ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน

ส่วนการอ่านเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำ eUFS แบบฝังขนาดความจุ 512GB แบบแมสแล้ว โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 64 เลเยอร์ ซึ่งมีขนาดเท่ากับตัวเดิมอย่าง 256GB แบบ 48 เลเยอร์

ในแง่ของความเร็วของชิป eUFS ขนาด 512GB ตัวนี้สามารถอ่านเขียนได้ความเร็วสูงสุด 860 MB/s และ 255 MB/s ตามลำดับ ส่วนแบบสุ่มอยู่ที่ 42,000 IOPS และ 40,000 IOPS ตามลำดับ สามารถโอนไฟล์ FHD ขนาด 5GB ได้ภายใน 5 วินาที

ซัมซุงจะระบุว่าถึงแม้จะเริ่มสายการผลิตชิป eUFS ความจุ 512GB แล้วแต่ก็ยังคงให้ความสำคัญกับ eUFS ขนาด 256GB ที่ยังคงเป็นที่ต้องการของตลาดอยู่เช่นเดิม

เมื่ออุตสาหกรรมรถยนต์เริ่มเปลี่ยนผ่านและมีเทคโนโลยีมาเกี่ยวข้องมากขึ้น บริษัทด้านเทคโนโลยีก็เริ่มเข้ามามีส่วนร่วมกันมากขึ้นเรื่อยๆ ล่าสุดซัมซุงเปิดตัวโซลูชันหน่วยความจำ Universal Flash Storage แบบฝังตัวในชื่อ eUFS (embeded UFS) สำหรับรถยนต์อัจฉริยะ

eUFS มีสองขนาดคือ 128GB และ 64GB รองรับแอปพลิเคชันอย่างระบบไร้คนขับ, แดชบอร์ดและระบบ infotainment ที่ฉลาดมากขึ้นบนรถยนต์รุ่นใหม่ๆ และรถยนต์ในอนาคต โดย eUFS มาตามมาตรฐาน JEDEC UFS 2.1 ทำให้ได้ความเร็วในการอ่านสูงสุด 850MBps และความเร็วในการอ่านแบบสุ่มสูงสุดที่ 45,000 IOPS