Tags:
Node Thumbnail

IBM ร่วมกับพาร์ทเนอร์คือซัมซุงและ GLOBALFOUNDRIES ประกาศความสำเร็จของการผลิตชิประดับ 5 นาโนเมตรได้เป็นรายแรก

เทคนิคของ IBM เรียกว่า Gate-All-Around Transistor (GAAFET) ถูกนำมาใช้แทนสถาปัตยกรรม FinFET ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน แนวคิของมันคือการสร้างแผ่นเซมิคอนดักเตอร์แบบ "นาโนชีท" มาวางซ้อนทับกัน (stacked nanosheet) ได้ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพดีขึ้น 40% ที่ระดับพลังงานเท่าเดิม หรือลดพลังงานลงได้ 75% ที่ประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน เมื่อเทียบกับการผลิตแบบ 10 นาโนเมตรในท้องตลาด

ตอนนี้สถานะของ IBM ยังอยู่ในขั้นงานวิจัย รายละเอียดจะเผยแพร่ในการประชุม 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits อีกสองสัปดาห์ข้างหน้า

ที่มา - IBM, Ars Technica

No Description

No Description

Get latest news from Blognone

Comments

By: sakura
ContributorWindows PhoneSymbian
on 6 June 2017 - 14:18 #991435

ดีครับ แต่กว่าจะใช้จริงก็อีกนานมาก

ถ้าไม่มีการแข่งขันที่ดุเดือดก็คงไม่รีบผลิตจริงออกมา

By: mk
FounderAndroid
on 6 June 2017 - 14:20 #991437 Reply to:991435
mk's picture

Globalfoundries จะเริ่มเดินเครื่อง 7nm ปีหน้าแล้วครับ

By: darkleonic
ContributorAndroidWindowsIn Love
on 6 June 2017 - 14:29 #991439 Reply to:991437
darkleonic's picture

รายนี้ใช่โรงงานของ AMD ที่แยกตัวมาหรือเปล่า

By: thejobniti on 6 June 2017 - 15:02 #991449

เรากำลังเห็นโลกที่แข่งขันกันผลิตชิป ระดับนาโน มากขึ้นในตลาด ก็มี samsung tsmc huawei mediatek intel ฯ แต่ที่แน่ๆ เทคโนโลยีใหม่มาพร้อมกับราคาที่แพง อันนี้ต้องทำใจยอมรับ

By: panurat2000
ContributorSymbianUbuntuIn Love
on 6 June 2017 - 15:50 #991465
panurat2000's picture

แนวคิของมันคือการสร้างแผ่นเซมิคอนดักเตอร์

แนวคิ ?

By: menu_dot on 6 June 2017 - 16:11 #991481

Ibm ประกาศ
แต่ samsung ผลิตได้จริงเจ้าแรก

By: ketting
Android
on 7 June 2017 - 11:32 #991665

ต่อไปก็จะสร้าง NanoSuit

By: hisoft
ContributorWindows PhoneWindows
on 7 June 2017 - 11:59 #991671
hisoft's picture

ได้ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพดีขึ้น 40% ที่ระดับพลังงานเท่าเดิม หรือลดพลังงานลงได้ 75% ที่ประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน

แต่ถ้าเลือกแบบหลังแล้วใช้ 4 ชุดจะได้ประสิทธิภาพ 400% ที่พลังงานเท่าเดิม :p (นี่ก็คิดง่ายไป๊)

By: chollathee
AndroidSymbianWindows
on 7 June 2017 - 21:24 #991755

GAAFET ไม่น่าจะมาจาก Gate All Around Transistor นะครับ ดูจากตัวย่อ ต้องเป็น GAAT

GAAFET น่าจะมาจาก Gate All Around Field Effect Transistor มากกว่า

แต่ Transistor ก็มีหลายแบบ ทั้ง BJT, FET, MOSFET, IGBT