หนึ่งในสมาร์ทโฟนยอดฮิตในขณะนี้ย่อมหนีไม่พ้น Huawei P10 และ P10 Plus ที่เพิ่งเปิดตัวและวางจำหน่ายไปไม่นาน และก็มีข่าวว่าผู้ใช้พบว่าการทดสอบเบนช์มาร์กด้านความเร็วหน่วยความจำในหลายๆ เครื่องได้ผลต่างกันมาก ล่าสุด Huawei ออกมายอมรับแล้วว่า P10 และ P10 Plus ที่วางจำหน่ายอยู่จะมาพร้อมสเปกแรมและหน่วยความจำที่แตกต่างกันไป

Huawei ระบุว่าแรมของ P10 และ P10 Plus จะมีทั้งแบบ LPDDR3 และ LPDDR4 และหน่วยความจำจะมีทั้ง UFS 2.0, UFS 2.1 และ eMMC 5.1 เลยทีเดียว โดยแรม LPDDR3 และ LPDDR4 ตามสเปกแล้วมีแบนด์วิดท์ต่างกันถึงเท่าตัว คือ 12.8GB/s และ 25.6GB/s และใช้ไฟที่ 1.2 และ 1.1 โวลต์ตามลำดับ ส่วนหน่วยความจำ UFS 2.0 กับ 2.1 ไม่ค่อยต่างกัน แต่ทั้งสองแบบนั้นเร็วกว่า eMMC 5.1 อย่างมาก ตามตารางด้านล่าง

JEDEC กลุ่มมาตรฐานด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีสมาชิกเกือบ 300 ราย ประกาศว่ามาตรฐานของแรม DDR5 รุ่นถัดไป "น่าจะ" เสร็จภายในปีหน้า 2018 โดยจะมีแบนด์วิดท์สูงกว่าแรม DDR4 ในปัจจุบันถึง 2 เท่า

นอกจากนี้ แรม DDR5 จะยังมีความหนาแน่นของการจัดวางชิป (density) เพิ่มขึ้นอีก 2 เท่าเช่นกัน และมีการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น

ตอนนี้ยังมีข้อมูลของสเปก DDR5 ออกมาแค่นี้ รายละเอียดทางเทคนิคคงต้องรอกันต่อไป (DDR5 ไม่เกี่ยวอะไรกับ GDDR5)

อินเทลร่วมมือกับไมครอน เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบใหม่ที่เรียกว่า 3D XPoint มาตั้งแต่ปี 2015 โดยโฆษณาว่ามันเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ NAND ที่ใช้กันในปัจจุบันถึง 1,000 เท่า, ทนทานกว่ากัน 1,000 เท่า และจัดเรียงชิปหน่วยความจำได้หนาแน่นกว่า DRAM 10 เท่า

อินเทลตั้งเป้านำ 3D XPoint มาใช้ทำสตอเรจ SSD ความเร็วสูงภายใต้แบรนด์ Optane ที่วางตัวไว้เป็น "แคชความเร็วสูง" ที่อยู่ระหว่างแรมกับสตอเรจ หรือบางครั้งอาจมองว่ามันเป็นส่วนขยายของแรมก็ได้ ด้วยการที่มันทำงานได้เร็วมากๆ นั่นเอง

หลังจากโฆษณามานานและเลื่อนกำหนดวางขายมาหลายรอบ ในที่สุดผลิตภัณฑ์ตัวแรก Intel Optane SSD DC P4800X ก็เริ่มวางขายแล้ว

Micron ประกาศนำแรมแบบ GDDR6 ลงสู่ตลาดภายในปีนี้ โดยแรมแบบ GDDR6 มีอัตราการส่งข้อมูล 16Gbps เหนือกว่าแรม GDDR5X ที่ทำได้ 12Gbps ในปัจจุบัน

เดิมที Micron ตั้งเป้าว่าจะออกแรม GDDR6 ในปีหน้า 2018 แต่ตัดสินใจเลื่อนให้เร็วขึ้น เพื่อตอบสนองความต้องการของกลุ่มเกมเมอร์ที่เปลี่ยนเครื่องกันบ่อยกว่าพีซีทั่วไป แนวทางของ Micron จะยังขายทั้งแรม GDDR6 สำหรับตลาดบน และ GDDR5X ในตลาดรองลงมา

