ที่งาน IEEE International Memory Workshop ในปีนี้ IBM โดยนักวิจัยจาก IBM Research ประกาศความสำเร็จในการทำให้หน่วยความจำแบบ PCM (phase-change memory) สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อหนึ่งเซลล์อย่างเป็นทางการ และถือเป็นการเปิดโอกาสให้กับแนวทางการเก็บข้อมูลในอนาคต

เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลทุกวันนี้ก้าวหน้าไปมาก คนรุ่นพ่อรุ่นแม่เราตอนที่พวกท่านยังหนุ่มสาวคงยากจะคิดว่าการจะเก็บภาพนับพันนับหมื่นภาพในอุปกรณ์ที่เล็กกว่าอุ้งมือแทนอัลบั้มภาพกองพะเนินนั้นจะเป็นอย่างไร ตอนที่พวกเรายังเด็กก็อาจจะไม่เคยฉุกคิดว่าไม่ทันที่เราจะแก่เราจะได้เห็นเทคโนโลยีที่เก็บบทเพลงจากเทปคาสเซทนับร้อยม้วนลงในการ์ดความจำที่เล็กเพียงปลายนิ้วมือได้สำเร็จ แต่ที่ว่ามานั้นยังห่างไกลจากการเก็บข้อมูลของสมอง กระบวนการธรรมชาติที่มีกลวิธีในการจดจำบันทึกเรื่องราวแตกต่างจากคอมพิวเตอร์ที่มองทุกอย่างด้วยพื้นฐานเลข "0" และ "1"

ปี 2016 ดูจะเป็นปีที่ฝั่งการ์ดจอวิ่งไวเป็นพิเศษ หลังจากเพิ่งมีรายงานว่าซัมซุงเริ่มเดินเครื่องผลิต HBM2 หน่วยความจำไฮเอนด์ได้ไม่กี่วัน JEDEC องค์กรที่กำกับดูแลเกี่ยวกับเซมิคอนดัคเตอร์ก็ออกมาประกาศมาตรฐาน GDDR5X อย่างเป็นทางการแล้ว

มาตรฐาน GDDR5X จะยังคงใช้สเปคเดียวกับ GDDR5 แต่เพิ่มแบนด์วิทด์ต่อ die เป็นเท่าตัวไปอยู่ที่ 10-14 Gb/s ซึ่งแม้ว่าจะเทียบกับ HBM2 (หรือแม้แต่ HBM) ไม่ได้เลย แต่การองรับเทคโนโลยีเดิมๆ อย่างครบถ้วนก็เป็นแต้มต่อของ GDDR5X อยู่

คาดกันว่าทั้งสองค่ายการ์ดจอน่าจะใช้ GDDR5X กับการ์ดจอรุ่นกลางลงมา และเริ่มนำ HBM2 ไปใช้กับรุ่นไฮเอนด์ในเร็วๆ นี้

เมื่อกลางปีก่อนในงานเปิดตัว R9 Fury X การ์ดจอรุ่นเรือธงตัวใหม่ที่มาพร้อมกับหน่วยความจำแบบ HBM ซึ่งมีจุดเด่นอยู่ที่แบนด์วิดท์กว้างยังกับทะเลถึง 512GB/s ล่าสุดมีรายงานความคืบหน้าของหน่วยความจำตัวต่อไปอย่าง HBM2 มาแล้ว

รายงานชิ้นใหม่ระบุว่าซัมซุงได้เริ่มผลิตหน่วยความจำ HBM2 เป็นจำนวนมากแล้ว โดยฟีเจอร์ใหม่ที่มาพร้อมกับ HBM2 จะมีตั้งแต่การซ้อนชิปหน่วยความจำได้สี่ชั้น เพิ่มแบนด์วิดท์สูงสุดเป็น 1,024GB/s และสามารถเพิ่มความจุสูงสุดถึง 16GB จากรุ่นแรกที่จำกัดอยู่ที่ 4GB

สำหรับไลน์การผลิตของซัมซุงจะผลิตบนขนาด 20 นาโนเมตร โดยเริ่มจากตัวสี่ชิปที่ความจุชิปละ 8Gb ก่อน (รวมเป็น 4GB) และจะขยับไปทำรุ่นที่ใช้ชิปซ้อนกัน 8 ตัวในภายหลัง

ซัมซุงเปิดตัวแรม DDR4 แบบ RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ให้พื้นที่แผงละ 128GB สำหรับงานในศูนย์ข้อมูลที่ต้องการพื้นที่แรมสูงๆ

