ซัมซุงเตรียมเปิดโรงงานผลิตชิป NAND Flash ขนาดจิ๋วเพียง 20 nm โดยมันจะถูกรวมอยู่ใน SD card และพวกหน่วยความจำต่างๆ ซัมซุงยังกล่าวว่า NAND Flash ขนาดจิ๋วเขียนและรับข้อมูลได้รวดเร็วมาก
NAND Flash ขนาดจิ๋ว 20 nm ให้ความเร็วของการทำงานเพิ่มขึ้น 50% จากรุ่นก่อน (30 nm) โดยจะเขียนข้อมูลที่ความเร็ว 10MB/s และอ่านข้อมูลที่ 20MB/s โดยจะฝังอยู่ในหน่วยความจำขนาดตั้งแต่ 4GB - 64GB
ที่มา - SamsungHUB
on
เขียนความเร็วอ่านกับเขียนสลับ
chaow Tue, 20/04/2010 - 19:34
เขียนความเร็วอ่านกับเขียนสลับกันนะครับ แก้ด้วยครับ
แก้แล้วครับ
modeQ Tue, 20/04/2010 - 20:28
In reply to เขียนความเร็วอ่านกับเขียนสลับ by chaow
แก้แล้วครับ