ซัมซุงประกาศเดินสายการผลิตชิปด้วยเทคโนโลยี 7 นาโนเมตรแบบพลังงานต่ำ LPP (Low Power Plus) อย่างเต็มตัวแล้ว

กระบวนการผลิตแบบ 7LPP ของซัมซุงใช้เทคนิคการฉายแสงแบบ extreme ultraviolet (EUV) ความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตรลงไปยังแผ่นเวเฟอร์ แทนการแช่ argon fluoride (ArF) แบบดั้งเดิม ซึ่งมีข้อจำกัดที่ความยาวคลื่น 193 นาโนเมตร และมีต้นทุนการสร้างแผ่นบัง (mask) ราคาแพง เพราะต้องใช้ถึง 4 แผ่นต่อเลเยอร์ ในขณะที่เทคนิค EUV ใช้เพียงแผ่นเดียว

เทคนิค EUV ยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ และลดการใช้พลังงานของชิปลง โดยชิป 7LPP ของซัมซุงเทียบกับชิป 10nm FinFET ที่ใช้ในปัจจุบัน มีประสิทธิภาพต่อพื้นที่ดีขึ้น 40%, ประสิทธิภาพดีขึ้น 20% หรือกินพลังงานน้อยลง 50%

ซัมซุงระบุว่า EUV เป็นเทคนิคที่บริษัทวิจัยและพัฒนามายาวนานตั้งแต่ช่วงปี 2000 ซึ่งมาถึงทุกวันนี้ก็ออกดอกออกผล กลายเป็นเทคโนโลยีหลักของยุค 7 นาโนเมตร ตอนนี้ EUV เริ่มใช้งานที่โรงงาน S3 Fab ในเกาหลีใต้แล้ว พร้อมรับคำสั่งผลิตชิปจากลูกค้า และจะเพิ่มโรงงานอื่นที่ใช้เทคนิคนี้ภายในปี 2020

ซัมซุงยังให้ข้อมูลว่าด้วยเทคนิค EUV จะทำให้บริษัทสามารถเดินหน้าไปสู่ระดับ 3 นาโนเมตรได้ เพราะข้อจำกัดของ FinFET จะไปได้แค่ระดับ 4-5 นาโนเมตรเท่านั้น

ก่อนหน้านี้มี TSMC ที่ประสบความสำเร็จในการผลิตชิประดับ 7 นาโนเมตร ในขณะที่คู่แข่งรายอื่นคือ GlobalFoundries ประกาศล้มเลิกแผน 7 นาโนเมตร และอินเทลยังไปไม่ถึงฝั่งฝันกับ 10 นาโนเมตร (สักที)

ที่มา - Samsung, AnandTech