ตอนนี้ยังไม่แน่ชัดว่าจะมีผู้ผลิตจีพียูรายไหนใช้แรม GDDR6 ช่วงปลายปีนี้หรือไม่ เพราะในตลาดเองก็เริ่มมีแรมแบบใหม่ๆ อย่าง HBM (high-bandwidth memory) ที่ใช้ในจีพียูบางตัวแล้ว เช่น NVIDIA Tesla P100

ชาว Blognone หลายท่านคงเคยผ่านวันวัยของการแต่งคอมพิวเตอร์ด้วยสีสันฉูดฉาด ล่าสุดเมื่อเทรนด์อีสปอร์ตกำลังมา เห็นชัดว่าสีสันเหล่านี้กำลังกลับมาอีกครั้ง บนคีย์บอร์ด เมนบอร์ด และล่าสุดกับแรมจาก G.Skill รุ่นนี้

G.Skill เปิดตัวแรม Trident Z RGB ซึ่งเป็นแรม DDR4 ใช้บนคอมพิวเตอร์เดสก์ท็อปที่มากับจุดเด่นที่ครีบระบายความความร้อนสามารถแผดสีได้แบบ RGB ปรับแต่งจังหวะการกระพริบผ่านซอฟต์แวร์ได้ มากับสเปค DDR4-4266MHz ทำงานบน PCB สิบเลเยอร์ และคัดเม็ดแรมเพื่อการโอเวอร์คล็อกด้วย ราคายังไม่ระบุครับ

TechPowerUp ลงบทความวิเคราะห์ถึงสถานการณ์ชิป NAND ซึ่งเป็นส่วนประกอบของหน่วยความจำประเภท SSD มีแนวโน้มจะขาดตลาด เหตุหนึ่งมาจากฝั่งผู้ผลิตสมาร์ทโฟนต้องการชิปเหล่านี้ (รวมถึงเม็ดแรม DRAM) ไปเพิ่มกำลังการผลิตสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ๆ มากขึ้น

บทความนี้ชี้ถึงความต้องการ SSD ที่สูงขึ้นในไตรมาสที่สองของปี 2016 ซึ่งสูงขึ้นจากเดิม 41.2% เมื่อเทียบกับปีที่แล้ว หรือคิดเป็น 9.5% จากไตรมาสแรก ขณะกำลังการผลิตรายใหญ่ยังไม่เพียงพอ ซึ่งทั้งตอนนี้ Toshiba และ WD (เจ้าของใหม่ของ SanDisk) กำลังมุ่งผลิตชิปแบบ 3D NAND อยู่ ทำให้อาจผลิตได้ไม่ทันความต้องการ

ข้อมูลเพิ่มเติมจาก DRAMeXchange ชี้ว่าไตรมาสนี้ SSD ทั้งชิปแบบ MLC และ TLC ราคาขึ้นไปแล้วราว 6-10% และปิดท้ายด้วยข้อสรุปว่า เตรียมพบราคา SSD ราคาเพิ่มจากปกติราว 20-25% ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า และปี 2018 ถึงจะกลับสู่ภาวะปกติ

ซัมซุงเปิดตัวแรม LPDDR4 ขนาด 8GB สำหรับอุปกรณ์พกพาตัวแรกของโลก แรมตัวนี้ใช้ชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ขนาด 16Gb จำนวน 4 ตัว และใช้กระบวนการผลิตที่ 10 นาโนเมตร

จุดเด่นอีกประการหนึ่งของแรมรุ่นนี้คืออัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 4,266 Mbps ซึ่งเยอะกว่าแรม DDR4 ที่ใช้ในพีซี ซึ่งโดยทั่วไปส่งข้อมูลที่ 2,133 Mbps

ตัวแผ่นแรมมีขนาดเพียง 15x15 มิลลิเมตร หนา 1 มิลลิเมตร ด้วยขนาดเล็กระดับนี้ ทำให้การจับแรมมาอยู่ในแพ็กเกจเดียวกับสตอเรจ UFS หรือแพ็กเพจเดียวกับหน่วยประมวลผล ก็เป็นเรื่องที่เป็นไปได้แล้วในตอนนี้

ซัมซุงพูดชัดเจนว่ากลุ่มเป้าหมายของแรมรุ่นนี้คือ มือถือเรือธงยุคถัดไป ซึ่งเราคงได้เห็นมือถือเรือธงของปีหน้า เริ่มใช้แรมขนาด 8GB กัน

ที่งาน Photokina 2016 เมืองโคโลญจน์ ประเทศเยอรมนี Western Digital โดยแบรนด์ลูก SanDisk ประกาศแสดงและสาธิตการ์ดหน่วยความจำแบบ SDXC ความจุ 1 TB เป็นครั้งแรก และใบแรกของโลก

