Tags:
Node Thumbnail

เมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา Samsung ประกาศเปิดตัวชิปแรมขนาด 6 GB ที่ผลิตบนเทคโนโลยี 10 nm ที่งาน Mobile Solutions Forum จัดขึ้นที่เมือง Shenzhen ประเทศจีน

ตัวชิปดังกล่าวมีรายละเอียดน้อยมาก นอกจากระบุว่าทำงานตามมาตรฐาน LPDDR4 เท่านั้น ซึ่งสื่ออย่าง Android Authority คาดว่าชิปตัวนี้จะถูกเอาไปใช้กับสมาร์ทโฟนที่เป็นเรือธงตัวต่อไปของบริษัท ซึ่งก็คือ Galaxy Note 6 ครับ

ที่มา - Android Authority

Tags:
Node Thumbnail

ที่งาน IEEE International Memory Workshop ในปีนี้ IBM โดยนักวิจัยจาก IBM Research ประกาศความสำเร็จในการทำให้หน่วยความจำแบบ PCM (phase-change memory) สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อหนึ่งเซลล์อย่างเป็นทางการ และถือเป็นการเปิดโอกาสให้กับแนวทางการเก็บข้อมูลในอนาคต

Tags:
Node Thumbnail

เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลทุกวันนี้ก้าวหน้าไปมาก คนรุ่นพ่อรุ่นแม่เราตอนที่พวกท่านยังหนุ่มสาวคงยากจะคิดว่าการจะเก็บภาพนับพันนับหมื่นภาพในอุปกรณ์ที่เล็กกว่าอุ้งมือแทนอัลบั้มภาพกองพะเนินนั้นจะเป็นอย่างไร ตอนที่พวกเรายังเด็กก็อาจจะไม่เคยฉุกคิดว่าไม่ทันที่เราจะแก่เราจะได้เห็นเทคโนโลยีที่เก็บบทเพลงจากเทปคาสเซทนับร้อยม้วนลงในการ์ดความจำที่เล็กเพียงปลายนิ้วมือได้สำเร็จ แต่ที่ว่ามานั้นยังห่างไกลจากการเก็บข้อมูลของสมอง กระบวนการธรรมชาติที่มีกลวิธีในการจดจำบันทึกเรื่องราวแตกต่างจากคอมพิวเตอร์ที่มองทุกอย่างด้วยพื้นฐานเลข "0" และ "1"

Tags:
Topics: 

ปี 2016 ดูจะเป็นปีที่ฝั่งการ์ดจอวิ่งไวเป็นพิเศษ หลังจากเพิ่งมีรายงานว่าซัมซุงเริ่มเดินเครื่องผลิต HBM2 หน่วยความจำไฮเอนด์ได้ไม่กี่วัน JEDEC องค์กรที่กำกับดูแลเกี่ยวกับเซมิคอนดัคเตอร์ก็ออกมาประกาศมาตรฐาน GDDR5X อย่างเป็นทางการแล้ว

มาตรฐาน GDDR5X จะยังคงใช้สเปคเดียวกับ GDDR5 แต่เพิ่มแบนด์วิทด์ต่อ die เป็นเท่าตัวไปอยู่ที่ 10-14 Gb/s ซึ่งแม้ว่าจะเทียบกับ HBM2 (หรือแม้แต่ HBM) ไม่ได้เลย แต่การองรับเทคโนโลยีเดิมๆ อย่างครบถ้วนก็เป็นแต้มต่อของ GDDR5X อยู่

คาดกันว่าทั้งสองค่ายการ์ดจอน่าจะใช้ GDDR5X กับการ์ดจอรุ่นกลางลงมา และเริ่มนำ HBM2 ไปใช้กับรุ่นไฮเอนด์ในเร็วๆ นี้

Tags:
Node Thumbnail

เมื่อกลางปีก่อนในงานเปิดตัว R9 Fury X การ์ดจอรุ่นเรือธงตัวใหม่ที่มาพร้อมกับหน่วยความจำแบบ HBM ซึ่งมีจุดเด่นอยู่ที่แบนด์วิดท์กว้างยังกับทะเลถึง 512GB/s ล่าสุดมีรายงานความคืบหน้าของหน่วยความจำตัวต่อไปอย่าง HBM2 มาแล้ว

