Tags:
Node Thumbnail

Micron ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำอีกรายเปิดตัว SSD ที่ใช้ชิปเก็บข้อมูล NAND ที่ผลิตในแบบ 3D ในรุ่น TLC 1100 และ MLC 2100 ตามอินเทลที่เปิดตัวไปก่อนหน้าในรุ่น DC P3320 และ P3520 ซึ่งทำงานกับพอร์ต NVMe แต่ไดรฟ์ 1100 นี้จะใช้งานบน SATA 6Gb/s และ M.2 SATA (และ 2100 จะใช้บน NVMe) ซึ่งความเร็วจะต่ำกว่าแต่มีคนใช้แพร่หลายกว่า สเปคที่น่าสนใจของ Micron 1100 มีดังนี้ครับ (ยังไม่มีข้อมูลของ Micron 2100)

  • ในรุ่น SATA 2.5" มีความจุตั้งแต่ 256GB ถึง 2TB
  • ความเร็วอ่าน/เขียน 530/500 MB/s (แบบ sequential)
  • อัตราเขียนข้อมูล 4K สุ่ม 83,000 IOPS / อัตราอ่านข้อมูล 4K สุ่ม 92,000 IOPS
  • ความทนทานอยู่ที่การเขียนข้อมูลเฉลี่ย 224GB ต่อวัน ในระยะเวลา 5 ปี

อย่างที่ทราบกันว่าชิปแฟลชแบบ TLC จะช้าและทนทานน้อยกว่า MLC แต่เมื่อดูจากสเปคแล้วเทียบกับ SSD M600 ยี่ห้อเดียวกันที่ใช้ชิป MLC รุ่นปี 2014 ผลคือ TLC สมัยใหม่ทนกว่าแล้วครับ

ที่มา - The Register

Tags:
Node Thumbnail

อินเทลและไมครอนประกาศความสำเร็จของงานวิจัยร่วม 3D XPoint (อ่านว่า ทรี-ดี ครอส-พอยต์) หน่วยความจำแบบแฟลช โดยระบุว่าเป็นหน่วยความจำประเภทใหม่ครั้งแรกในรอบ 25 ปี

3D XPoint ประสิทธิภาพสูงกว่า NAND ได้ถึงพันเท่าตัว ทนทานต่อการใช้งานถึงพันเท่าตัว และหน่วยความจำหนาแน่นกว่าสิบเท่าตัว ทำให้สามารถใช้งานได้ทั้งงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง, พื้นที่ขนาดใหญ่, และต้องการเก็บข้อมูลระยะยาว

Tags:
Node Thumbnail

ไมครอนและอินเทลประกาศความพร้อมในการผลิตชิป 3D NAND ที่เพิ่มความจุของ NAND มากกว่าปัจจุบันถึงสามเท่าตัว ทำให้สามารถผลิต SSD ขนาด 2.5" ที่มีความจุมากกว่า 10TB ได้

3D NAND วางเซลล์แฟลชซ้อนกัน 32 ชั้น ทำให้สามารถสร้างชิป NAND แบบ MLC ความจุ 256 กิกะบิต และแบบ TLC ความจุ 384 กิกะบิต

ชิปความจุ 256 กิกะบิตเริ่มส่งมอบให้คู่ค้าแล้ววันนี้ ส่วนชิปแบบ TLC จะส่งมอบภายหลัง

ที่มา - Intel

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า

Tags:
Node Thumbnail

ซิสโก้เพิ่งแถลงผลประกอบการประจำไตรมาสไปเมื่อสัปดาห์ที่แล้ว และผลออกมาไม่ดีนักเมื่อกำไรในบัญชีแบบ GAAP ลดลงถึง 54.5% ทั้งที่รายได้ลดลงไม่มากนัก ปรากฎว่าเงินจำนวนถึง 655 ล้านดอลลาร์เป็นค่าใช้จ่ายที่เกิดจากหน่วยความจำจากซัพพลายเออร์รายหนึ่งเสียหายมากกว่าปกติ กระทบสินค้าที่ขายไปในช่วงปี 2005-2010