โมดูลแรมที่พื้นที่สูงขนาดนี้อาศัยชิปความจุ 4GB จำนวน 36 ชิป (รวมพื้นที่ 144GB แต่เนื่องจากข้อมูลบางส่วนเป็น ECC จึงใช้งานได้จริง 128GB) แต่ะชิปเป็นแผงซิลิกอนความจุ 8Gb จำนวน 4 แผง เชื่อมต่อกันเป็นชิปเดียวด้วยเทคโนโลยีการบรรจุชิป "through silicon via" (TSV)

ตอนนี้เริ่มเดินสายการผลิตแล้ว อีกไม่นานน่าจะหาสั่งซื้อมาใช้งานกันได้

ที่มา - Samsung

เป็นเรื่องที่ค้างคากันมานานว่าจริงๆ แล้ว iPhone 6s นั้นมาพร้อมกับแรมเท่าไหร่กันแน่ แต่จากอัพเดตล่าสุดของ Xcode เริ่มมีการให้ข้อมูลในเรื่องดังกล่าวออกมาแล้ว โดยผู้ที่สามารถแกะออกมาได้ คือนักพัฒนา iOS รายหนึ่งที่มีชื่อว่า Hamza Sood

Hamza Sood อธิบายว่า ใน iOS Emulator จะมีการส่งค่า memoryClass ของตัวเครื่องจริงออกมาเพื่อทดสอบการทำงานของแอพพลิเคชันด้วย และเขาได้ใช้เทคนิคดังกล่าวในการเขียนแอพพลิเคชันเพื่อแสดงค่าออกมา ซึ่งผลก็คือ iPhone 6s (และ iPhone 6s Plus) จะมาพร้อมกับแรม 2GB และ iPad Pro มาพร้อมกับแรม 4GB ซึ่งมากที่สุดในบรรดาอุปกรณ์ iOS ทั้งหมด ที่มีขนาดแรมส่วนใหญ่ที่ 1GB

แรมในสมาร์ทโฟนยังคงเพิ่มขึ้นได้อีกเรื่อยๆ หลังจากช่วงปีที่ผ่านมาเริ่มเห็นสมาร์ทโฟนที่ใช้แรมระดับ 4GB ออกมาบ้างแล้ว ในอนาคตกันใกล้ตัวเลขนี้อาจจะขยับไปเป็น 6GB หลังซัมซุงออกมาประกาศผลิตแรม LPDDR4 รุ่นใหม่แล้ว

เจ้าชิปแรม LPDDR4 รุ่นใหม่ของซัมซุงผลิตออกมาเป็นโมดูลละ 12Gb ซึ่งถ้านำมาต่อกันสี่แถวตามที่สมาร์ทโฟนเรือธงหลายรุ่นทำกัน จะได้ความจุรวมที่ 48Gb หรือเท่ากับ 6GB นั่นเอง นอกจากความจุที่มากขึ้นแล้ว ยังได้ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก 30% ในขณะที่กินพลังงานลดลง 20%

อย่างไรก็ตาม ซัมซุงยังไม่ได้ประกาศว่าจะเริ่มส่งแรมรุ่นใหม่นี้เมื่อไร แต่ถ้าดูจากรอบก่อนๆ คาดว่าอย่างช้าน่าจะราวปลายปีหน้าครับ

หลังจากเปิดตัวมาตั้งแต่ปี 2008 ในที่สุดเทคโนโลยีส่งข้อมูลระยะประชิดความเร็วสูงอย่าง TransferJet ก็ได้ฤกษ์ลงตลาดอย่างเป็นทางการในทรงการ์ดเมมโมรี่ SDHC ด้วยฝีมือของผู้ผลิตสัญชาติญี่ปุ่น Toshiba แล้ว

การ์ด SDHC รุ่นแรกที่รองรับ TransferJet นี้ใช้รหัส SD-TJA016G ความจุเริ่มต้นที่ 16GB เคลมความเร็วอยู่ในระดับ class 10 และสามารถส่งข้อมูลระยะประชิด (ไม่เกิน 3 ซม.) ได้ความเร็วสูงถึง 375Mbps ซึ่งสูงกว่าเทคโนโลยีคู่แข่งอย่างบลูทูธอย่างมาก แต่ตัวการ์ดยังต้องใช้ร่วมกับอุปกรณ์ที่รองรับด้วย หรือใช้กับ dongle ที่ขายแยกก็ได้เช่นกัน

