Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 2.1 ขนาดความจุ 1TB สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 16 เลเยอร์ อัตราการอ่านข้อมูลแบบ sequential read อยู่ที่ 1000 MB/s เร็วกว่า eUFS ความจุ 512GB ที่มี sequential read ที่ 860 MB/s และเร็วกว่า SSD ขนาด 2.5 นิ้ว สองเท่า

ส่วนของการเขียนข้อมูลแบบ sequential write อยู่ที่ 260 MB/s, ความเร็วในการอ่านแบบสุ่ม 58,000 IOPS และความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม 50,000 IOPS

รองรับการจัดเก็บวีดีโอ 4K ความยาว 10 นาที ได้ 260 ไฟล์, การโอนไฟล์วีดีโอ Full HD ขนาด 5GB ได้เร็วกว่า NVMe SSD ห้าเท่า และเร็วกว่า microSD ทั่วไป 10 เท่า

ซัมซุงระบุว่าจะขยายการผลิต eUFS ความจุ 1TB ในเกาหลีใต้ในช่วงครึ่งปีแรกนี้

ที่มา : Samsung

No Description

Get latest news from Blognone

Comments

By: tom789
Windows Phone
on 30 January 2019 - 19:50 #1094373

เร็ว นิดเดียว แต่ได้ ถึงขนาดนี้เลย การพัฒนาไปเร็วจริงๆ

By: TeamKiller
ContributoriPhone
on 30 January 2019 - 19:56 #1094376
TeamKiller's picture

เอามาใช้แทน SSD ในคอมปกติได้เปล่าหว่า

By: bitworld
AndroidSymbianUbuntuWindows
on 30 January 2019 - 20:18 #1094383
bitworld's picture

แบบว่า เทคโนโลยีมือถือเริ่มไปเร็วกว่าคอม - -" ...

By: Architec
ContributorWindows PhoneAndroidWindows
on 30 January 2019 - 21:29 #1094395 Reply to:1094383

ยังหวั่นใจอยู่ว่าอีกหน่อยคงเหลือแค่มือถือแล้วโดดไปเซิฟเวอร์เลย

นึกสภาพเอาเซิฟเวอร์มาเขียนแอพ เคยลองแล้ว กวนโสตประสาทมาก

By: soullz
AndroidUbuntu
on 31 January 2019 - 08:45 #1094437 Reply to:1094395

ลำบากใช่ย่อย