on
Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3
ระบบประมวลผลของอุปกรณ์พกพาโดยส่วนใหญ่มักทำงานควบคู่กับ SRAM (static RAM) ซึ่งถือเป็น RAM ที่มีความเร็วในการทำงานสูง แต่กินพลังงานไฟฟ้าเป็นอย่างมาก เนื่องจากต้องการพลังงานไฟฟ้าไปเลี้ยงอยู่ตลอดเวลาเพื่อรักษาข้อมูลไว้ในหน่วยความจำ ทั้งยังมีปัญหากระแสรั่วไหล โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อหน่วยประมวลผลได้รับการพัฒนาให้มีความเร็วสูงยิ่งขึ้น หน่วยความจำก็ยิ่งต้องทำงานเร็วขึ้นสอดคล้องกันไป ทำให้ยิ่งสิ้นเปลืองพลังงาน
Toshiba จึงเลือกพัฒนา MRAM (magnetoresistive RAM) ขึ้นมาเพื่อใช้งานทดแทนกัน โดยทั่วไปแล้ว MRAM ไม่ต้องการไฟเลี้ยงในการเก็บรักษาข้อมูล ทั้งนี้จะต้องการไฟก็ต่อเมื่อต้องทำ operation กับข้อมูลดังกล่าวเท่านั้น จึงลดปัญหาเรื่องกระแสไฟรั่วไหลในขณะ stand by ทว่าจนถึงก่อนหน้านี้จุดอ่อนที่สำคัญของ MRAM คือทำงานช้ากว่า SRAM และแม้จะกินพลังงานเฉพาะช่วงที่มี operation ของข้อมูล แต่โดยรวมยังต้องอาศัยพลังงานมากกว่า SRAM จึงไม่ค่อยได้รับความนิยมในการเลือกใช้
สิ่งที่ Toshiba ทำคือลดการใช้พลังงานของ STT-MRAM ลงให้เหลือแค่ 10% ของ MRAM และเพิ่มความเร็วในการ operation ให้มากขึ้น ผลที่ได้คือ RAM ใหม่ทำงานได้เร็วทัดเทียมกับ SRAM ในขณะที่กินพลังงานแค่ 1 ใน 3 เท่านั้น โดย MRAM ที่ได้รับการพัฒนาใหม่นี้ เรียกว่า STT-MRAM
แม้จะเพิ่งเป็นเพียงการทดสอบด้วยระบบจำลองเท่านั้น แต่ Toshiba เชื่อว่าจะสามารถผลิตแรมให้ใช้งานได้จริงเร็วๆ นี้
การพัฒนา STT-MRAM เพื่อประหยัดพลังงานนั้น Toshiba ได้ออกแบบโครงสร้างระดับพื้นฐานให้มีขนาดเล็กกว่า 30 นาโนเมตร โดยยึดหลักการทำงานของการเหนี่ยวนำแม่เหล็กในแนวตั้งฉากกับแผ่นแม่เหล็ก ซึ่ง Toshiba เป็นผู้ริเริ่มสร้าง RAM ที่ทำงานด้วยการเหนี่ยวนำแบบดังกล่าวได้สำเร็จเป็นรายแรกของโลกเมื่อปี 2007
ผลจากการออกแบบโครงสร้างใหม่ ทำให้สภาพของ RAM ที่ได้รับการปรับปรุงเปรียบเสมือนวงจรไฟฟ้าที่มีสถานะปิดอยู่ตลอดเวลา ลดการรั่วไหลของกระแสไฟได้ตลอดเวลาทั้งในขณะใช้งานและในขณะ stand by
สิ่งที่ Toshiba
panurat2000 Tue, 18/12/2012 - 05:22
ลดการใช้พลังงานขอ => ลดการใช้พลังงานของ
รู้สึกว่าข่าวต้นฉบับที่
tuckclub Tue, 18/12/2012 - 09:27