การ์ด SDXC ความจุ 1 TB ถือเป็นรุ่นต่อของ SanDisk Extreme PRO SDXC UHS-I ขนาด 512 GB ที่บริษัทเปิดตัวไปเมื่อสองปีที่แล้ว โดยตัวแทนของบริษัทระบุว่าการ์ดตัวนี้จะรองรับการบันทึกภาพและวิดีโอที่ความละเอียดสูง รวมถึงงานประเภท virtual reality และสื่อบันเทิงอื่นๆ ที่มีปริมาณมากขึ้นเรื่อยๆ รวมถึงเป็นการพิสูจน์ความสามารถของ Western Digital ว่าสามารถเพิ่มความจุได้เป็นสองเท่า โดยไม่ต้องเปลี่ยนรูปแบบ (form factor)

ยังไม่มีระบุว่าจะผลิตจริงหรือวางจำหน่ายเมื่อใด

ต่อเนื่องจากข่าวของ HBM3 มีความคืบหน้าของ GDDR6 ซึ่งเป็นเมมโมรีบนกราฟิกการ์ดแบบถัดไป ต่อจาก GDDR5X ในปัจจุบัน กับแบนด์วิดท์ 16Gb/s จากเดิมที่ 10Gb/s เมื่อเรียงตัวใช้งานแบบ 256 บิตจะได้แบนด์วิดท์ 512GB/s หรือ 768GB/s ในแบบ 384 บิต (แล้วแต่ผู้ผลิตกราฟิกการ์ดจะออกแบบ)

ความน่าสนใจอยู่ที่กลไกที่ชื่อว่า LP4X ที่จะควบคุมแรงดันไฟเม็ดแรมให้เหมาะสมกับความเร็วสัญญาณนาฬิกาที่ใช้อยู่ตอนนั้น ทำให้ประหยัดพลังงานกว่าเดิมอีก 20%

เมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา Samsung ประกาศเปิดตัวชิปแรมขนาด 6 GB ที่ผลิตบนเทคโนโลยี 10 nm ที่งาน Mobile Solutions Forum จัดขึ้นที่เมือง Shenzhen ประเทศจีน

ตัวชิปดังกล่าวมีรายละเอียดน้อยมาก นอกจากระบุว่าทำงานตามมาตรฐาน LPDDR4 เท่านั้น ซึ่งสื่ออย่าง Android Authority คาดว่าชิปตัวนี้จะถูกเอาไปใช้กับสมาร์ทโฟนที่เป็นเรือธงตัวต่อไปของบริษัท ซึ่งก็คือ Galaxy Note 6 ครับ

ที่มา - Android Authority

ที่งาน IEEE International Memory Workshop ในปีนี้ IBM โดยนักวิจัยจาก IBM Research ประกาศความสำเร็จในการทำให้หน่วยความจำแบบ PCM (phase-change memory) สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อหนึ่งเซลล์อย่างเป็นทางการ และถือเป็นการเปิดโอกาสให้กับแนวทางการเก็บข้อมูลในอนาคต

เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลทุกวันนี้ก้าวหน้าไปมาก คนรุ่นพ่อรุ่นแม่เราตอนที่พวกท่านยังหนุ่มสาวคงยากจะคิดว่าการจะเก็บภาพนับพันนับหมื่นภาพในอุปกรณ์ที่เล็กกว่าอุ้งมือแทนอัลบั้มภาพกองพะเนินนั้นจะเป็นอย่างไร ตอนที่พวกเรายังเด็กก็อาจจะไม่เคยฉุกคิดว่าไม่ทันที่เราจะแก่เราจะได้เห็นเทคโนโลยีที่เก็บบทเพลงจากเทปคาสเซทนับร้อยม้วนลงในการ์ดความจำที่เล็กเพียงปลายนิ้วมือได้สำเร็จ แต่ที่ว่ามานั้นยังห่างไกลจากการเก็บข้อมูลของสมอง กระบวนการธรรมชาติที่มีกลวิธีในการจดจำบันทึกเรื่องราวแตกต่างจากคอมพิวเตอร์ที่มองทุกอย่างด้วยพื้นฐานเลข "0" และ "1"

