อินเทลเข้าช่วยพัฒนาโค้ดบางส่วนให้กับ Microsoft Edge โดยมีส่วนหลักคือการพัฒนาให้รองรับการประมวลผลแบบคำสั่งเดียวบนข้อมูลหลายชุด (single instruction multiple data - SIMD) ทำให้เอนจินจาวาสคริปต์สามารถรองรับงานประมวลผลที่ปรับไปคำนวณแบบเวคเตอร์ได้ทำให้ประสิทธิภาพดีขึ้นหลายเท่าตัว

โค้ดที่ปรับปรุงขึ้นมาตอนนี้ยังทำงานเฉพาะในโหมด asm.js เท่านั้น และต้องเปิดการใช้งานด้วยตัวเองผ่านหน้า about:flags ก่อนเสมอ ทางไมโครซอฟท์ระบุว่าข้อเสนอ SIMD ใน ECMAScript เป็นรูปธรรมกว่านี้ก็มีโอกาสที่จะปรับปรุงการทำงานส่วนนี้ให้รองรับโค้ดทั่วไป

ที่งานประชุมผู้ถือหุ้นประจำปีของอินเทล คณะผู้บริหารตอบคำถามจากผู้ถือหุ้นและนักวิเคราะห์ คำถามสำคัญสองคำถามในปีนี้คงเป็นเรื่องของการชิงตลาดของอินเทล

คำถามแรกจาก Sheldon Ehrlich ผู้ถือหุ้นรายย่อย ถามคำถามว่าอินเทลจะชิงแอปเปิลมาเป็นลูกค้านอกเหนือจากที่ซื้อชิปสำหรับแมคอยู่แล้วได้หรือไม่ Brian Krzanich ตอบคำถามว่าอินเทลกำลังทำงานอย่างต่อเนื่องเพื่อให้แอปเปิลมาเป็นลูกค้าในกลุ่มสินค้าโมบายเพิ่มเติม เขาระบุว่าเพื่อให้แอปเปิลหันมาใช้ชิปอินเทลบริษัทจะต้องสร้างสินค้าที่ดีที่สุดและขายในราคาที่ดีที่สุด

อินเทลประกาศความร่วมมือกับบริษัท eASIC ผู้ผลิตชิปรูปแบบเดียวกับ FPGA โดยเตรียมจะนำชิปของ eASIC นี้เสริมเข้าไปในชิป Xeon ของอินเทลในยุคต่อไป

eASIC ระบุว่าเทคโนโลยีของตัวเองนั้นมีกระบวนการพัฒนารูปแบบเดียวกับ FPGA ขณะที่วงจรที่ได้จะมีประสิทธิภาพการประมวลผลและประสิทธิภาพพลังงานดีกว่า FPGA ทั่วไป กลุ่มเป้าหมายของชิป Xeon ที่มี eASIC ในตัวคือกลุ่มผู้ให้บริการคลาวด์ที่ต้องการวงจรออปติไมซ์มาสำหรับงานบางอย่าง เช่น การประมวลฐานข้อมูลขนาดใหญ่ หรือการเข้ารหัสเฉพาะทาง

Intel Edison เปิดตัวครั้งแรกเมื่อปลายปีที่แล้วร่วมมือกับ Sparkfun ผู้ผลิตบอร์ดสำหรับนักพัฒนาในสหรัฐฯ เป็นหลัก ตอนนี้ก็หันมาประกาศความร่วมมือกับ Seeed Studio ทางฝั่งจีนออกชุดพัฒนาแบบเดียวกันบ้างแล้ว โดยมีสองชุด คือชุดสำรวจสภาพแวดล้อมในบ้าน และชุดพัฒนาคอมพิวเตอร์สวมใส่ได้

วันที่ 19 เมษายน 1965 กอร์ดอน มัวร์ ที่ยังเป็นพนักงานของบริษัท FairChild เขียนบทความลงในวารสาร Electronics ระบุว่าจำนวนอุปกรณ์ในไอซีจะเพิ่มขึ้นเท่าตัวทุกๆ หนึ่งปี นับเป็นจุดเริ่มต้นของกฎของมัวร์นับแต่วันนั้น ต่อมาในปี 1975 เขาปรับการคาดการณ์ไว้ว่าจำนวนอุปกรณ์จะเพิ่มขึ้นสองเท่าทุกๆ สองปี และจนวันนี้ กฎนี้จะคงใช้คาดการณ์ซีพียูรุ่นใหม่ๆ ที่มีความซับซ้อนสูงได้อย่างต่อเนื่อง

