Tags:
Node Thumbnail

อินเทลและไมครอนประกาศความสำเร็จของงานวิจัยร่วม 3D XPoint (อ่านว่า ทรี-ดี ครอส-พอยต์) หน่วยความจำแบบแฟลช โดยระบุว่าเป็นหน่วยความจำประเภทใหม่ครั้งแรกในรอบ 25 ปี

3D XPoint ประสิทธิภาพสูงกว่า NAND ได้ถึงพันเท่าตัว ทนทานต่อการใช้งานถึงพันเท่าตัว และหน่วยความจำหนาแน่นกว่าสิบเท่าตัว ทำให้สามารถใช้งานได้ทั้งงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง, พื้นที่ขนาดใหญ่, และต้องการเก็บข้อมูลระยะยาว

การออกแบบของ 3D XPoint ทำให้เซลล์ของหน่วยความจำสามารถซ้อนกันขึ้นไปได้เรื่อยๆ เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำ อีกจุดที่อินเทลแสดงในแผนภาพ คือแต่ละบิตจะอ้างถึงด้วยความต่างศักย์ของ Selector โดยไม่ต้องใช้ทรานซิสเตอร์เหมือน NAND (อ่านกระบวนการทำงานของ NAND flash ใน EE Times) ทำให้ความหนาแน่นสูงขึ้นมาก แผนภาพของอินเทลไม่ได้บอกรายละเอียดว่ากระบวนการอ่านและเขียนข้อมูลลง 3D XPoint ว่าทำงานอย่างไร

อินเทลคาดว่า 3D XPoint จะทำให้สถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์เปลี่ยนไปโดยเราไม่ต้องมีหน่วยความจำแบบไม่ถาวร (volatile memory) มาคั่นกลางก่อนถึงซีพียูอีกต่อไป แต่เราสามารถเชื่อมต่อ 3D XPoint เข้ากับซีพียูได้โดยตรง

ชิปตัวอย่างจะเริ่มส่งมอบไปยังลูกค้าบางรายภายในปีนี้ หลังจากนี้อินเทลและไมครอนจะแยกกันพัฒนาสินค้าจากเทคโนโลยีนี้ต่อไป

ที่มา - Intel

No Description

No Description

Get latest news from Blognone

Comments

By: wisidsak
AndroidIn Love
on 29 July 2015 - 00:05 #830430
wisidsak's picture

พูดง่ายๆคือ L1 จะมีขนาดสัก 500GB ก็ได้นะหรอครับ

ขาย cpu พร้อมความจุไปเลย ไม่ต้องวิ่งผ่าน chipset วิ่งผ่าน SATA อะไรแบบนี้เลยมั้ย?

By: lew
FounderJusci's WriterMEconomicsAndroid
on 29 July 2015 - 00:10 #830433 Reply to:830430
lew's picture

ที่เขาหมายถึงคงเป็น DRAM ข้างนอก CPU ครับ

แต่ตอนนี้ยังเป็นชิปทดสอบ หน่วยความจำมันก็เป็นหน่วยความจำ เราจะเอามาวางสถาปัตยกรรมอย่างไรคงต้องใช้เวลาคิดกันอีกที ตอนนี้วัตถุดิบในการวางโครงสร้างหน่วยความจำมันเปลี่ยนไป L1, L2, L3 จะเป็นอย่างไรต้องผ่านกระบวนการออกแบบจริงอีกเยอะ รวมไปถึงราคาขายจริงที่ยังไม่ได้พูดถึงในข่าวด้วย


lewcpe.com, @public_lewcpe

By: wisidsak
AndroidIn Love
on 29 July 2015 - 00:23 #830440 Reply to:830433
wisidsak's picture

อ่อครับ นึกว่าจะได้เห็น socket แบบ Pentium iii อีก 555+

By: McKay
ContributorAndroidWindowsIn Love
on 29 July 2015 - 00:50 #830451 Reply to:830430
McKay's picture

เข้าใจว่า on die cache คงไม่เปลี่ยนครับ เพราะอันนั้นต้องการ latency ต่ำและ bandwidth สูงกว่า system main memory มาก ตัว 3D XPoint คงเข้าไปแทนที่ได้ยาก

ส่วนเรื่องจะเอาไปแทนที่ตัว system main memory แบบไหนก็คงต้องรอการ implement แบบที่คุณ lew บอกครับ อย่างไรก็ตามในงานบางงาน ตัว 3D XPoint เองอาจจะแทนที่ system memory ไม่ได้ 100% ครับ


One Flew Over the Cuckoo's Nest.

By: Ton-Or
ContributorAndroidCyberbeingRed Hat
on 29 July 2015 - 07:22 #830483 Reply to:830451
Ton-Or's picture

ถ้าตัวใหม่เร็วขนาดก็น่าจะเปลี่ยนไปเลยนะ น่าจะแทนกันได้ ตัดไปเลย หรือจะไปเจอคอขวดที่ board หรือ socket อีก -_-


Ton-Or

By: McKay
ContributorAndroidWindowsIn Love
on 29 July 2015 - 08:56 #830485 Reply to:830483
McKay's picture

คอขวดที่ตัวมันแหละครับ

ปกติแล้ว on die cache ไม่ได้ใช้ DRAM เหมือน system memory ครับ แต่ใช้ SRAM ซึ่งมี latency น้อยและ bandwidth สูงกว่ามากครับ

SRAM=latency/bandwidth optimized
DRAM=density/capacity optimized

Edit: หรือคุณ Ton-Or หมายถึง RAM ปกติ(system)หว่า


One Flew Over the Cuckoo's Nest.