ปี 2016 ดูจะเป็นปีที่ฝั่งการ์ดจอวิ่งไวเป็นพิเศษ หลังจากเพิ่งมีรายงานว่าซัมซุงเริ่มเดินเครื่องผลิต HBM2 หน่วยความจำไฮเอนด์ได้ไม่กี่วัน JEDEC องค์กรที่กำกับดูแลเกี่ยวกับเซมิคอนดัคเตอร์ก็ออกมาประกาศมาตรฐาน GDDR5X อย่างเป็นทางการแล้ว

มาตรฐาน GDDR5X จะยังคงใช้สเปคเดียวกับ GDDR5 แต่เพิ่มแบนด์วิทด์ต่อ die เป็นเท่าตัวไปอยู่ที่ 10-14 Gb/s ซึ่งแม้ว่าจะเทียบกับ HBM2 (หรือแม้แต่ HBM) ไม่ได้เลย แต่การองรับเทคโนโลยีเดิมๆ อย่างครบถ้วนก็เป็นแต้มต่อของ GDDR5X อยู่

คาดกันว่าทั้งสองค่ายการ์ดจอน่าจะใช้ GDDR5X กับการ์ดจอรุ่นกลางลงมา และเริ่มนำ HBM2 ไปใช้กับรุ่นไฮเอนด์ในเร็วๆ นี้

เมื่อกลางปีก่อนในงานเปิดตัว R9 Fury X การ์ดจอรุ่นเรือธงตัวใหม่ที่มาพร้อมกับหน่วยความจำแบบ HBM ซึ่งมีจุดเด่นอยู่ที่แบนด์วิดท์กว้างยังกับทะเลถึง 512GB/s ล่าสุดมีรายงานความคืบหน้าของหน่วยความจำตัวต่อไปอย่าง HBM2 มาแล้ว

รายงานชิ้นใหม่ระบุว่าซัมซุงได้เริ่มผลิตหน่วยความจำ HBM2 เป็นจำนวนมากแล้ว โดยฟีเจอร์ใหม่ที่มาพร้อมกับ HBM2 จะมีตั้งแต่การซ้อนชิปหน่วยความจำได้สี่ชั้น เพิ่มแบนด์วิดท์สูงสุดเป็น 1,024GB/s และสามารถเพิ่มความจุสูงสุดถึง 16GB จากรุ่นแรกที่จำกัดอยู่ที่ 4GB

สำหรับไลน์การผลิตของซัมซุงจะผลิตบนขนาด 20 นาโนเมตร โดยเริ่มจากตัวสี่ชิปที่ความจุชิปละ 8Gb ก่อน (รวมเป็น 4GB) และจะขยับไปทำรุ่นที่ใช้ชิปซ้อนกัน 8 ตัวในภายหลัง

ซัมซุงเปิดตัวแรม DDR4 แบบ RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ให้พื้นที่แผงละ 128GB สำหรับงานในศูนย์ข้อมูลที่ต้องการพื้นที่แรมสูงๆ

โมดูลแรมที่พื้นที่สูงขนาดนี้อาศัยชิปความจุ 4GB จำนวน 36 ชิป (รวมพื้นที่ 144GB แต่เนื่องจากข้อมูลบางส่วนเป็น ECC จึงใช้งานได้จริง 128GB) แต่ะชิปเป็นแผงซิลิกอนความจุ 8Gb จำนวน 4 แผง เชื่อมต่อกันเป็นชิปเดียวด้วยเทคโนโลยีการบรรจุชิป "through silicon via" (TSV)

ตอนนี้เริ่มเดินสายการผลิตแล้ว อีกไม่นานน่าจะหาสั่งซื้อมาใช้งานกันได้

ที่มา - Samsung

เป็นเรื่องที่ค้างคากันมานานว่าจริงๆ แล้ว iPhone 6s นั้นมาพร้อมกับแรมเท่าไหร่กันแน่ แต่จากอัพเดตล่าสุดของ Xcode เริ่มมีการให้ข้อมูลในเรื่องดังกล่าวออกมาแล้ว โดยผู้ที่สามารถแกะออกมาได้ คือนักพัฒนา iOS รายหนึ่งที่มีชื่อว่า Hamza Sood

Hamza Sood อธิบายว่า ใน iOS Emulator จะมีการส่งค่า memoryClass ของตัวเครื่องจริงออกมาเพื่อทดสอบการทำงานของแอพพลิเคชันด้วย และเขาได้ใช้เทคนิคดังกล่าวในการเขียนแอพพลิเคชันเพื่อแสดงค่าออกมา ซึ่งผลก็คือ iPhone 6s (และ iPhone 6s Plus) จะมาพร้อมกับแรม 2GB และ iPad Pro มาพร้อมกับแรม 4GB ซึ่งมากที่สุดในบรรดาอุปกรณ์ iOS ทั้งหมด ที่มีขนาดแรมส่วนใหญ่ที่ 1GB