ใครที่ใช้สมาร์ทโฟนนานๆ น่าจะคุ้นเคยกับการที่เครื่องช้าลง ไม่ฉับไวเหมือนแต่ก่อน แม้ว่าจะล้างเครื่องใหม่ก็ไม่เห็นผลต่างกัน อันเนื่องมาจากชิปหน่วยความจำจะเสื่อมประสิทธิภาพลงตามระยะเวลาการใช้งาน ซึ่งตอนนี้มีทีมวิจัยจากเกาหลีใต้ออกมาโชว์วิธีที่จะช่วยเยียวยาเรื่องนี้แล้ว

ทีมนักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฮันยาง ได้ออกมาโชว์ผลงานที่เรียกว่า Write Ahead Logging Direct IO (WALDIO) กระบวนการเขียนข้อมูลลงหน่วยความจำที่จะอนุญาตเฉพาะข้อมูลสำคัญเท่านั้น โดยทีมวิจัยระบุว่าการลดปริมาณข้อมูลที่บันทึกลงหน่วยความจำ นอกจากจะช่วยชะลอการเสื่อมของตัวชิปแล้ว ยังช่วยให้สมาร์ทโฟนทำงานได้เร็วขึ้น และประหยัดแบตเตอรี่เพิ่มขึ้นอีก 39%

ล้ำไปอีกขั้นสำหรับซัมซุงที่เพิ่งประกาศเริ่มผลิตชิป ePoP (embedded package on package) ความจุสูงสำหรับสมาร์ทโฟนอย่างเป็นทางการแล้ว

ชิป ePoP คือการรวมเอาหน่วยความจำทั้งสองประเภทอย่าง LPDRR3 ความจุ 3GB กับ eMMC ความจุ 32GB มารวมกันในชิปตัวเดียว ลดขนาดของตัวโมดูลลง และสามารถวางไว้เหนือตัวชิปประมวลผลได้โดยไม่ต้องการเนื้อที่เพิ่ม

ด้านประสิทธิภาพ ePoP มาพร้อมกับชิป LPDDR3 ที่ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1,866Mbps พร้อมแบนด์วิดท์แบบ 64 บิต โดยคงขนาดของโมดูลไว้เท่ากับชิป PoP แบบปกติ (ไม่มี eMMC) ที่ 15x15 มม. บอกลาเนื้อที่เพิ่มอีก 11.5x13 มม. ที่ต้องเก็บไว้ใช้กับ eMMC ไปได้เลย

เปิดเดือนแรกของปีก็มีข่าวลือของ iPhone รุ่นใหม่ออกมาแล้ว (ตอนนี้ก็เรียก iPhone 6s ไปพลางๆ) โดยในข้อมูลชุดดังกล่าวมีการพูดถึงแรมใน iPhone 6s ว่าจะเพิ่มเป็น 2GB แล้ว

ตามแหล่งข่าว ซัพพลายเออร์ของ iPhone 6s รอบนี้ใช้ Hynix และซัมซุงเป็นหลัก แล้วจะมี Micron-Elpida ตามมาทีหลัง และยังมีฟีเจอร์ที่เพิ่งใส่เข้าไปใน Apple Watch อย่าง Force Touch ที่ใช้การทำงานของแผงรับสัมผัสบนหน้าจอร่วมกับเซนเซอร์ให้สามารถจับได้ว่าสัมผัสที่แตะไปนั้นหนัก หรือเบาได้

นอกนั้นก็มีข้อมูลอื่นๆ ที่น่าจะเดาได้อย่างชิป Apple A9 นั่นเองครับ

ที่มา - Tech News

ซังซุงประกาศเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR5 ความจุ 8Gb เป็นจำนวนมากแล้ว โดยเคลมว่าเป็นเจ้าแรกที่สามารถพัฒนาหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงระดับนี้ได้ก่อนใคร

หน่วยความจำ GDDR5 ของซัมซุงชุดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร ซึ่งนอกจากจะสามารถลดจำนวนชิปลงเพื่อให้ได้จำนวนหน่วยความจำเท่าเดิมได้แล้ว ในชิปรุ่นใหม่ยังส่งข้อมูลได้สูงขึ้นเป็น 8Gbps ต่อพิน (เร็วขึ้น 1Gbps) เร็วกว่า DDR3 ที่ใช้ในโน้ตบุ๊กทั่วไปประมาณ 4 เท่าตัว

ความสำเร็จในครั้งนี้ของซัมซุงจะช่วยเหลือวงการบันเทิงทั้งฝั่งเกม และภาพยนตร์ให้อุปกรณ์มีบัฟเฟอร์ขนาดใหญ่ขึ้นเพื่อเตรียมพร้อมสำหรับยุค 4K ที่ใกล้เข้าไปทุกขณะ โดยชิปตัวใหม่นี้จะเริ่มส่งของให้ได้ภายในปีนี้ครับ

