Tags:
Node Thumbnail

ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

Tags:
Node Thumbnail

Samsung Electronics ประกาศเริ่มผลิตชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะบิต (Gb) แบบจำนวนมาก (mass production) แล้ว และจะเริ่มนำชิปแรม 8 ตัวมารวมเป็นแพ็กเกจแรมขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ภายในเดือนนี้

ซัมซุงคุยว่าเพิ่งประกาศผลิตแรม LPDDR4X ขนาด 12GB ไปเมื่อเดือนมีนาคม 2019 และผ่านไปไม่นานก็พร้อมสำหรับแรม LPDDR5 ขนาด 12GB ที่มีอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 1.3 เท่า (5.5 Gbps vs 4.266 Gbps) และใช้พลังงานน้อยลง 30%

อีกไม่นานเราคงเริ่มเห็นมือถือแรม 12GB แพร่หลายกันมากขึ้น

Tags:
Node Thumbnail

DRAMeXchange คาดว่าภายในไตรมาสแรกราคาแรมจะตกลงถึง 30% จากเดิมที่คาดไว้ 25% หลังปัญหาซีพียูอินเทลขาดตลาดยังคงไม่ดีขึ้น

ทาง DRAMeXchange ระบุว่าสินค้าคงคลังของผู้ผลิตแรมกำลังล้นสต็อกโดยตอนนี้ยอดสต็อกสูงถึง 6 สัปดาห์แล้ว และคาดว่าสถานการณ์ซีพียูขาดตลาดจะยังคงต่อเนื่องไปจนถึงไตรมาสสาม ยาวนานกว่าที่อินเทลเคยออกมาให้ข่าวก่อนหน้านี้ว่าจะดีขึ้นในช่วงครึ่งปีหลัง

ที่มา - DIGITIMES

Tags:
Node Thumbnail

Samsung เปิดตัวแรม LPDDR5 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพา รองรับ 5G, AI และ UHD ใช้กระบวนการผลิตที่ 10nm

แรม LPDDR5 ขนาด 8GB มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 6,400 Mb/s เร็วขึ้น 1.5 เท่า จากแรม LPDDR4X ที่ให้อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 4,266Mb/s, สามารถส่งข้อมูล 51.2GB หรือวีดีโอ 14 ไฟล์ ความละเอียด Full HD ได้ใน 1 วินาที, มีสองแบนด์วิดท์ ได้แก่ 6,400 Mb/s ขนาดของแรงดันไฟฟ้า 1.1 โวลท์ และ 5,500Mb/s ที่ 1.05 โวลท์

นอกจากนี้ชิป LPDDR5 ยังมีโหมดที่เรียกว่า deep sleep mode ช่วยลดพลังงานให้กับอุปกรณ์พกพาได้ถึง 30% ลดลงครึ่งหนึ่งจาก idle mode ของ LPDDR4X

ส่วนการนำมาใช้จริงจะเริ่มกับมือถือรุ่นใดนั้้น คงต้องรอติดตามกันต่อไป ไม่แน่ว่าอาจเป็น Galaxy S10 ที่จะมาในปีหน้าก็ได้

Tags:
Node Thumbnail

JEDEC กลุ่มมาตรฐานด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีสมาชิกเกือบ 300 ราย ประกาศว่ามาตรฐานของแรม DDR5 รุ่นถัดไป "น่าจะ" เสร็จภายในปีหน้า 2018 โดยจะมีแบนด์วิดท์สูงกว่าแรม DDR4 ในปัจจุบันถึง 2 เท่า

นอกจากนี้ แรม DDR5 จะยังมีความหนาแน่นของการจัดวางชิป (density) เพิ่มขึ้นอีก 2 เท่าเช่นกัน และมีการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ตอนนี้ยังมีข้อมูลของสเปก DDR5 ออกมาแค่นี้ รายละเอียดทางเทคนิคคงต้องรอกันต่อไป (DDR5 ไม่เกี่ยวอะไรกับ GDDR5)

