปุ่นเมื่อวานนี้ ทำให้เกิดความกังวลถึงปริมาณอุปทานของสินค้าหลายอย่างซึ่งมีฐานการผลิตหลักในญี่ปุ่น ซึ่งชิปหน่วยความจำก็เป็นหนึ่งในนั้น โดยเฉพาะสินค้าอย่างหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญในโทรศัพท์มือถือและแท็บเล็ต ซึ่งปัจจุบันบริษัท Toshiba ซึ่งพาร์ทเนอร์การผลิตร่วมกับ SanDisk มีส่วนแบ่งการตลาดของหน่วยความจำแฟลชถึง 35%

โฆษกของ Toshiba กล่าวว่าบริษัทกำลังตรวจสอบความเสียหายของโรงงานต่างๆอยู่ บางโรงงานมีปัญหาเรื่องระบบไฟฟ้า แต่ส่วนใหญ่สามารถเริ่มการผลิตได้ตามปกติแล้ว ส่วนที่น่ากังวลมากกว่าคือปัญหาการขนส่งสินค้าเนื่องจากทุกเส้นทางทั้งทางบก ทางน้ำ ทางอากาศล้วนได้รับความเสียหาย

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล

ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%

เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้

SanDisk วางขาย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟที่ได้ไลเซนส์มาจากไมโครซอฟท์แล้ว สามารถใช้บันทึกข้อมูลจากคอนโซลหนึ่งไปอีกคอนโซลหนึ่งได้ อาทิ ข้อมูลการเล่นเกม, gamertags, map packs เป็นต้น สนนราคา 8GB ที่ 34.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 1,300 บาท) และ 16GB ที่ 69.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 2,300 บาท) นอกจากนั้น SanDisk ยังแถม Xbox LIVE Gold เป็นเวลา 1 เดือนให้กับผู้ซื้อแฟลชไดร์ฟทั้งสองรุ่นอีกด้วย หน้าตาเป็นอย่างไรดูได้จากท้ายข่าว

ที่มา: Engadget

ซัมซุงเตรียมเปิดโรงงานผลิตชิป NAND Flash ขนาดจิ๋วเพียง 20 nm โดยมันจะถูกรวมอยู่ใน SD card และพวกหน่วยความจำต่างๆ ซัมซุงยังกล่าวว่า NAND Flash ขนาดจิ๋วเขียนและรับข้อมูลได้รวดเร็วมาก

NAND Flash ขนาดจิ๋ว 20 nm ให้ความเร็วของการทำงานเพิ่มขึ้น 50% จากรุ่นก่อน (30 nm) โดยจะเขียนข้อมูลที่ความเร็ว 10MB/s และอ่านข้อมูลที่ 20MB/s โดยจะฝังอยู่ในหน่วยความจำขนาดตั้งแต่ 4GB - 64GB

ที่มา - SamsungHUB

ปัญหาสำคัญของคอมพิวเตอร์แบบซีพียูหลายคอร์นั้นคือการเข้าถึงหน่วยความจำที่เป็นคอขวดของระบบเสมอๆ วันนี้ทาง Rambus ผู้พัฒนา RDRAM ที่เคยใช้ในเมนบอร์ดของอินเทลและ XDR DRAM ที่ใช้ใน PS3 นั้นก็ประกาศเทคโนโลยีใหม่คือ Threaded Memory

ทาง Rambus อ้างว่าเทคโนโลยีนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการส่งข้อมูลได้มากถึงร้อยละ 50 ขณะที่ลดการใช้พลังงานลงร้อยละ 20

ยังไม่มีรายละเอียดเชิงเทคนิคว่าทาง Rambus ใช้เทคนิคอะไรในการเพิ่มความเร็วนี้ แต่ที่มีการเปิดเผยออกมาคือ Threaded Memory นั้นสามารถใช้กับหน่วยความจำแบบ DDR3 ที่มีราคาไม่แพงนักได้ และระบบหน่วยความจำจะรองรับการส่งข้อมูลครั้งละ 64 ไบต์ มากกว่าหน่วยความจำทั่วไปในปัจจุบันถึง 8 เท่า ที่รองรับเพียง 64 บิต หรือ 8 ไบต์เท่านั้น

แม้ว่า DDR3 จะยังดูไกลเกินเอื้อมสำหรับเราหลายๆ คน แต่วันนี้เองทางซัมซุงก็ออกโมดูลแรม DDR3 ขนาด 32 กิกะไบต์ มาให้เราฝันถึงกันแล้ว โดยแรมรุ่นใหม่นี้ผลิตด้วยเทคโนโลยี 50 นาโนเมตร และทำงานที่ความต่างศักย์ 1.35 โวลต์ ต่ำกว่าโมดูลปรกติที่ใช้ไฟ 1.5 โวลต์ทำให้ปรัะหยัดพลังงานกว่า และทางซัมซุงยังอ้างว่าช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้สูงขึ้นไปด้วย

