ไมครอนและอินเทลประกาศความพร้อมในการผลิตชิป 3D NAND ที่เพิ่มความจุของ NAND มากกว่าปัจจุบันถึงสามเท่าตัว ทำให้สามารถผลิต SSD ขนาด 2.5" ที่มีความจุมากกว่า 10TB ได้

3D NAND วางเซลล์แฟลชซ้อนกัน 32 ชั้น ทำให้สามารถสร้างชิป NAND แบบ MLC ความจุ 256 กิกะบิต และแบบ TLC ความจุ 384 กิกะบิต

ชิปความจุ 256 กิกะบิตเริ่มส่งมอบให้คู่ค้าแล้ววันนี้ ส่วนชิปแบบ TLC จะส่งมอบภายหลัง

ที่มา - Intel

อินเทลให้ข่าวกับสำนักข่าว China Daily ระบุว่าอินเทลจะลงทุนเพิ่มเติมในโรงงานในเมืองเฉิงตูเพิ่มอีก 1,600 ล้านดอลลาร์หรือกว่าห้าหมื่นล้านบาทเพิ่มอัพเกรดโรงงาน

โรงงานในเฉิงตูมีพนักงานประจำ 2,500 ถึง 3,000 คน เป็นโรงงานประกอบและทดสอบชิป โดยอินเทลมีโรงงานแบบเดียวกันนี้ในมาเลเซียและเวียดนาม

อินเทลไม่ได้ระบุชัดเจนว่าจะอัพเกรดโรงงานส่วนใดบ้าง แต่บอกว่าการอัพเกรดนี้เป็นส่วนหนึ่งของแผนการเดินหน้าธุรกิจ แท็บเล็ต, สมาร์ทโฟน, IoT, และคอมพิวเตอร์สวมใส่ได้ เราอาจจะเริ่มเห็นชิป Atom ถูกประกอบขั้นสุดท้ายจากโรงงานในจีนกันต่อไป

อุตสาหกรรมไอซีมีข้อจำกัดต่อผู้เข้ามาแข่งขันรายใหม่ข้อใหญ่คือการลงทุนขั้นต้นนั้นแพงมาก การเลือกสถานที่ตั้งโรงงานจึงต้องมั่นใจกับความพร้อมของประเทศนั้นๆ อย่างมาก ข่าวล่าสุดสำหรับโรงงานใหม่ของอินเทลคือโรงงานใหม่อาจจะไปตั้งที่อิสราเอล

ข่าวนี้มีที่มาจาก Nahum Itzkovich ผู้อำนวยการศูนย์ส่งเสริมการลงทุนของกระทรวงเศรษฐกิจอิสราเอล ว่าอินเทลกำลังเจรจาการลงทุนใหม่ที่มีมูลค่าถึงหมื่นล้านดอลลาร์ เท่ากับการลงทุนทั้งหมดของอินเทลในสิบปีที่ผ่านมารวมกัน

ขณะที่โลกเซมิคอนดักเตอร์กำลังพัฒนาไปข้างหน้า ประเด็นราคากลับเป็นประเด็นสำคัญที่เราต้องจับตามองกันมากกว่า ที่งาน International Electron Devices Meeting (IEDM) อินเทลออกมาให้ข่าวว่าเทคโนโลยีการผลิตใหม่ที่จะไม่ทำให้ราคาแพงเกินไป และรายงานที่ออกมาไม่ตรงกับความเป็นจริง แต่ไม่ได้ระบุว่าต้นทุนจริงจะเพิ่มเท่าใด

รายงานก่อนหน้านี้ระบุเทคโนโลยี 22 นาโนเมตรจะทำให้ราคาสูงกว่าเทคโนโลยี 28 นาโนเมตรถึง 30-40% และเทคโนโลยี 14 นาโนเมตรจะทำให้ต้นทุนต่อเวเฟอร์เพิ่มไปถึง 90%

กระบวนการผลิต 22 นาโมเมตรของอินเทลจะถูกใช้งานร่วมกับเทคโนโลยี 80 นาโนเมตรในบางชั้นและ 193 นาโนเมตรในชั้นสุดท้าย