หน่วยความจำมีอายุการใช้งานและมีโอกาสเสียหายเมื่อใช้งานไปเวลานานเป็นเรื่องปกติ บางครั้งเมื่อเสียหายจะไม่สามารถเปิดกลับมาใช้งานได้หลังปิดเครื่อง แต่สินค้าจำนวนหนึ่งกลับเสียหายด้วยอัตราผิดปกติ ทำให้ผู้บริหารซิสโก้ตัดสินใจเข้าาจัดการปัญหานี้แม้สินค้าส่วนใหญ่จะหมดประกันไปแล้วก็ตาม

Tags:
Node Thumbnail

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

Steve Appleton ผู้ซึ่งเป็น CEO และ Chairman ของบริษัท Micron Technology ได้เสียชีวิตในวันที่ 3 กุมภาพันธ์ 2555 ด้วยอุบัติเหตุเครื่องบินเล็กตกในเมือง Boise มลรัฐ Idaho ประเทศสหรัฐอเมริกา

ขอแสดงความเสียใจมา ณ. ที่นี้ด้วยครับ

ที่มา: Press Release ของ Micron Technology ผ่านทาง The Verge

Tags:
Node Thumbnail

นอกจากธุรกิจซีพียูแล้ว ธุรกิจที่สำคัญมากของอินเทลคือหน่วยความจำแบบแฟลชที่ใช้ในการ์ดแบบ CF, micro SD, รวมถึงดิสก์แบบ SSD ทั้งหลาย และวันนี้อินเทลก็ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่มีความจุสูงถึง 128Gb แล้ว โดยธุรกิจส่วนนี้อินเทลร่วมมือกับไมครอนในการพัฒนาในบริษัทที่ชื่อว่า IM Flash Technology (IMFT)

ชิปรุ่นใหม่นี้ใช้กระบวนการผลิตที่ 20 นาโนเมตร สามารถส่งข้อมูลได้ 333 ล้านครั้งต่อวินาที และ High-K metal gate ที่เป็นเทคนิคการผลิตเฉพาะของอินเทล

เทคโนโลยีใหม่นี้จะเริ่มเดินสายการผลิตตัวอย่างในต้นปี 2012 ส่วนระหว่างนี้อินเทลประกาศจะเดินหน้าสายการผลิตชิป 64Gb เป็นปริมาณมาก

Tags:
Node Thumbnail

สร้างผลงานไม่หยุดหย่อน สำหรับสองบริษัท Intel และ Micron หลังจากปีก่อนเพิ่งประกาศเริ่มการผลิตชิปบนสถาปัตยกรรม 25 นาโนเมตรไปหมาดๆ และล่าสุดทั้งสองบริษัทจับมือกันประกาศเริ่มสายการผลิตสำหรับขนาด 20 นาโนเมตร อีกครั้ง

รายละเอียดของชิปนี้ได้แก่ ผลิตด้วยสถาปัตยกรรม 20 นาโนเมตรแบบ MLC NAND ความจุที่ทำได้ในขณะนี้คือ 8GB มีขนาด 118ตารางมิลลิเมตร ซึ่งจะช่วยลดขนาดของบอร์ดลงไปได้ 30-40 เปอร์เซ็นต์ทีเดียว และในอนาคตทั้งสองบริษัทมีแผนจะปล่อยหน่วยความจำแบบ 16GB ที่ผลิตบนสถาปัตยกรรมแบบเดียวกันนี้ และจะส่งผลให้ SSD ความจุ 128GB มีขนาดเท่าแสตมป์เท่านั้น

ที่มา - Engadget

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

J.R. Simplot อาจจะไม่ได้เป็นที่รู้จักกันในวงการคอมพิวเตอร์เท่าใหร่นัก แต่เขาเป็นหนึ่งในผู้ลงทุนต่อตั้งบริษัท Micron Technology ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ในปัจจุบัน ที่น่าแปลกใจคือธุรกิจหลักของเขานั้นคือมันฝรั่งและอุตสาหกรรมการเกษตรเป็นหลัก และยังเป็นผู้ผลิตให้กับอุตสาหกรรมฟาสต์ฟูสเช่น McDonald

เขาลงทุน 1 ล้านดอลลาร์ให้กับครอบครัว Parkinson เพื่อลงทุนเริ่มต้นใน Micron Technology และยังระดมทุนอีก 20 ล้านดอลลาร์ในอีกหลายปีต่อมาเพื่อสร้างโรงงานให้กับบริษัท

สำหรับเมืองไทย ผมยังชอบกินมันฝรั่งพร้อมทอดของ Simplot อยู่เลย

ที่มา - PhysOrg