แรมในสมาร์ทโฟนยังคงเพิ่มขึ้นได้อีกเรื่อยๆ หลังจากช่วงปีที่ผ่านมาเริ่มเห็นสมาร์ทโฟนที่ใช้แรมระดับ 4GB ออกมาบ้างแล้ว ในอนาคตกันใกล้ตัวเลขนี้อาจจะขยับไปเป็น 6GB หลังซัมซุงออกมาประกาศผลิตแรม LPDDR4 รุ่นใหม่แล้ว

เจ้าชิปแรม LPDDR4 รุ่นใหม่ของซัมซุงผลิตออกมาเป็นโมดูลละ 12Gb ซึ่งถ้านำมาต่อกันสี่แถวตามที่สมาร์ทโฟนเรือธงหลายรุ่นทำกัน จะได้ความจุรวมที่ 48Gb หรือเท่ากับ 6GB นั่นเอง นอกจากความจุที่มากขึ้นแล้ว ยังได้ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก 30% ในขณะที่กินพลังงานลดลง 20%

อย่างไรก็ตาม ซัมซุงยังไม่ได้ประกาศว่าจะเริ่มส่งแรมรุ่นใหม่นี้เมื่อไร แต่ถ้าดูจากรอบก่อนๆ คาดว่าอย่างช้าน่าจะราวปลายปีหน้าครับ

หลังจากเปิดตัวมาตั้งแต่ปี 2008 ในที่สุดเทคโนโลยีส่งข้อมูลระยะประชิดความเร็วสูงอย่าง TransferJet ก็ได้ฤกษ์ลงตลาดอย่างเป็นทางการในทรงการ์ดเมมโมรี่ SDHC ด้วยฝีมือของผู้ผลิตสัญชาติญี่ปุ่น Toshiba แล้ว

การ์ด SDHC รุ่นแรกที่รองรับ TransferJet นี้ใช้รหัส SD-TJA016G ความจุเริ่มต้นที่ 16GB เคลมความเร็วอยู่ในระดับ class 10 และสามารถส่งข้อมูลระยะประชิด (ไม่เกิน 3 ซม.) ได้ความเร็วสูงถึง 375Mbps ซึ่งสูงกว่าเทคโนโลยีคู่แข่งอย่างบลูทูธอย่างมาก แต่ตัวการ์ดยังต้องใช้ร่วมกับอุปกรณ์ที่รองรับด้วย หรือใช้กับ dongle ที่ขายแยกก็ได้เช่นกัน

ใครที่ใช้สมาร์ทโฟนนานๆ น่าจะคุ้นเคยกับการที่เครื่องช้าลง ไม่ฉับไวเหมือนแต่ก่อน แม้ว่าจะล้างเครื่องใหม่ก็ไม่เห็นผลต่างกัน อันเนื่องมาจากชิปหน่วยความจำจะเสื่อมประสิทธิภาพลงตามระยะเวลาการใช้งาน ซึ่งตอนนี้มีทีมวิจัยจากเกาหลีใต้ออกมาโชว์วิธีที่จะช่วยเยียวยาเรื่องนี้แล้ว

ทีมนักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฮันยาง ได้ออกมาโชว์ผลงานที่เรียกว่า Write Ahead Logging Direct IO (WALDIO) กระบวนการเขียนข้อมูลลงหน่วยความจำที่จะอนุญาตเฉพาะข้อมูลสำคัญเท่านั้น โดยทีมวิจัยระบุว่าการลดปริมาณข้อมูลที่บันทึกลงหน่วยความจำ นอกจากจะช่วยชะลอการเสื่อมของตัวชิปแล้ว ยังช่วยให้สมาร์ทโฟนทำงานได้เร็วขึ้น และประหยัดแบตเตอรี่เพิ่มขึ้นอีก 39%

ล้ำไปอีกขั้นสำหรับซัมซุงที่เพิ่งประกาศเริ่มผลิตชิป ePoP (embedded package on package) ความจุสูงสำหรับสมาร์ทโฟนอย่างเป็นทางการแล้ว

