Samsung เปิดตัว DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5X หรือ LPDDR5X แบบ 16Gb เป็นครั้งแรกของวงการชิปความจำ ผลิตด้วยกระบวนการขนาด 14 นาโนเมตร (nm) และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับการทำงานที่ต้องใช้หน่วยความจำความเร็วสูง เช่นการทำงานกับข้อมูลที่ส่งผ่าน 5G การทำงานกับปัญญาประดิษฐ์, AR และ metaverse

แรม LPDDR5X ของ Samsung ใส่แรมได้สูงสุด 64GB ต่อหนึ่งแพ็กเกจหน่วยความจำ มีความเร็วประมวลผลอยู่ที่ 8.5 Gbps (กิกะบิตต่อวินาที) เร็วกว่า 6.4 Gbps ของ LPDDR5 ถึง 1.3 เท่าตัว และใช้พลังงานน้อยกว่าราว 20% จากการลดขนาดกระบวนการผลิตไปอยู่ที่ 14 นาโนเมตร

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง (high-k dielectrics) มาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc 'Genoa' ของ AMD หรือ Xeon Scalable 'Sapphire Rapids' ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

Strategy Analytics เปิดเผยว่า Samsung ยังคงครองส่วนแบ่งตลาดชิปหน่วยความจำมือถือมากที่สุดในไตรมาสแรกของปีนี้ ที่มีมูลค่ารวมทั้งหมด 9.4 พันล้านเหรียญ โดยมีส่วนแบ่งตลาดถึง 50% ตามมาด้วยบริษัท SK Hynix และ Micron เป็นอันดับสองและสาม โดยสามบริษัทนี้รวมกัน ครองส่วนแบ่งตลาดถึง 84%

เมื่อแยกเป็นตลาดชิปแบบ NAND ฝั่ง Samsung Memory ครองส่วนแบ่ง 43.8% ตามมาด้วย Kioxia ที่ 21% และ SK Hynix ที่ 16% ภาพรวมของตลาดเติบโตขึ้น 4% จากไตรมาสเดียวกันในปีที่แล้ว จากราคาของชิป NAND ที่ทรงตัวขึ้น บวกกับอุปสงค์ที่เพิ่มขึ้นของชิปหน่วยความจำประเภทแฟลช