Tags:
Node Thumbnail

เป็นเรื่องที่ค้างคากันมานานว่าจริงๆ แล้ว iPhone 6s นั้นมาพร้อมกับแรมเท่าไหร่กันแน่ แต่จากอัพเดตล่าสุดของ Xcode เริ่มมีการให้ข้อมูลในเรื่องดังกล่าวออกมาแล้ว โดยผู้ที่สามารถแกะออกมาได้ คือนักพัฒนา iOS รายหนึ่งที่มีชื่อว่า Hamza Sood

Hamza Sood อธิบายว่า ใน iOS Emulator จะมีการส่งค่า memoryClass ของตัวเครื่องจริงออกมาเพื่อทดสอบการทำงานของแอพพลิเคชันด้วย และเขาได้ใช้เทคนิคดังกล่าวในการเขียนแอพพลิเคชันเพื่อแสดงค่าออกมา ซึ่งผลก็คือ iPhone 6s (และ iPhone 6s Plus) จะมาพร้อมกับแรม 2GB และ iPad Pro มาพร้อมกับแรม 4GB ซึ่งมากที่สุดในบรรดาอุปกรณ์ iOS ทั้งหมด ที่มีขนาดแรมส่วนใหญ่ที่ 1GB

Tags:
Node Thumbnail

แรมในสมาร์ทโฟนยังคงเพิ่มขึ้นได้อีกเรื่อยๆ หลังจากช่วงปีที่ผ่านมาเริ่มเห็นสมาร์ทโฟนที่ใช้แรมระดับ 4GB ออกมาบ้างแล้ว ในอนาคตกันใกล้ตัวเลขนี้อาจจะขยับไปเป็น 6GB หลังซัมซุงออกมาประกาศผลิตแรม LPDDR4 รุ่นใหม่แล้ว

เจ้าชิปแรม LPDDR4 รุ่นใหม่ของซัมซุงผลิตออกมาเป็นโมดูลละ 12Gb ซึ่งถ้านำมาต่อกันสี่แถวตามที่สมาร์ทโฟนเรือธงหลายรุ่นทำกัน จะได้ความจุรวมที่ 48Gb หรือเท่ากับ 6GB นั่นเอง นอกจากความจุที่มากขึ้นแล้ว ยังได้ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก 30% ในขณะที่กินพลังงานลดลง 20%

อย่างไรก็ตาม ซัมซุงยังไม่ได้ประกาศว่าจะเริ่มส่งแรมรุ่นใหม่นี้เมื่อไร แต่ถ้าดูจากรอบก่อนๆ คาดว่าอย่างช้าน่าจะราวปลายปีหน้าครับ

Tags:
Node Thumbnail

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

Tags:

SK Hynix ผู้ผลิตชิปแรมเปิดตัวแรมรุ่นใหม่ที่ใช้เทคโนโลยีการผลิต 20 นาโนเมตร ในรูปแบบ LPDDR3 ทำให้ชิปแต่ละตัวมีความจุถึง 8 กิกะบิตหรือ 1 กิกะไบต์ แต่ด้วยขนาดที่เล็กลงทำให้สามารถต่อหลายชิปเข้าในแพ็กเกจเดียวกัน จนชิปที่เป็นแพ็กเกจเดียวสามารถมีความจุได้ถึง 4 กิกะไบต์

งานนี้ทาง SK Hynix คาดว่าเราจะเริ่มเห็นโทรศัพท์ที่มีแรม "มากกว่า" 2 กิกะไบต์กันภายในครึ่งหลังของปีนี้มากขึ้นเรื่อยๆ อย่างไรก็ดี ชิปรุ่นใหม่นี้จะเดินสายการผลิตเต็มกำลังในช่วงปลายปี

ที่มา - Engadget

Tags:
Node Thumbnail

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

ซัมซุงบอกว่าหน่วยความจำรุ่นนี้จะเริ่มใช้ในอุปกรณ์ของตัวเองในอีกเดือนสองเดือนข้างหน้า ไม่แน่ว่าเราอาจจะเห็น Galaxy Note 3 ใช้ก็ได้ครับ