ชิป ePoP คือการรวมเอาหน่วยความจำทั้งสองประเภทอย่าง LPDRR3 ความจุ 3GB กับ eMMC ความจุ 32GB มารวมกันในชิปตัวเดียว ลดขนาดของตัวโมดูลลง และสามารถวางไว้เหนือตัวชิปประมวลผลได้โดยไม่ต้องการเนื้อที่เพิ่ม

ด้านประสิทธิภาพ ePoP มาพร้อมกับชิป LPDDR3 ที่ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1,866Mbps พร้อมแบนด์วิดท์แบบ 64 บิต โดยคงขนาดของโมดูลไว้เท่ากับชิป PoP แบบปกติ (ไม่มี eMMC) ที่ 15x15 มม. บอกลาเนื้อที่เพิ่มอีก 11.5x13 มม. ที่ต้องเก็บไว้ใช้กับ eMMC ไปได้เลย

เปิดเดือนแรกของปีก็มีข่าวลือของ iPhone รุ่นใหม่ออกมาแล้ว (ตอนนี้ก็เรียก iPhone 6s ไปพลางๆ) โดยในข้อมูลชุดดังกล่าวมีการพูดถึงแรมใน iPhone 6s ว่าจะเพิ่มเป็น 2GB แล้ว

ตามแหล่งข่าว ซัพพลายเออร์ของ iPhone 6s รอบนี้ใช้ Hynix และซัมซุงเป็นหลัก แล้วจะมี Micron-Elpida ตามมาทีหลัง และยังมีฟีเจอร์ที่เพิ่งใส่เข้าไปใน Apple Watch อย่าง Force Touch ที่ใช้การทำงานของแผงรับสัมผัสบนหน้าจอร่วมกับเซนเซอร์ให้สามารถจับได้ว่าสัมผัสที่แตะไปนั้นหนัก หรือเบาได้

นอกนั้นก็มีข้อมูลอื่นๆ ที่น่าจะเดาได้อย่างชิป Apple A9 นั่นเองครับ

ที่มา - Tech News

ซังซุงประกาศเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR5 ความจุ 8Gb เป็นจำนวนมากแล้ว โดยเคลมว่าเป็นเจ้าแรกที่สามารถพัฒนาหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงระดับนี้ได้ก่อนใคร

หน่วยความจำ GDDR5 ของซัมซุงชุดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร ซึ่งนอกจากจะสามารถลดจำนวนชิปลงเพื่อให้ได้จำนวนหน่วยความจำเท่าเดิมได้แล้ว ในชิปรุ่นใหม่ยังส่งข้อมูลได้สูงขึ้นเป็น 8Gbps ต่อพิน (เร็วขึ้น 1Gbps) เร็วกว่า DDR3 ที่ใช้ในโน้ตบุ๊กทั่วไปประมาณ 4 เท่าตัว

ความสำเร็จในครั้งนี้ของซัมซุงจะช่วยเหลือวงการบันเทิงทั้งฝั่งเกม และภาพยนตร์ให้อุปกรณ์มีบัฟเฟอร์ขนาดใหญ่ขึ้นเพื่อเตรียมพร้อมสำหรับยุค 4K ที่ใกล้เข้าไปทุกขณะ โดยชิปตัวใหม่นี้จะเริ่มส่งของให้ได้ภายในปีนี้ครับ

ซัมซุงซึ่งได้ชื่อว่าเป็นหนึ่งในผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาที่ใหญ่เจ้าหนึ่ง วันนี้ประกาศเดินหน้าสายการผลิตแรมตัวใหม่สำหรับใช้ในอุปกรณ์พกพาแล้ว

แรมดังกล่าวเป็นแรมประเภท LPDDR4 ใช้กระบวนการผลิตที่ 20nm ขนาด 8 Gb ซึ่งเร็วกว่าแรม LPDDR3 ที่ขนาด 4 Gb ถึงสองเท่า

แรมตัวใหม่นี้สามารถทำความจุเพิ่มขึ้นไปได้ถึง 4GB อีกด้วย นอกจากนี้ ซัมซุงยังอ้างอีกว่า แรมดังกล่าวนั้นเร็วกว่า DRAM ที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์และ PC ทั้งยังกินพลังงานน้อยกว่ามาก

ซัมซุงจะเริ่มส่งแรม LPDDR4 ขนาดความจุ 2GB และ 3GB ในเดือนนี้ และจะส่งขนาดความจุ 4GB ได้ในช่วงต้นปี 2015

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า

ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)

สำหรับการเปลี่ยนมาใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร ช่วยลดการใช้พลังงานจากขนาด 25 นาโนเมตรลงถึง 25% ด้วยกันครับ