Memory

ซัมซุงเปิดตัวหน่วยความจำ LPDDR3 4GB บนอุปกรณ์พกพา, เริ่มใช้ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า

By Blltz

on 2 May 2013 - 18:06 Tag: Samsung, RAM, Movile, Memory

Samsung

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

Toshiba พัฒนา RAM ที่ช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

By ตะโร่งโต้ง

on 18 December 2012 - 00:34 Tag: Toshiba, Memory

Toshiba

Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

มาตรฐานแรม DDR4 ออกแล้ว

By lew

on 27 September 2012 - 03:37 Tag: Open Standard, Hardware, Hardware, Hardware, Memory

Open Standard

แรมพีซีตอนนี้ที่เราใช้กันมักเป็นมาตรฐาน DDR3 (หรือยังมี DDR2 บ้างในโทรศัพท์มือถือ) และตอนนี้ JEDEC หน่วยงานออกมาตรฐานด้านเซมิคอนดักเตอร์ก็ออกมาตรฐาน JESD79-4 หรือมาตรฐาน DDR4 ให้ดาวน์โหลดแล้ว พร้อมเปิดเวิร์คชอปสำหรับนักพัฒนาปลายเดือนตุลาคมนี้

มาตรฐานช่วงเริ่มต้น จะรองรับการส่งข้อมูล 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาทีเป็นขั้นต่ำ และ 3.2 พันล้านครั้งต่อวินาทีที่ความเร็วสูงสุด แต่ในมาตรฐาน DDR3 ที่ตอนออกมาตรฐานกำหนดความเร็วสูงสุด 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาที ก็มีการออกชิปรุ่นใหม่ๆ ที่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้นจนทำความเร็วได้เกินมาตรฐาน ใน DDR4 ก็คาดว่าจะทำได้แบบเดียวกัน

Micron ประกาศเปิดสเปค DDR4 พร้อมส่งตัวอย่างให้คู่ค้าบางราย เริ่มผลิตจำนวนมากปลายปี

By Blltz

on 8 May 2012 - 17:55 Tag: RAM, Micron, Memory

RAM

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

ซัมซุงเปิดตัวแรมรุ่นใหม่สำหรับมือถือ LPDDR3 SDRAM

By mk

on 26 February 2012 - 22:04 Tag: Samsung, Hardware, Hardware, Hardware, Memory

Samsung

ข่าวเก่าไปสักเล็กน้อยแต่ยังใช้ได้อยู่นะครับ

Samsung Electronics ประกาศแผนการผลิตแรมพลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่คือ LPDDR3 SDRAM โดยซัมซุงจะสามารถผลิตหน่วยความจำขนาด 4 Gb ที่ขนาด 30nm และกินไฟ 1.2V

ปัจจุบันแรมในมือถือใช้ LPDDR2 ที่มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 800Mbps ต่อหน่วย (terminal) และมีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดต่อชิปที่ 3.2Gbps ในขณะที่แรม LPDDR3 มีอัตราการส่งข้อมูลต่อ terminal มากกว่ากันเท่าตัวคือ 1.6Gbps โดยที่แรมทั้งสองชนิดกินไฟเท่ากัน

ซัมซุงบอกว่าแรมแบบใหม่ LPDDR3 จะกลายเป็นแรมมาตรฐานของมือถือในปีนี้

[ข่าวลือ] แอปเปิลเตรียมเข้าซื้อบริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลช Anobit

By toandthen

on 14 December 2011 - 02:02 Tag: Apple, Memory

Apple

ข่าวลือจากสำนักข่าวรอยเตอร์ส อ้างว่าแอปเปิลได้เตรียมที่จะเข้าซื้อ Anobit บริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชเมโมรี่จากประเทศอิสราเอลที่ราคาประมาณ 400 หรือ 500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ

Anobit เป็นบริษัทที่เชี่ยวชาญในเรื่อง signal processing สำหรับชิปหน่วยความจำ ทำให้สามารถเพิ่มทั้งความจุและประสิทธิภาพของชิปเหล่านี้ได้ เทคโนโลยีนี้ได้ถูกนำมาใช้ในชิปหน่วยความจำจากซัมซุงและ Hynix ที่ถูกนำมาใช้ใน iPhone 4S อยู่แล้วในทุกวันนี้

อินเทลรวมกับไมครอนเปิดตัวชิปหน่วยความจำแบบ NAND Flash ขนาด 128Gb

By lew

on 7 December 2011 - 20:54 Tag: Intel, Micron, Storage, Memory

Intel

นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)

ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล

เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก

AMD เตรียมขายแรมภายใต้แบรนด์ Radeon

By lew

on 8 August 2011 - 21:09 Tag: AMD, Radeon, Memory

AMD

เอเอ็มดีช่วงหลังแม้จะมีชิปเซ็ต, GPU, และซีพียู เป็นของตัวเองแล้วแต่สิ่งหนึ่งที่ขาดอยู่คือแรมที่ยังต้องอาศัยแบรนด์อื่นๆ อยู่ ล่าสุดเว็บของเอเอ็มดีก็ปรากฏสินค้า AMD Radeon™ Memory for Systems เป็น DIMM สำหรับเครื่องเดสก์ทอปและเซิร์ฟเวอร์ปรากฏขึ้นมาโดยไม่มีการประกาศล่วงหน้า