รายงานชิ้นใหม่ระบุว่าซัมซุงได้เริ่มผลิตหน่วยความจำ HBM2 เป็นจำนวนมากแล้ว โดยฟีเจอร์ใหม่ที่มาพร้อมกับ HBM2 จะมีตั้งแต่การซ้อนชิปหน่วยความจำได้สี่ชั้น เพิ่มแบนด์วิดท์สูงสุดเป็น 1,024GB/s และสามารถเพิ่มความจุสูงสุดถึง 16GB จากรุ่นแรกที่จำกัดอยู่ที่ 4GB

สำหรับไลน์การผลิตของซัมซุงจะผลิตบนขนาด 20 นาโนเมตร โดยเริ่มจากตัวสี่ชิปที่ความจุชิปละ 8Gb ก่อน (รวมเป็น 4GB) และจะขยับไปทำรุ่นที่ใช้ชิปซ้อนกัน 8 ตัวในภายหลัง

Tags:
Node Thumbnail

ซัมซุงเปิดตัวแรม DDR4 แบบ RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ให้พื้นที่แผงละ 128GB สำหรับงานในศูนย์ข้อมูลที่ต้องการพื้นที่แรมสูงๆ

โมดูลแรมที่พื้นที่สูงขนาดนี้อาศัยชิปความจุ 4GB จำนวน 36 ชิป (รวมพื้นที่ 144GB แต่เนื่องจากข้อมูลบางส่วนเป็น ECC จึงใช้งานได้จริง 128GB) แต่ะชิปเป็นแผงซิลิกอนความจุ 8Gb จำนวน 4 แผง เชื่อมต่อกันเป็นชิปเดียวด้วยเทคโนโลยีการบรรจุชิป "through silicon via" (TSV)

ตอนนี้เริ่มเดินสายการผลิตแล้ว อีกไม่นานน่าจะหาสั่งซื้อมาใช้งานกันได้

ที่มา - Samsung

Tags:
Node Thumbnail

เป็นเรื่องที่ค้างคากันมานานว่าจริงๆ แล้ว iPhone 6s นั้นมาพร้อมกับแรมเท่าไหร่กันแน่ แต่จากอัพเดตล่าสุดของ Xcode เริ่มมีการให้ข้อมูลในเรื่องดังกล่าวออกมาแล้ว โดยผู้ที่สามารถแกะออกมาได้ คือนักพัฒนา iOS รายหนึ่งที่มีชื่อว่า Hamza Sood

Hamza Sood อธิบายว่า ใน iOS Emulator จะมีการส่งค่า memoryClass ของตัวเครื่องจริงออกมาเพื่อทดสอบการทำงานของแอพพลิเคชันด้วย และเขาได้ใช้เทคนิคดังกล่าวในการเขียนแอพพลิเคชันเพื่อแสดงค่าออกมา ซึ่งผลก็คือ iPhone 6s (และ iPhone 6s Plus) จะมาพร้อมกับแรม 2GB และ iPad Pro มาพร้อมกับแรม 4GB ซึ่งมากที่สุดในบรรดาอุปกรณ์ iOS ทั้งหมด ที่มีขนาดแรมส่วนใหญ่ที่ 1GB

Tags:
Node Thumbnail

แรมในสมาร์ทโฟนยังคงเพิ่มขึ้นได้อีกเรื่อยๆ หลังจากช่วงปีที่ผ่านมาเริ่มเห็นสมาร์ทโฟนที่ใช้แรมระดับ 4GB ออกมาบ้างแล้ว ในอนาคตกันใกล้ตัวเลขนี้อาจจะขยับไปเป็น 6GB หลังซัมซุงออกมาประกาศผลิตแรม LPDDR4 รุ่นใหม่แล้ว

เจ้าชิปแรม LPDDR4 รุ่นใหม่ของซัมซุงผลิตออกมาเป็นโมดูลละ 12Gb ซึ่งถ้านำมาต่อกันสี่แถวตามที่สมาร์ทโฟนเรือธงหลายรุ่นทำกัน จะได้ความจุรวมที่ 48Gb หรือเท่ากับ 6GB นั่นเอง นอกจากความจุที่มากขึ้นแล้ว ยังได้ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก 30% ในขณะที่กินพลังงานลดลง 20%

อย่างไรก็ตาม ซัมซุงยังไม่ได้ประกาศว่าจะเริ่มส่งแรมรุ่นใหม่นี้เมื่อไร แต่ถ้าดูจากรอบก่อนๆ คาดว่าอย่างช้าน่าจะราวปลายปีหน้าครับ

