Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน

ส่วนการอ่านเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ที่มา - Samsung

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 2.1 ขนาดความจุ 1TB สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 16 เลเยอร์ อัตราการอ่านข้อมูลแบบ sequential read อยู่ที่ 1000 MB/s เร็วกว่า eUFS ความจุ 512GB ที่มี sequential read ที่ 860 MB/s และเร็วกว่า SSD ขนาด 2.5 นิ้ว สองเท่า

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำ eUFS แบบฝังขนาดความจุ 512GB แบบแมสแล้ว โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 64 เลเยอร์ ซึ่งมีขนาดเท่ากับตัวเดิมอย่าง 256GB แบบ 48 เลเยอร์

ในแง่ของความเร็วของชิป eUFS ขนาด 512GB ตัวนี้สามารถอ่านเขียนได้ความเร็วสูงสุด 860 MB/s และ 255 MB/s ตามลำดับ ส่วนแบบสุ่มอยู่ที่ 42,000 IOPS และ 40,000 IOPS ตามลำดับ สามารถโอนไฟล์ FHD ขนาด 5GB ได้ภายใน 5 วินาที

ซัมซุงจะระบุว่าถึงแม้จะเริ่มสายการผลิตชิป eUFS ความจุ 512GB แล้วแต่ก็ยังคงให้ความสำคัญกับ eUFS ขนาด 256GB ที่ยังคงเป็นที่ต้องการของตลาดอยู่เช่นเดิม

Tags:
Node Thumbnail

เมื่ออุตสาหกรรมรถยนต์เริ่มเปลี่ยนผ่านและมีเทคโนโลยีมาเกี่ยวข้องมากขึ้น บริษัทด้านเทคโนโลยีก็เริ่มเข้ามามีส่วนร่วมกันมากขึ้นเรื่อยๆ ล่าสุดซัมซุงเปิดตัวโซลูชันหน่วยความจำ Universal Flash Storage แบบฝังตัวในชื่อ eUFS (embeded UFS) สำหรับรถยนต์อัจฉริยะ

eUFS มีสองขนาดคือ 128GB และ 64GB รองรับแอปพลิเคชันอย่างระบบไร้คนขับ, แดชบอร์ดและระบบ infotainment ที่ฉลาดมากขึ้นบนรถยนต์รุ่นใหม่ๆ และรถยนต์ในอนาคต โดย eUFS มาตามมาตรฐาน JEDEC UFS 2.1 ทำให้ได้ความเร็วในการอ่านสูงสุด 850MBps และความเร็วในการอ่านแบบสุ่มสูงสุดที่ 45,000 IOPS

Tags:
Node Thumbnail

เมื่อซัมซุงกำลังพยายามสร้างอารยธรรมโดยการเปิดตัวเมโมรีการ์ดแบบใหม่ในชื่อ UFS สิ่งที่ตามมาคือคำถามว่า "แล้วใครจะเอาด้วย?" ซัมซุงจึงต้องพัฒนาสล็อตอ่านการ์ดแบบใหม่ที่รองรับทั้ง UFS ของตน และ microSD ที่เป็นที่แพร่หลาย

ซัมซุงเปิดเผยว่า "การ์ด UFS แบบใหม่นี้ใช้กับสล็อตอ่าน microSD ไม่ได้ อย่างไรก็ตาม พวกเราได้พัฒนาสล็อตแบบใหม่ที่รองรับทั้ง UFS และ microSD โดยเรากำลังร่วมมือกับพาร์ทเนอร์หลายรายเพื่อดันให้พวกเขานำมันไปใช้ในอุปกรณ์ยุคถัดไป"

ทั้งนี้ ยังไม่มีข้อมูลว่าอุปกรณ์ใดจะเป็นตัวแรกที่รองรับการ์ด UFS หรือสล็อตแบบใหม่ดังกล่าว แต่ก็คงไม่น่าแปลกใจนักถ้า Galaxy Note 7 จะเป็นอุปกรณ์ตัวแรกที่มาพร้อมกับเทคโนโลยีใหม่นี้

Blognone ขอย้ำอีกทีว่า UFS ไม่ใช่ microSD นะครับ

ที่มา - Droid Life

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงมีเทคโนโลยีสตอเรจแบบแฟลชที่เรียกว่า Universal Flash Storage (UFS) ใช้กับมือถือระดับเรือธงมาได้สักระยะหนึ่งแล้ว ล่าสุดซัมซุงออกการ์ดหน่วยความจำที่ใช้ UFS สู่ตลาดด้วยเช่นกัน (ชื่อเรียกก็ตรงตัวคือ UFS card หรือยาวหน่อย UFS removable memory card)