รู้สึกว่าข่าวต้นฉบับที่ geek.com จะให้ข้อมูลคลาดเคลื่อนนะครับ โดยเฉพาะเรื่องคอนเซ็ปท์และการทำงานของ SRAM และ MRAM แถมการเรียบเรียงเนื้อหาก็ชวนให้สับสนอีกต่างหาก
แนะนำให้ลองอ่านต้นฉบับจริงๆ ที่ http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_12/pr1001.htm แล้วลองเรียบเรียงใหม่อีกครั้งครับ
อีกนิด เนื้อข่าวพูดถึง SRAM,
hisoft Tue, 18/12/2012 - 09:54
In reply to รู้สึกว่าข่าวต้นฉบับที่ by tuckclub
อีกนิด เนื้อข่าวพูดถึง SRAM, MRAM พร้อมข้อมูลอยู่ดี ๆ STT-RAM โผล่มาเป็นพระเอกจากไหนก็ไม่รู้ ต่างกับตัวอื่นยังไงก็ไม่มีบอก ไม่มีลิงก์ด้วยครับ
มึนนิดๆ -..-
tonhady Tue, 18/12/2012 - 10:22
มึนนิดๆ -..-
-
McKay Tue, 18/12/2012 - 10:45
บอกว่าเหลือ1ใน3เข้าใจง่ายกว่า
Jaddngow Tue, 18/12/2012 - 12:04
บอกว่าเหลือ1ใน3เข้าใจง่ายกว่า
ลด10%นี่คือ ลดจาก MRAM รุ่นเก่าหรือเปล่า
แล้วลดเหลือ 1 ใน3 นี่เทียบกับ SRAM เหรอครับ
ลดเหลือ 10% คือ MRAM
ตะโร่งโต้ง Tue, 18/12/2012 - 12:30
In reply to บอกว่าเหลือ1ใน3เข้าใจง่ายกว่า by Jaddngow
ลดเหลือ 1 ใน 3
hisoft Tue, 18/12/2012 - 12:41
In reply to ลดเหลือ 10% คือ MRAM by ตะโร่งโต้ง
ผมว่าเค้าไม่ได้บอกละเอียดขนาดว่าทดสอบความเร็วเท่ากัน กินไฟแค่ 10% เพิ่มความเร็วแล้ว กินไฟแค่ 1/3 นะครับ แต่น่าจะเป็นว่า STT-MRAM ใช้พลังงานน้อยกว่า MRAM ทั่ว ๆ ไป 90% และ "ในขณะเดียวกัน" ก็ทำงานได้เร็วขึ้น ผลลัพท์ที่ได้คือทำงานได้ดีเท่า ๆ กับ SRAM แต่ใช้พลังงานแค่ 1/3 ดู ๆ แล้วผมก็ระบุไม่ได้เหมือนกันว่าตอนไหนทดสอบความเร็วเท่าไหร่
ผมว่า 1/3 นั่นเทียบกับ
ตะโร่งโต้ง Tue, 18/12/2012 - 12:45
In reply to ลดเหลือ 1 ใน 3 by hisoft
ผมว่า 1/3 นั่นเทียบกับ conventional SRAM นะครับ
ไม่ได้เทียบกับ conventional MRAM หรอก
เพราะประโยคสุดท้ายที่ว่า
น่าจะแปลได้ว่า "ผลลัพธ์สุดท้ายคือหน่วยเก็บความจำที่ทำงานได้ดีเทียบเท่า SRAM, แต่ต้องการพลังงานเพียงแค่ประมาณ 1 ใน 3"
ผมก็ไม่ได้บอกว่าท่อนนั้นเทียบ
hisoft Tue, 18/12/2012 - 16:08
In reply to ผมว่า 1/3 นั่นเทียบกับ by ตะโร่งโต้ง
ผมก็ไม่ได้บอกว่าท่อนนั้นเทียบกับ MRAM นะครับ
ตั้งแต่อ่านข่าวเมื่อหลายปีก่อ
hisoft Tue, 18/12/2012 - 12:42