Tags:
Node Thumbnail

หลังจากเปิดตัวมาตั้งแต่ปี 2008 ในที่สุดเทคโนโลยีส่งข้อมูลระยะประชิดความเร็วสูงอย่าง TransferJet ก็ได้ฤกษ์ลงตลาดอย่างเป็นทางการในทรงการ์ดเมมโมรี่ SDHC ด้วยฝีมือของผู้ผลิตสัญชาติญี่ปุ่น Toshiba แล้ว

การ์ด SDHC รุ่นแรกที่รองรับ TransferJet นี้ใช้รหัส SD-TJA016G ความจุเริ่มต้นที่ 16GB เคลมความเร็วอยู่ในระดับ class 10 และสามารถส่งข้อมูลระยะประชิด (ไม่เกิน 3 ซม.) ได้ความเร็วสูงถึง 375Mbps ซึ่งสูงกว่าเทคโนโลยีคู่แข่งอย่างบลูทูธอย่างมาก แต่ตัวการ์ดยังต้องใช้ร่วมกับอุปกรณ์ที่รองรับด้วย หรือใช้กับ dongle ที่ขายแยกก็ได้เช่นกัน

Tags:

ใครที่ใช้สมาร์ทโฟนนานๆ น่าจะคุ้นเคยกับการที่เครื่องช้าลง ไม่ฉับไวเหมือนแต่ก่อน แม้ว่าจะล้างเครื่องใหม่ก็ไม่เห็นผลต่างกัน อันเนื่องมาจากชิปหน่วยความจำจะเสื่อมประสิทธิภาพลงตามระยะเวลาการใช้งาน ซึ่งตอนนี้มีทีมวิจัยจากเกาหลีใต้ออกมาโชว์วิธีที่จะช่วยเยียวยาเรื่องนี้แล้ว

ทีมนักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฮันยาง ได้ออกมาโชว์ผลงานที่เรียกว่า Write Ahead Logging Direct IO (WALDIO) กระบวนการเขียนข้อมูลลงหน่วยความจำที่จะอนุญาตเฉพาะข้อมูลสำคัญเท่านั้น โดยทีมวิจัยระบุว่าการลดปริมาณข้อมูลที่บันทึกลงหน่วยความจำ นอกจากจะช่วยชะลอการเสื่อมของตัวชิปแล้ว ยังช่วยให้สมาร์ทโฟนทำงานได้เร็วขึ้น และประหยัดแบตเตอรี่เพิ่มขึ้นอีก 39%

Tags:
Node Thumbnail

ล้ำไปอีกขั้นสำหรับซัมซุงที่เพิ่งประกาศเริ่มผลิตชิป ePoP (embedded package on package) ความจุสูงสำหรับสมาร์ทโฟนอย่างเป็นทางการแล้ว

ชิป ePoP คือการรวมเอาหน่วยความจำทั้งสองประเภทอย่าง LPDRR3 ความจุ 3GB กับ eMMC ความจุ 32GB มารวมกันในชิปตัวเดียว ลดขนาดของตัวโมดูลลง และสามารถวางไว้เหนือตัวชิปประมวลผลได้โดยไม่ต้องการเนื้อที่เพิ่ม

ด้านประสิทธิภาพ ePoP มาพร้อมกับชิป LPDDR3 ที่ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1,866Mbps พร้อมแบนด์วิดท์แบบ 64 บิต โดยคงขนาดของโมดูลไว้เท่ากับชิป PoP แบบปกติ (ไม่มี eMMC) ที่ 15x15 มม. บอกลาเนื้อที่เพิ่มอีก 11.5x13 มม. ที่ต้องเก็บไว้ใช้กับ eMMC ไปได้เลย

Tags:
Node Thumbnail

เปิดเดือนแรกของปีก็มีข่าวลือของ iPhone รุ่นใหม่ออกมาแล้ว (ตอนนี้ก็เรียก iPhone 6s ไปพลางๆ) โดยในข้อมูลชุดดังกล่าวมีการพูดถึงแรมใน iPhone 6s ว่าจะเพิ่มเป็น 2GB แล้ว

ตามแหล่งข่าว ซัพพลายเออร์ของ iPhone 6s รอบนี้ใช้ Hynix และซัมซุงเป็นหลัก แล้วจะมี Micron-Elpida ตามมาทีหลัง และยังมีฟีเจอร์ที่เพิ่งใส่เข้าไปใน Apple Watch อย่าง Force Touch ที่ใช้การทำงานของแผงรับสัมผัสบนหน้าจอร่วมกับเซนเซอร์ให้สามารถจับได้ว่าสัมผัสที่แตะไปนั้นหนัก หรือเบาได้