Tags:
Node Thumbnail

แม้ว่าเราจะเห็นสมาร์ทโฟน/แท็บเล็ตหลายรุ่นก้าวข้ามไปใช้แรม 2GB กันบ้างแล้ว แต่ก็ยังมีเฉพาะบางแบรนด์ และรุ่นท็อปเท่านั้น ปีหน้าอาจจะได้เห็นกันมากขึ้น หลังจากผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาอย่างซัมซุง เริ่มผลิตแรม LPDDR3 ที่ความจุ 2GB เป็นจำนวนมากแล้ว

รุ่นใหม่นี้เป็นการต่อยอดจาก LPDDR2 ที่เปิดตัวไปเมื่อปลายปีก่อน โดยสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 1,600 Mbps (มากกว่ารุ่นเดิมราว 50%) และมีแบนวิดท์เพิ่มขึ้นเป็น 12.8 GB/s ทั้งหมดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 30 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากแรมแล้ว หน่วยความจำสำรองแบบแฟลชที่ใช้กันบนมือถือความจุ 128GB ก็เริ่มผลิตจำนวนมากแล้วเช่นกัน

ต้นปีหน้าเราคงได้เห็นสมาร์ทโฟนแรม 2GB ความจุ 128GB เปิดตัวกันบ้างแล้ว

Tags:
Topics: 

จากความนิยมในอุปกรณ์พกพาจำพวกสมาร์ทโฟน และแท็บเล็ตส่งผลให้ยอดส่ง DRAM เปลี่ยนมือจากพีซีที่มีสัดส่วนเหนือกว่าอุปกรณ์พกพามาตั้งแต่ยุค 1980 ต้องเปลี่ยนมือแล้ว

ข้อมูลยอดส่ง DRAM จาก IHS iSuppli ประจำไตรมาสสองของปีนี้ระบุว่ายอดส่ง DRAM ของฝั่งพีซีตกลงมาเหลือ 49% เป็นที่เรียบร้อยแล้ว ลดลงมาจากไตรมาสก่อนหน้าเล็กน้อย (50.2%) แต่ก็มากพอที่จะทำให้ฝั่งพีซีกลายเป็นอันดับสองได้แล้ว

สำหรับตัวเลขคาดการณ์ในช่วงปลายปี 2013 ยอดส่ง DRAM สำหรับพีซีน่าจะตกไปที่ราว 42.8% เนื่องมาจากแนวโน้มผู้ผลิต DRAM สำหรับพีซีรายใหญ่อย่าง Micron, Samsung และ Hynix ที่หันไปเน้นผลิต DRAM สำหรับอุปกรณ์พกพามากกว่าแล้ว

Tags:
Node Thumbnail

สำนักข่าว DigiTimes รายงานว่าแอปเปิลเพิ่งทำคำสั่งซื้อชิป DRAM เป็นจำนวนมหาศาลสำหรับใช้ใน iPhone และ iPad จากบริษัท Elpida ประเทศญี่ปุ่น โดยปริมาณสั่งซื้อนั้นคิดเป็นครึ่งหนึ่งของกำลังการผลิตในโรงงาน Elpida เลยทีเดียว

ข่าวดังกล่าวส่งผลต่อบริษัทผู้ผลิต DRAM ที่มีส่วนแบ่งยอดขายสูงของโลก ได้แก่ ซัมซุง (53.8%) และ SK Hynix (20.8%) ทำให้ราคาหุ้นสองบริษัทนี้ปรับตัวลงอย่างมาก โดยนักวิเคราะห์มองว่าแอปเปิลอาจไม่ต้องการให้ซัมซุงและ Hynix มีอำนาจในตลาดนี้มากเกินไปจึงตัดสินใจสั่งซื้อ DRAM จากผู้ผลิตรายอื่นแทนเพื่อสร้างอำนาจต่อรองในอนาคต

บริษัท Elpida เพิ่งยื่นขอล้มละลายและพิทักษ์สินทรัพย์ การได้คำสั่งซื้อใหญ่จากแอปเปิลนี้จึงอาจช่วยต่อลมหายใจของบริษัทไปได้อีกระยะหนึ่ง

Tags:
Node Thumbnail

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงประกาศวานนี้ว่าบริษัทได้เข้าซื้อบริษัท Grandis ซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำแบบถ่ายโอนแรงบิด (STT-Spin Transfer Torque RAM หรือ STT-RAM) โดยบริษัท Grandis จะเข้าไปรวมอยู่กับฝ่ายวิจัยและพัฒนาของซัมซุงด้านหน่วยความจำต่อไป

