ไลน์ผลิตเซมิคอนดักเตอร์หมายเลข 2 ของซัมซุง ในเมืองพย็องแท็ก ที่มีพื้นที่กว่า 128,900 ตารางเมตร และเป็นไลน์ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่ใหญ่ที่สุดในโลก เริ่มผลิตชิปความจำ DRAM LPDDR5 แบบ 16Gb (กิกะบิต) ด้วยกระบวนการ EUV (extreme ultraviolet) ขนาดการผลิต 10nm รุ่นที่สาม หรือที่เรียกว่าการผลิตแบบ 1z แล้ว

ซัมซุงระบุว่าชิป LPDDR5 แบบ 16Gb นี้ เป็นชิปหน่วยความจำรุ่นแรกที่มีการผลิตเป็นจำนวนมาก (mass production) ด้วยกระบวนการ EUV และเป็นชิปหน่วยความจำบนมือถือที่มีประสิทธิภาพและความจุสูง พร้อมรองรับ 5G และ AI ในอนาคต มีความเร็วในการรับส่งข้อมูลถึง 6,400 Mb/s เร็วกว่าชิป 12Gb DRAM ที่มีความเร็ว 5,500 Mb/s อยู่ประมาณ 16 เปอร์เซ็นต์

นอกจากนี้ การผลิตแบบ 1z ยังทำให้ขนาดโดยรวมของชิป LPDDR5 นี้ เล็กลงถึง 30 เปอร์เซ็นต์ และใช้ชิปเพียง 8 ชิ้นเท่านั้น ในการประกอบเป็นแรมขนาด 16GB จากเดิมที่กระบวนการผลิตแบบ 1y (แบบก่อนหน้านี้) ต้องใช้ชิปถึง 12 ชิ้น (แบบ 12Gb 8 ชิ้น และแบบ 8 Gb อีก 4 ชิ้น) เพิ่มพื้นที่ให้กับกล้อง ชิปโมเด็ม 5G และเพิ่มความสะดวกสำหรับการจัดวางแผงวงจรของอุปกรณ์แบบพับได้ (foldable) อีกด้วย

ซัมซุงจะเป็นเจ้าแรกที่ผลิตแพ็คเกจแรม 16GB LPDDR5 ด้วยกระบวนการ 1z สู่ท้องตลาด และยังเตรียมขยายตลาดชิปในมือถือรุ่นเรือธงในปี 2021 รวมทั้งจะพัฒนาให้แรมแบบ LPDDR5 มีความคงทนต่อสภาวะอุณหภูมิที่สูงขึ้น เพื่อให้ผ่านมาตรฐานความปลอดภัย สำหรับใช้งานในตลาดชิปรถยนต์ในอนาคตอีกด้วย

ที่มา - Samsung