Samsung แพ้คดีที่ถูกฟ้องร้องว่าละเมิดสิทธิบัตรเกี่ยวกับ FinFET และถูกสั่งให้จ่ายเงินเพื่อชดใช้เป็นมูลค่า 400 ล้านดอลลาร์ให้แก่ KAIST เจ้าของสิทธิบัตร

FinFET เป็นทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิดหนึ่งที่ส่วนของ Source และ Drain ยื่นสูงขึ้นมาเป็นครีบ (อันเป็นที่มาของชื่อ) ซึ่ง KAIST มหาวิทยาลัยในเกาหลีใต้ได้ทำการวิจัยพัฒนาเทคโนโลยีเกี่ยวกับ FinFET และจดสิทธิบัตรผลงานดังกล่าวได้ โดยมีการจดสิทธิบัตรในสหรัฐอเมริกาด้วย และตัวแทนที่ดูแลเรื่องผลประโยชน์ด้านทรัพย์สินทางปัญญาในสหรัฐอเมริกานี้เองที่ดำเนินการฟ้องร้องต่อศาลว่า Samsung เอาผลงานวิจัยเกี่ยวกับ FinFET ไปใช้โดยไม่ได้รับอนุญาต

ทาง Samsung แย้งว่าบริษัทได้ร่วมมือกับ KAIST ทำการวิจัยพัฒนามาตั้งแต่ต้น ทว่า KAIST ก็โต้แย้งว่าทางผู้ผลิตชิปรายใหญ่จากเกาหลีใต้นั้นได้แสดงท่าที "ไม่เห็นค่างานวิจัย FinFET" มาตั้งแต่เริ่มแรก และเชื่อว่าเทคโนโลยีนี้จะล้มเหลว จนกระทั่งเป็น Intel ที่คว้าสิทธิ์ได้รับอนุญาตให้ใช้งานเทคโนโลยีผลงานวิจัยค้นคว้านี้ ทาง Samsung จึงได้เริ่มหันกลับมามอง FinFET ใหม่อีกครั้ง ทั้งนี้ KAIST ยืนยันว่า Samsung ได้นำเอาความรู้จากงานวิจัย FinFET ไปใช้ประโยชน์โดยไม่เคยช่วยออกเงินให้ KAIST เลย

หลังการไต่สวนคดี คณะลูกขุนของศาลกลางใน Texas ได้ตัดสินให้ Samsung ชดใช้ KAIST ด้วยเงิน 400 ล้านดอลลาร์ โทษฐานที่ละเมิดสิทธิบัตร และอันที่จริงแล้วคณะลูกขุนยังพบว่าการละเมิดสิทธิบัตรนี้เป็นไปโดยจงใจกระทำ ซึ่งนั่นอาจทำให้ผู้พิพากษาตัดสินใจเพิ่มโทษปรับจากคำตัดสินของลูกขุนขึ้นไปเป็น 1.2 พันล้านดอลลาร์ก็ได้

ทั้งนี้จากการไต่สวนยังพบว่า GlobalFoundries และ Qualcomm ก็ถือว่าเป็นผู้ละเมิดสิทธิบัตรของ KAIST เช่นกัน โดย GlobalFoundries นั้นได้สิทธิ์การผลิต FinFET ไปจาก Samsung อีกต่อหนึ่ง ส่วน Qualcomm นั้นถือว่าร่วมละเมิดเพราะชิปของ Qualcomm นั้นผลิตโดย GlobalFoundries และ Samsung Foundry โดยอาศัยเทคโนโลยีที่ได้รับการคุ้มครองตามสิทธิบัตรที่ KAIST ถือครองอยู่

หลังมีคำตัดสินออกมา Samsung ให้ความเห็นว่าผิดหวังกับคำตัดสินดังกล่าวและกำลังพิจารณาเรื่องการอุทธรณ์คดีต่อไป

ที่มา - AnandTech