สามปีหลังตีพิมพ์บทความนี้ตีพิมพ์ มัวร์ก็ร่วมกับ Robert Noyce และ Andrew Grove ก่อตั้งบริษัทอินเทล

กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ห้ามอินเทลไม่ให้ขายชิป Xeon และ Xeon Phi ให้กับรัฐบาลจีน โดยเอกสารการพิจารณาขออนุญาตส่งออกระบุว่า มีการใช้ซุปเปอร์คอมพิวเตอร์ TianHe-1A และ TianHe-2 ที่เกี่ยวข้องกับระเบิดนิวเคลียร์

เครื่อง TianHe-2 เป็นคอมพิวเตอร์ที่เร็วที่สุดในโลกตอนนี้ ใช้ชิปอินเทลทั้งหมด โดยใช้ Xeon E5-2692 ร่วมกับ Xeon Phi 31S1P รวมกว่าสามล้านคอร์ แรงกว่าอันดับสอง คือ เครื่อง Titan ของกระทรวงพลังงานสหรัฐฯ ถึงเท่าตัว

อินเทลจัดงาน Intel Developer Forum (IDF) ในจีน สนับสนุนผู้ผลิตบอร์ดใช้ชิป Atom และ Quark เฉพาะทาง ให้สามารถสร้างเฟิร์มแวร์ได้อย่างรวดเร็วผ่านโปรแกรม Intel Firmware Engine

Firmware Engine ทำให้ผู้ผลิตบอร์ดสามารถปรับแต่งเฟิร์มแวร์ UEFI ของตัวเอง โดยเพิ่มลดฟีเจอร์ตามบอร์ดที่ออกแบบมา ตัวเฟิร์มแวร์จะสร้างจากโมดูลที่อินเทลเตรียมไว้ให้แล้วทำให้ลดขั้นตอนการทดสอบเฟิร์มแวร์ลงไปได้

ไมครอนและอินเทลประกาศความพร้อมในการผลิตชิป 3D NAND ที่เพิ่มความจุของ NAND มากกว่าปัจจุบันถึงสามเท่าตัว ทำให้สามารถผลิต SSD ขนาด 2.5" ที่มีความจุมากกว่า 10TB ได้

3D NAND วางเซลล์แฟลชซ้อนกัน 32 ชั้น ทำให้สามารถสร้างชิป NAND แบบ MLC ความจุ 256 กิกะบิต และแบบ TLC ความจุ 384 กิกะบิต

ชิปความจุ 256 กิกะบิตเริ่มส่งมอบให้คู่ค้าแล้ววันนี้ ส่วนชิปแบบ TLC จะส่งมอบภายหลัง

ที่มา - Intel

หลังงาน Mobile World Congress ทางอินเทลก็จัดงาน Intel Blogger Day เปิดข้อมูลเพิ่มเติมของเทคโนโลยีที่เปิดตัวไปในงาน

ประเด็นหลักของงานคงเป็น Atom x ที่กำลังจะวางขายในปีนี้ โดยเฉพาะ Atom x3 (SoFIA) ที่จะมาก่อน อินเทลระบุว่า x3 จะแบ่งออกเป็นสามรุ่น Atom x3-C3130, x3-C3230RK, และ x3-C3440

อินเทลเปิดตัวซีพียูสำหรับเซิร์ฟเวอร์รุ่นใหม่ Xeon D เน้นสำหรับงานที่ต้องการการประมวลผลจำนวนมากในพื้นที่น้อยๆ, สตอเรจ, หรืองานเครือข่าย โดยตัวเปรียบเทียบของอินเทลก่อนหน้านี้คือ Atom Avoton ที่ออกมาสำหรับเซิร์ฟเวอร์และแนวทางการใช้งานใกล้เคียงกัน

ช่วงเปิดตัวมีสองรุ่น คือ 4 คอร์ 8 เธรด แคช 6MB และ 8 คอร์ 16 เธรด แคช 12MB ตัวคอร์ดเป็น Broadwell ใช้กระบวนการผลิต 14 นาโนเมตร ทั้งสองรุ่นรองรับแรม DDR4 128GB แบบ ECC ส่วนของ I/O ความเร็วต่ำจะแยกอยู่บนซิลิกอนคนละแผ่นแต่บรรจุมาในชิปเดียวกัน ตัวชิปปล่อยความร้อนสูงสุด 45 วัตต์ โดย I/O ทั้งหมดได้แก่