ซัมซุงซึ่งได้ชื่อว่าเป็นหนึ่งในผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาที่ใหญ่เจ้าหนึ่ง วันนี้ประกาศเดินหน้าสายการผลิตแรมตัวใหม่สำหรับใช้ในอุปกรณ์พกพาแล้ว

แรมดังกล่าวเป็นแรมประเภท LPDDR4 ใช้กระบวนการผลิตที่ 20nm ขนาด 8 Gb ซึ่งเร็วกว่าแรม LPDDR3 ที่ขนาด 4 Gb ถึงสองเท่า

แรมตัวใหม่นี้สามารถทำความจุเพิ่มขึ้นไปได้ถึง 4GB อีกด้วย นอกจากนี้ ซัมซุงยังอ้างอีกว่า แรมดังกล่าวนั้นเร็วกว่า DRAM ที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์และ PC ทั้งยังกินพลังงานน้อยกว่ามาก

ซัมซุงจะเริ่มส่งแรม LPDDR4 ขนาดความจุ 2GB และ 3GB ในเดือนนี้ และจะส่งขนาดความจุ 4GB ได้ในช่วงต้นปี 2015

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า

ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)

สำหรับการเปลี่ยนมาใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร ช่วยลดการใช้พลังงานจากขนาด 25 นาโนเมตรลงถึง 25% ด้วยกันครับ

Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จในการผลิตชิปหน่วยความจำ low power double data rate 4 (LPDDR4) ขนาด 8 Gigabit (Gb นะครับไม่ใช่ GB) และเตรียมทำตลาดแรมชนิดนี้สำหรับอุปกรณ์พกพาในปีหน้า (ยังไม่ระบุกรอบเวลาชัดเจน)

ชิปแรมตัวใหม่นี้ใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร เมื่อชิปหนึ่งตัวมีขนาด 8 Gb (หรือ 1GB) ทำให้แรมหนึ่งแผงสามารถยัดชิป 4 ตัวเพื่อทำแรมขนาด 4GB ในแผ่นเดียวได้ (นั่นแปลว่าเราจะได้เห็นมือถือแรม 4GB ในเร็วๆ นี้)

ชิปแรมตัวนี้สามารถส่งข้อมูลได้ 3200 Mbps ต่อพินหนึ่งขา เร็วกว่าแรม LPDDR3 ในปัจจุบันเท่าตัว แต่ใช้พลังงานน้อยกว่ากันประมาณ 40%

ที่มา - Samsung Tomorrow

จากกรณี ไฟไหม้โรงงาน SK Hynix ในจีน กระทบชิปหน่วยความจำ 10% ของโลก ส่งผลให้ราคาชิปหน่วยความจำดีดตัวขึ้น 42% จากเดิม (คิดจากชิปหน่วยความจำ DDR3 ขนาด 2Gb) มาอยู่ที่ 2.27 ดอลลาร์ เทียบกับของเดิมที่มีราคา 1.60 ดอลลาร์ในวันที่ไฟไหม้

SK Hynix แก้ปัญหาเบื้องต้นโดยเร่งปริมาณการผลิตจากโรงงานที่เกาหลีใต้แทน ซึ่งนักวิเคราะห์จากเกาหลียังมองว่าราคาชิปหน่วยความจำน่าจะยังอยู่ในระดับสูงไปตลอดไตรมาสที่สี่ของปีนี้ หรือจนกว่าโรงงานของ Hynix จะกลับมาทำงานได้เต็มที่เหมือนเดิม (ซึ่ง Hynix บอกว่าประมาณเดือนพฤศจิกายน)

ผู้ที่ได้รับผลกระทบมากที่สุดคงหนีไม่พ้นผู้ผลิตสมาร์ทโฟน ที่ตลาดมักจะแข่งกันดุเดือดที่สุดในช่วงไตรมาสที่สี่ของปีเป็นปกติอยู่แล้ว

เมื่อวันพุธที่ผ่านมา โรงงานหน่วยความจำของบริษัท SK Hynix ที่เมืองอู๋ซี ในประเทศจีน เกิดไฟไหม้เสียหายหนักจนต้องหยุดสายการผลิต ถึงแม้จะไม่มีใครได้รับบาดเจ็บหรือเสียชีวิตก็ตาม