Grandis เป็นบริษัทที่มีสิทธิบัตรด้านหน่วยความจำแบบ STT-RAM อยู่ในมือหลายตัว และเทคโนโลยี STT นี้ก็น่าจะเป็นอนาคตในการพัฒนาขีดความสามารถของหน่วยความจำให้สูงขึ้นไปได้ ทำให้ซัมซุงซึ่งเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ต้องการสิทธิบัตรดังกล่าวเพื่อสร้างโอกาสในธุรกิจต่อไป

ที่มา: BGR

Tags:
Node Thumbnail

จากที่มีข่าวว่าสายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศญี่ปุ่นอาจมีปัญหาจากแผ่นดินไหว ล่าสุดบริษัท Elpida Memory ของประเทศญี่ปุ่นซึ่งเป็นผู้ผลิต DRAM อันดับ 3 ของโลกรองจากซัมซุง และ Hynix ออกมายืนยันว่าสายการผลิตของบริษัทตอนนี้อยู่ในระดับเกือบเป็นปกติแล้ว

นอกจากนี้บริษัทยังยืนยันว่าสามารถส่งมอบสินค้าได้ตามกำหนดจนถึงเดือนกรกฎาคมแน่นอน เนื่องจากวัตถุดิบที่ใช้ในการผลิตยังมีอยู่เพียงพอ แต่บริษัทกำลังประเมินและวางแผนสำหรับสินค้าที่จะส่งมอบหลังจากนั้น

ที่มา: Reuters

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล

ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%

เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้

Tags:
Topics: 

ไม่รู้ทำไมวันนี้ข่าวเกี่ยวกับแรมเยอะมาก เลยขอรวบสามข่าวเข้าเป็นข่าวเดียวกันนะครับ

ข่าวแรกคือชิป GDDR5 จากบริษัท Hynix ที่บ้านเราคงเห็นกันตามห้างไอทีเยอะพอสมควร ชิปรุ่นใหม่ที่เปิดตัวนี้มีขนาด 1 กิกะบิต ให้ความเร็วในการส่งข้อมูล 7 กิกะบิตต่อวินาที เทียบกับชิปที่เร็วที่สุดในตลาดทุกวันนี้ที่ทำได้เพียง 5 กิกะบิตต่อวินาทีเท่านั้น

แม้จะเปิดตัวแล้ว แต่ของจะเริ่มส่งมอบได้ช่วงครึ่งปีแรกของปี 2009 และหลังจากนั้นอีกสักพักการ์ดจอจึงเริ่มวางตลาดกัน

ที่มา - Tech-On

Tags:
Topics: 

บริษัท MetaRAM ได้เปิดตัวสินค้าชิ้นแรกของบริษัทคือ MetaSDRAM ชิปเซ็ตซึ่งจะเพิ่มความจุของแรมที่รองรับได้ในซ็อกเก็ต R-DIMM ทำให้แรมหนึ่งแถวสามารถรองรับความจุได้ถึง 16 กิกะไบต์ โดยยังสามารถใส่กับเครื่องเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับ R-DIMM ได้โดยไม่ต้องเปลี่ยนแปลงอะไรในตัวเครื่องแต่อย่างใด

ทาง MetaRAM อ้างว่ามีคู่ค้าบางรายเตรียมตัววางตลาดเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้เทคโนโลยีของทาง MetaRAM ทำให้จะมีเซิร์ฟเวอร์ที่มาพร้อมกับแรม 256 กิกะไบต์ (พิมพ์ไม่ผิดนะครับ กิกะไบต์) วางตลาดในราคาประมาณ 50,000 ดอลลาร์หรือประมาณหนึ่งล้านห้าแสนบาทเท่านั้น และเทคโนโลยีนี้ยังเปิดโอกาสให้เซิร์ฟเวอร์อาจจะมาพร้อมกับแรมได้มากถึง 500 กิกะไบต์ได้ในราคาที่สูงขึ้นตามลำดับ