เอเอ็มดีระบุว่าแรมของเอเอ็มดีเองจะออกแบบมาสำหรับแพลตฟอร์มของตัวเองโดยเฉพาะ โดยแบ่งสินค้าออกเป็นสามตระกูลคือ Entertainment, ULTRA PRO Gaming, และ Enterprise ในหน้าสินค้าตอนนี้มีเฉพาะรุ่น 2GB เท่านั้น

ยังไม่ประกาศราคาแต่ตอนนี้คนสนใจยี่ห้อแรมกันเยอะพอให้เอเอ็มดีต้องลงมาสู้ในตลาดนี้เองเลยหรือ?

ซัมซุงซื้อ Grandis บริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำ STT-RAM

By arjin

on 3 August 2011 - 16:08 Tag: Merging, Samsung, RAM, Grandis, STTRAM, Memory

Merging

ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป

Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป

ที่มา: BGR

แผ่นดินไหวที่ญี่ปุ่นกระทบการผลิตชิปหน่วยความจำ

By arjin

on 12 March 2011 - 08:35 Tag: Toshiba, Japan, SanDisk, Chip, NAND, Memory

Toshiba

จากเหตุการณ์แผ่นดินไหวที่ประเทศญี่ปุ่นเมื่อวานนี้ ทำให้เกิดความกังวลถึงปริมาณอุปทานของสินค้าหลายอย่างซึ่งมีฐานการผลิตหลักในญี่ปุ่น ซึ่งชิปหน่วยความจำก็เป็นหนึ่งในนั้น โดยเฉพาะสินค้าอย่างหน่วยความจำแฟลชแบบ NAND ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญในโทรศัพท์มือถือและแท็บเล็ต ซึ่งปัจจุบันบริษัท Toshiba ซึ่งพาร์ทเนอร์การผลิตร่วมกับ SanDisk มีส่วนแบ่งการตลาดของหน่วยความจำแฟลชถึง 35%

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4

By mk

on 7 January 2011 - 10:38 Tag: Samsung, RAM, Memory

Samsung

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล

ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%

เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้

SanDisk ปล่อย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟ

By nuntawat

on 7 May 2010 - 06:07 Tag: SanDisk, Xbox, Memory

SanDisk

SanDisk วางขาย Xbox 360 ยูเอสบีแฟลชไดร์ฟที่ได้ไลเซนส์มาจากไมโครซอฟท์แล้ว สามารถใช้บันทึกข้อมูลจากคอนโซลหนึ่งไปอีกคอนโซลหนึ่งได้ อาทิ ข้อมูลการเล่นเกม, gamertags, map packs เป็นต้น สนนราคา 8GB ที่ 34.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 1,300 บาท) และ 16GB ที่ 69.99 ดอลลาร์สหรัฐ (ราว 2,300 บาท) นอกจากนั้น SanDisk ยังแถม Xbox LIVE Gold เป็นเวลา 1 เดือนให้กับผู้ซื้อแฟลชไดร์ฟทั้งสองรุ่นอีกด้วย หน้าตาเป็นอย่างไรดูได้จากท้ายข่าว

ที่มา: Engadget

ซัมซุงพร้อมผลิตชิบ NAND Flash ขนาดจิ๋วเพียง 20 nm

By modeQ

on 19 April 2010 - 15:09 Tag: Samsung, Storage, Memory

Samsung

ซัมซุงเตรียมเปิดโรงงานผลิตชิป NAND Flash ขนาดจิ๋วเพียง 20 nm โดยมันจะถูกรวมอยู่ใน SD card และพวกหน่วยความจำต่างๆ ซัมซุงยังกล่าวว่า NAND Flash ขนาดจิ๋วเขียนและรับข้อมูลได้รวดเร็วมาก

NAND Flash ขนาดจิ๋ว 20 nm ให้ความเร็วของการทำงานเพิ่มขึ้น 50% จากรุ่นก่อน (30 nm) โดยจะเขียนข้อมูลที่ความเร็ว 10MB/s และอ่านข้อมูลที่ 20MB/s โดยจะฝังอยู่ในหน่วยความจำขนาดตั้งแต่ 4GB - 64GB

ที่มา - SamsungHUB

Rambus ร่วมมือ Kingston เปิดตัว Threaded Memory

By lew

on 17 September 2009 - 22:26 Tag: Rambus, Hardware, Memory

Rambus

ปัญหาสำคัญของคอมพิวเตอร์แบบซีพียูหลายคอร์นั้นคือการเข้าถึงหน่วยความจำที่เป็นคอขวดของระบบเสมอๆ วันนี้ทาง Rambus ผู้พัฒนา RDRAM ที่เคยใช้ในเมนบอร์ดของอินเทลและ XDR DRAM ที่ใช้ใน PS3 นั้นก็ประกาศเทคโนโลยีใหม่คือ Threaded Memory

