IBM ร่วมกับพาร์ทเนอร์คือซัมซุงและ GLOBALFOUNDRIES ประกาศความสำเร็จของการผลิตชิประดับ 5 นาโนเมตรได้เป็นรายแรก
เทคนิคของ IBM เรียกว่า Gate-All-Around Transistor (GAAFET) ถูกนำมาใช้แทนสถาปัตยกรรม FinFET ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน แนวคิของมันคือการสร้างแผ่นเซมิคอนดักเตอร์แบบ "นาโนชีท" มาวางซ้อนทับกัน (stacked nanosheet) ได้ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพดีขึ้น 40% ที่ระดับพลังงานเท่าเดิม หรือลดพลังงานลงได้ 75% ที่ประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน เมื่อเทียบกับการผลิตแบบ 10 นาโนเมตรในท้องตลาด
ตอนนี้สถานะของ IBM ยังอยู่ในขั้นงานวิจัย รายละเอียดจะเผยแพร่ในการประชุม 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits อีกสองสัปดาห์ข้างหน้า
ที่มา - IBM, Ars Technica


on
กว่าจะใช้จริงก็อีกนานมาก
sakura Tue, 06/06/2017 - 14:18
ดีครับ แต่กว่าจะใช้จริงก็อีกนานมาก
ถ้าไม่มีการแข่งขันที่ดุเดือดก็คงไม่รีบผลิตจริงออกมา
Globalfoundries
mk Tue, 06/06/2017 - 14:20
In reply to กว่าจะใช้จริงก็อีกนานมาก by sakura
Globalfoundries จะเริ่มเดินเครื่อง 7nm ปีหน้าแล้วครับ
รายนี้ใช่โรงงานของ AMD
darkleonic Tue, 06/06/2017 - 14:29
In reply to Globalfoundries by mk
รายนี้ใช่โรงงานของ AMD ที่แยกตัวมาหรือเปล่า
เรากำลังเห็นโลกที่แข่งขันกันผ
thejobniti Tue, 06/06/2017 - 15:02
เรากำลังเห็นโลกที่แข่งขันกันผลิตชิป ระดับนาโน มากขึ้นในตลาด ก็มี samsung tsmc huawei mediatek intel ฯ แต่ที่แน่ๆ เทคโนโลยีใหม่มาพร้อมกับราคาที่แพง อันนี้ต้องทำใจยอมรับ
แนวคิของมันคือการสร้างแผ่นเซม
panurat2000 Tue, 06/06/2017 - 15:50
แนวคิ ?
Ibm ประกาศ
menu_dot Tue, 06/06/2017 - 16:11
Ibm ประกาศ
แต่ samsung ผลิตได้จริงเจ้าแรก
ต่อไปก็จะสร้าง NanoSuit
ketting Wed, 07/06/2017 - 11:32
ต่อไปก็จะสร้าง NanoSuit
ได้ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพดีขึ้
hisoft Wed, 07/06/2017 - 11:59
แต่ถ้าเลือกแบบหลังแล้วใช้ 4 ชุดจะได้ประสิทธิภาพ 400% ที่พลังงานเท่าเดิม :p (นี่ก็คิดง่ายไป๊)
GAAFET ไม่น่าจะมาจาก Gate All
chollathee Wed, 07/06/2017 - 21:24
GAAFET ไม่น่าจะมาจาก Gate All Around Transistor นะครับ ดูจากตัวย่อ ต้องเป็น GAAT
GAAFET น่าจะมาจาก Gate All Around Field Effect Transistor มากกว่า
แต่ Transistor ก็มีหลายแบบ ทั้ง BJT, FET, MOSFET, IGBT