By: toooooooon
iPhoneWindows PhoneAndroidBlackberry
on 29 July 2015 - 09:26 #830517 Reply to:830430

ผมว่า อาจจะมีประโยชน์ ในอนาคตก็ได้นะ พวก System on Chip

อาจจะเป็น Atom ยุคใหม่ มีมี xRAM หรือ มองเป็น L4 โมดูลแรมบน Package CPU อาจจะไม่ได้อยู่บน Die ไกล้ชิดติด CPU เดียวกัน แต่ก็อยู่บนเพจเกจเลย เพิ่มแรมเข้าไป สัก 2-4-8 GB แล้วขายชิพ (CPU + GPU + xRAM)

อาจจะสู้พวก A7 A8 (+ LPDR )ได้นะ

By: Aize
ContributorWindows PhoneAndroidWindows
on 29 July 2015 - 00:06 #830432
Aize's picture

จะได้หมดปัญหาเรื่องแรมสักที :D


The Dream hacker..

By: tgst
ContributoriPhoneWindows PhoneWindows
on 29 July 2015 - 00:13 #830435
tgst's picture

ราคาแรงกว่าพันเท่า :v

By: lew
FounderJusci's WriterMEconomicsAndroid
on 29 July 2015 - 00:14 #830436 Reply to:830435
lew's picture

กำไรอาจจะแรงกว่าหลายพันเท่า :P


lewcpe.com, @public_lewcpe

By: paween_a
Android
on 29 July 2015 - 00:37 #830448
paween_a's picture

เปิดเครื่องไม่ต้องบู้ต เปิดปิดคอมเหมือนปิดทีวีเลย

By: Remma
AndroidWindows
on 29 July 2015 - 00:40 #830449
Remma's picture

Intel หงายไพ่ออกมาแบบนี้ ศึก non-volatile memory ยุคถัดไปเริ่มแล้วสินะ

By: McKay
ContributorAndroidWindowsIn Love
on 29 July 2015 - 00:54 #830453
McKay's picture

Intel+Micron O-o


One Flew Over the Cuckoo's Nest.

By: nessuchan
iPhoneAndroidWindows
on 29 July 2015 - 07:54 #830490
nessuchan's picture

นวัตกรรม!!!

แต่ช่วงแรก ๆ คงใช้ได้แต่ Enterprise ล่ะนะ ระดับบ้าน ๆ อย่างผมกว่าจะมีโอกาสใช้คงอีกนาน

By: menu_dot on 29 July 2015 - 08:54 #830509

ไม่เข้าใจ ความรู้น้อยเกินไป อยากรู้เรื่องบ้างจัง

By: lew
FounderJusci's WriterMEconomicsAndroid
on 29 July 2015 - 09:05 #830513 Reply to:830509
lew's picture

ลงเรียนวิชา Computer Architecture เลยครับ


lewcpe.com, @public_lewcpe

By: waroonh
Windows
on 29 July 2015 - 11:22 #830545

ผมอ่านแล้วจินตนาการในหัวว่า
ssd แบบใหม่ cell ที่ใช้เปลี่ยนจาก nand
เป็น 3D X Point เสียบลง slot ram ddr
แต่ไม่ต้องใช้ไฟไปเลี้ยงเม็ด ram
ตอนปิดเครื่อง data ไม่หาย

By: Hadakung
iPhoneWindows PhoneAndroidWindows
on 29 July 2015 - 13:05 #830579 Reply to:830545

อย่าทำแบบสล็อตแรมเลยครับสร้างอินเทอเฟสใหม่เถอะ ไม่อยากคิดว่าถ้าต้องเสียบหลายๆแผ่นมันจะเปลืองที่ขนาดไหน =_=

By: waroonh
Windows
on 29 July 2015 - 13:18 #830582 Reply to:830545

อันนั้น วาดภาพครับ ถ้าของจริง น่าจะเป็น package แบบ SoC
ไม่มี S-Ram L1,L2,L3 ไม่มี NAND จาก CPU
ลงมาเจอ 3D XPoint ขนาด 16Gb ที่เร็วพอๆกับ L3 เลย
ไม่ผ่าน bus ด้วย อยู่ในตัว CPU ไปเลย
แล้วปิดเครื่อง data ไม่หายด้วย

บ. ผลิต NAND กับ บ. ผลิตแผง DDR-Ram ปาดเหงื่อกันหมดหล่ะครับ
อ้อ .. ลืมไปของ Micron นี่นะ รอด บ.นึง

By: toooooooon
iPhoneWindows PhoneAndroidBlackberry
on 29 July 2015 - 13:49 #830588 Reply to:830545

ทำ L4 เป็น Module บน Package ของ CPU เลยครับ...

CPU พร้อม L4 ขนาด 8GB

By: Ulquiorra
Windows PhoneAndroidSymbianWindows
on 29 July 2015 - 13:28 #830585
Ulquiorra's picture

เจ๋งๆ รอวางขายระดับ consumer เลย

By: komy
iPhone
on 29 July 2015 - 16:11 #830608
komy's picture

รอดู อยากให้ถึงวันที่ dram มันหายไปเลย. เกลียดคำว่าแรมน้อยไป...มีพื้นที่เหลือบานแต่แรมไม่พอทำงาน