ตั้งแต่อ่านข่าวเมื่อหลายปีก่อนก็ลุ้นมาตลอด ตอนนี้ยังต้องรอต่อไป (T^T)
ถ้าออกมาได้จริงนี่ standby กับ Hibernate คงจะใกล้กันมากกว่านี้ โดยเฉพาะ connected standby ของ Windows 8
ไม่ใช่ประหยัดพลังงานแบตเตอร์รี่นะครับ ไม่เกี่ยวอะไรกับแบตเตอร์รี่เลยด้วย
เขียนว่า ลดของ STT-MRAM ให้เหลือ 10% ของ MRAM จะเข้าใจง่ายกว่านะครับว่าอะไรเทียบอะไร
อ่านแล้วได้ feeling
tontpong Tue, 18/12/2012 - 13:23
อ่านแล้วได้ feeling ว่ากำลังอ่าน Press Release แหะ.. ลุ้นกันว่าใครจะประเดิมตลาด Universal Memory ได้ก่อนกัน
โตชิบาไม่รุว่า "เรวๆ นี้" คือเมื่อใด, ส่วนฟาก HP คุ้นๆ ว่าบอกปีหน้า, แล้วชะตาของ raceๆ ไรอีกตัวนี่เปนไงบ้างหนอ (เคยเจอข่าวแว้บๆ ในนี้) .. ที่แน่ๆ คือเมื่อไหร่ที่มา ชาวเราคงได้ประโยชน์กันถ้วนหน้า (แรกๆ ราคาอาจจะแพง แต่ไงซักพักราคาก้อคงลงมาถึงระดับที่ชาวบ้านจับจองได้ แล้วยุคนี้อะไรๆ ล้วน cloud ไงคงไม่นานนักที่ชาวบ้านจะได้ประโยชน์ทางอ้อม เช่น ราคาลดลง หรือมีบริการใหม่ๆ ที่เดิมทำยากเชิงเทคนิค)
ปล.
ตอนแรกบอก SRAM กินไฟมาก
Zatang Tue, 18/12/2012 - 13:06
ตอนแรกบอก SRAM กินไฟมาก ต่อมาบอก MRAM ใช้ไฟน้อย สุดท้ายบอก STT RAM ใช้ไฟ 10% ของ MRAM แต่เท่ากับ 1/3 ของ SRAM ซึ่งอ่านแบบนี้น่าจะหมายถึง SRAM กินไฟน้อยกว่า MRAM สิ งง
"ทว่าจนถึงก่อนหน้านี้จุดอ่อนท
tontpong Tue, 18/12/2012 - 14:44
In reply to ตอนแรกบอก SRAM กินไฟมาก by Zatang
"ทว่าจนถึงก่อนหน้านี้จุดอ่อนที่สำคัญของ MRAM คือทำงานช้ากว่า SRAM และแม้จะกินพลังงานเฉพาะช่วงที่มี operation ของข้อมูล แต่โดยรวมยังต้องอาศัยพลังงานมากกว่า SRAM จึงไม่ค่อยได้รับความนิยมในการเลือกใช้"
ช่วงที่ไม่ได้ทำอะไร พวก MRAM ไม่ต้องจ่ายไฟเลี้ยง.. แต่เมื่อเทียบการใช้งานโดยรวมแล้ว, 'MRAM แบบเดิม' จะใช้ไฟมากกว่า 'SRAM' เพราะพวก operation ต่างๆ ใน 'MRAM แบบเดิม' ใช้พลังงานมากกว่า SRAM
ส่วน 'Toshiba MRAM' นั้น เมื่อเทียบการใช้งานโดยรวมแล้วจะใช้พลังงานน้อยกว่า 'SRAM' (ไม่อยากเรียกว่า STT-MRAM เพราะ STT-MRAM มีทำกันอยู่หลายค่าย เกรงไปเจอข้อมูลที่อื่นแล้วจะงง)
MRAM เข้าใจไม่ผิด
madmod Thu, 27/12/2012 - 04:02
MRAM เข้าใจไม่ผิด แสดงว่าไฟดับ ข้อมูลก็อยู่สินะ(ถ้าไม่มีการเข้าถึงข้อมูลขณะนั้นด้วย) แจ่มอ่ะ