ทาง Rambus อ้างว่าเทคโนโลยีนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการส่งข้อมูลได้มากถึงร้อยละ 50 ขณะที่ลดการใช้พลังงานลงร้อยละ 20

ซัมซุงเปิดตัวโมดูล DDR3 ขนาด 32GB

By lew

on 19 June 2009 - 12:03 Tag: Samsung, Memory

Samsung

แม้ว่า DDR3 จะยังดูไกลเกินเอื้อมสำหรับเราหลายๆ คน แต่วันนี้เองทางซัมซุงก็ออกโมดูลแรม DDR3 ขนาด 32 กิกะไบต์ มาให้เราฝันถึงกันแล้ว โดยแรมรุ่นใหม่นี้ผลิตด้วยเทคโนโลยี 50 นาโนเมตร และทำงานที่ความต่างศักย์ 1.35 โวลต์ ต่ำกว่าโมดูลปรกติที่ใช้ไฟ 1.5 โวลต์ทำให้ปรัะหยัดพลังงานกว่า และทางซัมซุงยังอ้างว่าช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้สูงขึ้นไปด้วย

ถ้าใครซื้อมาซัก 6 แถวใส่กับบอร์ด i7 แล้วช่วยส่งผล Benchmark มาให้เพื่อนๆ กันบ้างนะครับ

ที่มา - I4U

SanDisk วางตลาดการ์ดหน่วยความจำ 16GB สำหรับโทรศัพท์มือถือ

By kaitok on 8 January 2009 - 08:30 Tag: SanDisk, Memory

SanDisk

SanDisk ผู้ผลิตการ์ดหน่วยความจำรายใหญ่ประกาศนำการ์ดหน่วยความจำสำหรับเครื่องโทรศัพท์เคลื่อนที่ออกจำหน่ายแล้วในชื่อรุ่น Mobile Ultra microSDHC และ Memory Stick Micro (M2) ที่มีขนาดความจุของหน่วยความจำสูงถึง 16 กิกะไบต์ (GB) ซึ่งกล่าวอ้างว่าเป็นอุปกรณ์หน่วยความจำแบบถอดออกได้ ที่มีขนาดความจุมากที่สุดในโลก

และเพื่อเพิ่มความสะดวกในการใช้งาน ตัวการ์ดดังกล่าวจะจำหน่ายพร้อมกับ MobileMate Micro Reader ที่สามารถเสียบเข้ากับพอร์ต USB 2.0-compatible ได้โดยตรง

carbon nanotube จะเปิดโอกาสให้สามารถย่อส่วนหน่วยความจำให้มีขนาดเล็กได้

By kaitok on 13 November 2008 - 09:23 Tag: Nanotechnology, carbon nanotube, Memory

Nanotechnology

คาดกันว่าในอนาคต คอมพิวเตอร์จะมีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ รวมทั้งเครื่องพกพาต่างๆ ตั้งแต่เครื่องโทรศัพท์มือถือ และกล้องถ่ายภาพ ไปจนถึงเครื่องเล่นเพลงและเครื่อง laptops จะมีสมรรถนะที่ดีขึ้น อันเป็นผลจากการแข่งขันกันพัฒนาหน่วยความจำ (memory) ที่สามารถสนองตอบความต้องการและความพึงพอใจที่ต้องการหน่วยความจำจัดเก็บข้อมูลที่มีขนาดเล็กลง

นักวิจัยที่มหาวิทยาลัยน็อตติงแฮม กำลังหาช่องทางใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติของ “ท่อนาโนคาร์บอน” (carbon nanotube) เพื่อประดิษฐ์เซ็ลหน่วยความจำที่มีราคาถูกและเล็กกะทัดรัดโดยใช้กำลังไฟต่ำและมีความเร็วในการจัดเก็บข้อมูลสูง

Hynix ประกาศจะเป็นผู้นำการผลิต ชิพใน 10 ปีข้างหน้า

By molek

on 26 July 2007 - 17:00 Tag: Hynix, Processor, Memory

Hynix

Hynix บริษัทผลิตชิพคอมพิวเตอร์ของเกาหลีใต้ ซึ่งตอนนี้เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำที่ใหญ่เป็นอันดับ 5 ของโลก ประกาศแผนในอนาคตที่จะขึ้นเป็นผู้นำด้านการผลิตชิพแทน Intel หรือ AMD ใน 10 ปีข้างหน้า และหวังจะมียอดขายที่เจริญเติบโตสูงจาก 7.7 พันล้านดอลลาร์ ในปี 2006 เป็น 18 พันล้านดอลลาร์ในปี 2010 และเพิ่มขึ้นเป็น 25 พันล้านดอลลาร์ในปี 2012

Hynix ยังวางแผนที่จะพัฒนาเทคโนโลยีใหม่ และได้ออกชิพหน่วยความจำแบบใหม่ชื่อ Phase-change Random Access Memory (PRAM) ซึ่งนักวิเคราะห์ต่างๆเชื่อว่าจะเป็นชิพที่มีความสำคัญในการมาแทนที่หน่วยความจำแบบ Flash ต่อไป

Subscribe to Memory