อย่างไรก็ตามไฟไหม้ครั้งนี้กลับสร้างผลสะเทือนต่อวงการหน่วยความจำของโลก เพราะ SK Hynix ถือเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เป็นอันดับสองของโลก มีส่วนแบ่งตลาดประมาณ 30% และโรงงานแห่งนี้มีกำลังการผลิตประมาณครึ่งหนึ่งของ SK Hynix ทั้งบริษัท

คาดว่าไฟไหม้รอบนี้จะส่งผลต่อปริมาณซัพพลายของชิป DRAM ทั่วโลกประมาณ 10% และ SK Hynix เองก็เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ให้สินค้าของแอปเปิลด้วย

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

ซัมซุงบอกว่าหน่วยความจำรุ่นนี้จะเริ่มใช้ในอุปกรณ์ของตัวเองในอีกเดือนสองเดือนข้างหน้า ไม่แน่ว่าเราอาจจะเห็น Galaxy Note 3 ใช้ก็ได้ครับ

Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

ระบบประมวลผลของอุปกรณ์พกพาโดยส่วนใหญ่มักทำงานควบคู่กับ SRAM (static RAM) ซึ่งถือเป็น RAM ที่มีความเร็วในการทำงานสูง แต่กินพลังงานไฟฟ้าเป็นอย่างมาก เนื่องจากต้องการพลังงานไฟฟ้าไปเลี้ยงอยู่ตลอดเวลาเพื่อรักษาข้อมูลไว้ในหน่วยความจำ ทั้งยังมีปัญหากระแสรั่วไหล โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อหน่วยประมวลผลได้รับการพัฒนาให้มีความเร็วสูงยิ่งขึ้น หน่วยความจำก็ยิ่งต้องทำงานเร็วขึ้นสอดคล้องกันไป ทำให้ยิ่งสิ้นเปลืองพลังงาน

แรมพีซีตอนนี้ที่เราใช้กันมักเป็นมาตรฐาน DDR3 (หรือยังมี DDR2 บ้างในโทรศัพท์มือถือ) และตอนนี้ JEDEC หน่วยงานออกมาตรฐานด้านเซมิคอนดักเตอร์ก็ออกมาตรฐาน JESD79-4 หรือมาตรฐาน DDR4 ให้ดาวน์โหลดแล้ว พร้อมเปิดเวิร์คชอปสำหรับนักพัฒนาปลายเดือนตุลาคมนี้

มาตรฐานช่วงเริ่มต้น จะรองรับการส่งข้อมูล 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาทีเป็นขั้นต่ำ และ 3.2 พันล้านครั้งต่อวินาทีที่ความเร็วสูงสุด แต่ในมาตรฐาน DDR3 ที่ตอนออกมาตรฐานกำหนดความเร็วสูงสุด 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาที ก็มีการออกชิปรุ่นใหม่ๆ ที่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้นจนทำความเร็วได้เกินมาตรฐาน ใน DDR4 ก็คาดว่าจะทำได้แบบเดียวกัน

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

ข่าวเก่าไปสักเล็กน้อยแต่ยังใช้ได้อยู่นะครับ

Samsung Electronics ประกาศแผนการผลิตแรมพลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่คือ LPDDR3 SDRAM โดยซัมซุงจะสามารถผลิตหน่วยความจำขนาด 4 Gb ที่ขนาด 30nm และกินไฟ 1.2V

ปัจจุบันแรมในมือถือใช้ LPDDR2 ที่มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 800Mbps ต่อหน่วย (terminal) และมีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดต่อชิปที่ 3.2Gbps ในขณะที่แรม LPDDR3 มีอัตราการส่งข้อมูลต่อ terminal มากกว่ากันเท่าตัวคือ 1.6Gbps โดยที่แรมทั้งสองชนิดกินไฟเท่ากัน

ซัมซุงบอกว่าแรมแบบใหม่ LPDDR3 จะกลายเป็นแรมมาตรฐานของมือถือในปีนี้

ข่าวลือจากสำนักข่าวรอยเตอร์ส อ้างว่าแอปเปิลได้เตรียมที่จะเข้าซื้อ Anobit บริษัทผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชเมโมรี่จากประเทศอิสราเอลที่ราคาประมาณ 400 หรือ 500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ

Anobit เป็นบริษัทที่เชี่ยวชาญในเรื่อง signal processing สำหรับชิปหน่วยความจำ ทำให้สามารถเพิ่มทั้งความจุและประสิทธิภาพของชิปเหล่านี้ได้ เทคโนโลยีนี้ได้ถูกนำมาใช้ในชิปหน่วยความจำจากซัมซุงและ Hynix ที่ถูกนำมาใช้ใน iPhone 4S อยู่แล้วในทุกวันนี้