ถ้าใครซื้อมาซัก 6 แถวใส่กับบอร์ด i7 แล้วช่วยส่งผล Benchmark มาให้เพื่อนๆ กันบ้างนะครับ

ที่มา - I4U

SDXC (SD eXtended Capacity) ที่จะใช้ exFAT ของ Microsoft สามารถสร้างการ์ดตามทฤษฎีให้มีขนาดได้ถึง 2TB ไม่ใช่ 2GB นะครับ และด้วยความจุนี้สามารถจุ 100 ภาพยนตร์ความละเอียดสูง 100 เรื่อง, ใช้บันทึกภาพยนตร์ความละเอียดสูงจากกล้องเป็นระยะเวลา 60 ชั่วโมง และถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็ว300MBps แผนการวางขายความว่าน่าจะอยู่ในช่วงเดือนมีนาคม และแน่นอนว่าวันแรกที่วางขายย่อมมีขนาดน้อยกว่า 2TB

ที่มา - Engadget

SanDisk ผู้ผลิตการ์ดหน่วยความจำรายใหญ่ประกาศนำการ์ดหน่วยความจำสำหรับเครื่องโทรศัพท์เคลื่อนที่ออกจำหน่ายแล้วในชื่อรุ่น Mobile Ultra microSDHC และ Memory Stick Micro (M2) ที่มีขนาดความจุของหน่วยความจำสูงถึง 16 กิกะไบต์ (GB) ซึ่งกล่าวอ้างว่าเป็นอุปกรณ์หน่วยความจำแบบถอดออกได้ ที่มีขนาดความจุมากที่สุดในโลก

และเพื่อเพิ่มความสะดวกในการใช้งาน ตัวการ์ดดังกล่าวจะจำหน่ายพร้อมกับ MobileMate Micro Reader ที่สามารถเสียบเข้ากับพอร์ต USB 2.0-compatible ได้โดยตรง

บริษัทตั้งราคาจำหน่ายของการ์ด Mobile Ultra microSDHC และ Memory Stick Micro (M2) ขนาด 16GB นี้ไว้ที่ 119.99 และ 129.99 เหรียญสหรัฐ ตามลำดับ

คาดกันว่าในอนาคต คอมพิวเตอร์จะมีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ รวมทั้งเครื่องพกพาต่างๆ ตั้งแต่เครื่องโทรศัพท์มือถือ และกล้องถ่ายภาพ ไปจนถึงเครื่องเล่นเพลงและเครื่อง laptops จะมีสมรรถนะที่ดีขึ้น อันเป็นผลจากการแข่งขันกันพัฒนาหน่วยความจำ (memory) ที่สามารถสนองตอบความต้องการและความพึงพอใจที่ต้องการหน่วยความจำจัดเก็บข้อมูลที่มีขนาดเล็กลง

นักวิจัยที่มหาวิทยาลัยน็อตติงแฮม กำลังหาช่องทางใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติของ “ท่อนาโนคาร์บอน” (carbon nanotube) เพื่อประดิษฐ์เซ็ลหน่วยความจำที่มีราคาถูกและเล็กกะทัดรัดโดยใช้กำลังไฟต่ำและมีความเร็วในการจัดเก็บข้อมูลสูง

Hynix บริษัทผลิตชิพคอมพิวเตอร์ของเกาหลีใต้ ซึ่งตอนนี้เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำที่ใหญ่เป็นอันดับ 5 ของโลก ประกาศแผนในอนาคตที่จะขึ้นเป็นผู้นำด้านการผลิตชิพแทน Intel หรือ AMD ใน 10 ปีข้างหน้า และหวังจะมียอดขายที่เจริญเติบโตสูงจาก 7.7 พันล้านดอลลาร์ ในปี 2006 เป็น 18 พันล้านดอลลาร์ในปี 2010 และเพิ่มขึ้นเป็น 25 พันล้านดอลลาร์ในปี 2012

Hynix ยังวางแผนที่จะพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ และได้ออกชิพหน่วยความจำแบบใหม่ชื่อ Phase-change Random Access Memory (PRAM) ซึ่งนักวิเคราะห์ต่างๆเชื่อว่าจะเป็นชิพที่มีความสำคัญในการมาแทนที่หน่วยความจำแบบ Flash ต่อไป

ที่มา - EnGadget.com