Tags:
Node Thumbnail

TSMC เพิ่งประกาศทดสอบกระบวนการผลิตระดับ 5 นาโนเมตร ไปเพียงสัปดาห์เดียว ฝั่งของซัมซุงที่นำโดย Samsung Foundry ก็เกทับโดยประกาศว่า ทดสอบกระบวนการผลิตระดับ 5 นาโนเมตร FinFET บนเทคโนโลยี extreme ultraviolet (EUV) เสร็จเรียบร้อยแล้ว พร้อมรับงานผลิตตัวอย่าง (sample) ให้ลูกค้าแล้ว

ซัมซุงบอกว่าเทคโนโลยี 5nm FinFET ของตัวเองจะทำให้ประสิทธิภาพของการใช้พื้นที่แผ่นซิลิคอน (logic area efficiency) ดีขึ้น 25% ส่วนอัตราการใช้พลังงานดีขึ้น 20% หรือถ้ารักษาการใช้พลังงานเท่าเดิม สมรรถนะ (performance) จะเพิ่มขึ้น 10%

อีกประเด็นที่น่าสนใจคือ ซัมซุงบอกว่า 5 นาโนเมตร ใช้ทรัพย์สินทางปัญญา (เช่น สิทธิบัตร) ชุดเดียวกับ 7 นาโนเมตร ทำให้การเปลี่ยนผ่านจาก 7 เป็น 5 นาโนเมตรทำได้เร็วขึ้นและถูกลง เพราะไม่ต้องเรียนรู้และออกแบบกระบวนการผลิตกันใหม่อีก

No Description

ซัมซุงบอกว่าส่งเครื่องมือที่เกี่ยวข้องกับกระบวนการผลิตและตรวจสอบ เช่น process design kit (PDK), design methodologies (DM), electronic design automation (EDA) ให้กับพาร์ทเนอร์ตั้งแต่ไตรมาสสี่ของปี 2018 จนมีความพร้อมในเทคโนโลยี 5 นาโนเมตรแล้ว

ส่วนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตรก็เริ่มเดินสายการผลิตไปก่อนแล้วเมื่อต้นปี นอกจากนี้ ซัมซุงยังมีสายการผลิตแบบ 6 นาโนเมตร ให้กับลูกค้าที่ต้องการใช้งานเป็นพิเศษ (custom) ด้วย

ที่มา - Samsung

Get latest news from Blognone

Comments

By: McKay
ContributorAndroidWindowsIn Love
on 17 April 2019 - 07:59 #1106137
McKay's picture

ขี้เกียจไปหาข้อมูลเพิ่มเติม แต่จาก 7nm -> 5nm แล้วได้ area efficiency เพิ่มแค่ 25% นี่มันใช่เหรอ Samsung..

TSMC เค้าบอกว่าได้ 1.8x เลยนะ


Russia is just nazi who accuse the others for being nazi.
someone once said : ผมก็ด่าของผมอยู่นะ :)