การ์ด UFS มี 4 ขนาดความจุคือ 32, 64, 128, 256GB จุดเด่นของมันคือประสิทธิภาพดีกว่า microSD ทั่วไปมาก ซัมซุงระบุว่าอัตราการอ่านข้อมูลต่อเนื่อง (sequential read) อยู่ที่ 530MBps สูงกว่า microSD ถึง 5 เท่า และเทียบได้กับ SSD ที่ต่อผ่านพอร์ต SATA เลย

ส่วนอัตราการเขียนข้อมูลแบบ sequential write ที่อยู่ 170MBps เหนือกว่า microSD ถึง 2 เท่า เหมาะสำหรับงานถ่ายภาพ-วิดีโอความละเอียดสูง

Tags:
Node Thumbnail

หลังจากเปิดตัวหน่วยความจำแบบ Universal Flash Storage (UFS) มาได้ร่วมปี และเริ่มมีใช้ในอุปกรณ์หลายรุ่น วันนี้ซัมซุงเปิดตัวหน่วยความจำ UFS รุ่นใหม่ ที่นอกจากจะเพิ่มความจุเป็นเท่าตัวแล้ว ยังประสิทธิภาพสูงขึ้นไปอีกขั้น

หน่วยความจำแบบ UFS รุ่นใหม่ของซัมซุงตัวนี้ แม้จะยังผลิตบนมาตรฐาน UFS 2.0 เหมือนครั้งเปิดตัวเมื่อปีก่อน แต่ในแง่ความจุเพิ่มขึ้นเป็นเท่าตัว โดยรุ่นความจุสูงสุดขยับไปอยู่ที่ 256GB แล้ว ด้านประสิทธิภาพเองก็ไม่น้อยหน้ากัน ซัมซุงเคลมว่า UFS 2.0 รุ่นใหม่นั้นล้ำหน้า SSD แบบ SATA เป็นที่เรียบร้อยด้วยความเร็วในการส่งข้อมูลสูงถึง 850MB/s และเขียนต่อเนื่องที่ 260MB/s เรียกได้ว่าเหนือกว่ารุ่นก่อนหน้าเกือบเท่าตัว (รวมถึง IOPS ด้วย)

Tags:
Node Thumbnail

รวม 3 ข่าวของ Galaxy S6 และ Galaxy S6 edge ที่พึ่งเปิดตัวและสร้างความฮือฮาอยู่ในขณะนี้ เริ่มกันที่ Verizon ได้ทวีตข้อความประกาศเปิดให้จองตัวเครื่อง Galaxy S6 และ Galaxy S6 edge ในวันที่ 1 เมษายนนี้ (ข้อความทวีต)

ต่อกันด้วยหน่วยความจำ แบบ UFS 2.0 ซึ่งนำมาใช้ใน Galaxy S6 เป็นเครื่องแรก ได้รับคะแนนจากการทดสอบผ่านแอพ Androbench เป็นที่น่าพอใจ ด้วยตัวหน่วยความจำแบบ UFS 2.0 แบบใหม่นี้ทำให้ประสิทธิภาพการทำงานเหนือกว่า eMMC ที่เราใช้อยู่กันขณะนี้แบบไม่เห็นฝุ่น

Tags:
Node Thumbnail

เมื่อไม่กี่วันก่อน ซัมซุงเพิ่งเปิดตัวหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์พกพาภายใต้มาตรฐาน eMMC 5.1 ไป วันนี้ซัมซุงออกมาเปิดตัวหน่วยความจำอีกแบบในมาตรฐาน Universal Flash Storage 2.0 (UFS 2.0) ซึ่งประสิทธิภาพเหนือชั้นขึ้นไปอีก

สำหรับหน่วยความจำของซัมซุงที่ใช้มาตรฐาน UFS 2.0 นี้จะประสิทธิภาพเหนือกว่า eMMC ในทุกๆ ด้าน และได้ฟีเจอร์ต่างๆ ที่เท่าเทียมกัน โดยมีความเร็วอ่านเขียนต่อเนื่องที่ 350MB/s และ 150MB/s และอ่านเขียนแบบสุ่มได้ถึง 19,000/14,000 IOPS ซึ่งเหนือกว่า eMMC 5.0 ที่ใช้กันทั่วไปถึง 2.7 เท่าด้วยกัน

นอกจากประสิทธิภาพจะเพิ่มขึ้นแล้ว ซัมซุงยังเคลมว่าหน่วยความจำแบบ UFS จะช่วยลดการบริโภคพลังงานได้ถึง 50% ซึ่งเป็นประโยชน์ต่อการใช้งานในอุปกรณ์พกพาที่ใช้งานแบบมัลติทาสก์อย่างมาก