ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 2.1 ขนาดความจุ 1TB สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 16 เลเยอร์ อัตราการอ่านข้อมูลแบบ sequential read อยู่ที่ 1000 MB/s เร็วกว่า eUFS ความจุ 512GB ที่มี sequential read ที่ 860 MB/s และเร็วกว่า SSD ขนาด 2.5 นิ้ว สองเท่า

ส่วนของการเขียนข้อมูลแบบ sequential write อยู่ที่ 260 MB/s, ความเร็วในการอ่านแบบสุ่ม 58,000 IOPS และความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม 50,000 IOPS

รองรับการจัดเก็บวีดีโอ 4K ความยาว 10 นาที ได้ 260 ไฟล์, การโอนไฟล์วีดีโอ Full HD ขนาด 5GB ได้เร็วกว่า NVMe SSD ห้าเท่า และเร็วกว่า microSD ทั่วไป 10 เท่า

ซัมซุงระบุว่าจะขยายการผลิต eUFS ความจุ 1TB ในเกาหลีใต้ในช่วงครึ่งปีแรกนี้

ที่มา : Samsung