แรมในสมาร์ทโฟนยังคงเพิ่มขึ้นได้อีกเรื่อยๆ หลังจากช่วงปีที่ผ่านมาเริ่มเห็นสมาร์ทโฟนที่ใช้แรมระดับ 4GB ออกมาบ้างแล้ว ในอนาคตกันใกล้ตัวเลขนี้อาจจะขยับไปเป็น 6GB หลังซัมซุงออกมาประกาศผลิตแรม LPDDR4 รุ่นใหม่แล้ว

เจ้าชิปแรม LPDDR4 รุ่นใหม่ของซัมซุงผลิตออกมาเป็นโมดูลละ 12Gb ซึ่งถ้านำมาต่อกันสี่แถวตามที่สมาร์ทโฟนเรือธงหลายรุ่นทำกัน จะได้ความจุรวมที่ 48Gb หรือเท่ากับ 6GB นั่นเอง นอกจากความจุที่มากขึ้นแล้ว ยังได้ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก 30% ในขณะที่กินพลังงานลดลง 20%

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

แม้ว่าเราจะเห็นสมาร์ทโฟน/แท็บเล็ตหลายรุ่นก้าวข้ามไปใช้แรม 2GB กันบ้างแล้ว แต่ก็ยังมีเฉพาะบางแบรนด์ และรุ่นท็อปเท่านั้น ปีหน้าอาจจะได้เห็นกันมากขึ้น หลังจากผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาอย่างซัมซุง เริ่มผลิตแรม LPDDR3 ที่ความจุ 2GB เป็นจำนวนมากแล้ว

รุ่นใหม่นี้เป็นการต่อยอดจาก LPDDR2 ที่เปิดตัวไปเมื่อปลายปีก่อน โดยสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 1,600 Mbps (มากกว่ารุ่นเดิมราว 50%) และมีแบนวิดท์เพิ่มขึ้นเป็น 12.8 GB/s ทั้งหมดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 30 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากแรมแล้ว หน่วยความจำสำรองแบบแฟลชที่ใช้กันบนมือถือความจุ 128GB ก็เริ่มผลิตจำนวนมากแล้วเช่นกัน