นอกนั้นก็มีข้อมูลอื่นๆ ที่น่าจะเดาได้อย่างชิป Apple A9 นั่นเองครับ

ที่มา - Tech News

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

ซังซุงประกาศเริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ GDDR5 ความจุ 8Gb เป็นจำนวนมากแล้ว โดยเคลมว่าเป็นเจ้าแรกที่สามารถพัฒนาหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงระดับนี้ได้ก่อนใคร

หน่วยความจำ GDDR5 ของซัมซุงชุดนี้ผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร ซึ่งนอกจากจะสามารถลดจำนวนชิปลงเพื่อให้ได้จำนวนหน่วยความจำเท่าเดิมได้แล้ว ในชิปรุ่นใหม่ยังส่งข้อมูลได้สูงขึ้นเป็น 8Gbps ต่อพิน (เร็วขึ้น 1Gbps) เร็วกว่า DDR3 ที่ใช้ในโน้ตบุ๊กทั่วไปประมาณ 4 เท่าตัว

ความสำเร็จในครั้งนี้ของซัมซุงจะช่วยเหลือวงการบันเทิงทั้งฝั่งเกม และภาพยนตร์ให้อุปกรณ์มีบัฟเฟอร์ขนาดใหญ่ขึ้นเพื่อเตรียมพร้อมสำหรับยุค 4K ที่ใกล้เข้าไปทุกขณะ โดยชิปตัวใหม่นี้จะเริ่มส่งของให้ได้ภายในปีนี้ครับ

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

ซัมซุงซึ่งได้ชื่อว่าเป็นหนึ่งในผู้ผลิตแรมสำหรับอุปกรณ์พกพาที่ใหญ่เจ้าหนึ่ง วันนี้ประกาศเดินหน้าสายการผลิตแรมตัวใหม่สำหรับใช้ในอุปกรณ์พกพาแล้ว

แรมดังกล่าวเป็นแรมประเภท LPDDR4 ใช้กระบวนการผลิตที่ 20nm ขนาด 8 Gb ซึ่งเร็วกว่าแรม LPDDR3 ที่ขนาด 4 Gb ถึงสองเท่า

แรมตัวใหม่นี้สามารถทำความจุเพิ่มขึ้นไปได้ถึง 4GB อีกด้วย นอกจากนี้ ซัมซุงยังอ้างอีกว่า แรมดังกล่าวนั้นเร็วกว่า DRAM ที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์และ PC ทั้งยังกินพลังงานน้อยกว่ามาก

ซัมซุงจะเริ่มส่งแรม LPDDR4 ขนาดความจุ 2GB และ 3GB ในเดือนนี้ และจะส่งขนาดความจุ 4GB ได้ในช่วงต้นปี 2015

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว

นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)

สำหรับการเปลี่ยนมาใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร ช่วยลดการใช้พลังงานจากขนาด 25 นาโนเมตรลงถึง 25% ด้วยกันครับ

Tags:
Node Thumbnail

Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จในการผลิตชิปหน่วยความจำ low power double data rate 4 (LPDDR4) ขนาด 8 Gigabit (Gb นะครับไม่ใช่ GB) และเตรียมทำตลาดแรมชนิดนี้สำหรับอุปกรณ์พกพาในปีหน้า (ยังไม่ระบุกรอบเวลาชัดเจน)

ชิปแรมตัวใหม่นี้ใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร เมื่อชิปหนึ่งตัวมีขนาด 8 Gb (หรือ 1GB) ทำให้แรมหนึ่งแผงสามารถยัดชิป 4 ตัวเพื่อทำแรมขนาด 4GB ในแผ่นเดียวได้ (นั่นแปลว่าเราจะได้เห็นมือถือแรม 4GB ในเร็วๆ นี้)

ชิปแรมตัวนี้สามารถส่งข้อมูลได้ 3200 Mbps ต่อพินหนึ่งขา เร็วกว่าแรม LPDDR3 ในปัจจุบันเท่าตัว แต่ใช้พลังงานน้อยกว่ากันประมาณ 40%

ที่มา - Samsung Tomorrow

Tags:
Topics: 

จากกรณี ไฟไหม้โรงงาน SK Hynix ในจีน กระทบชิปหน่วยความจำ 10% ของโลก ส่งผลให้ราคาชิปหน่วยความจำดีดตัวขึ้น 42% จากเดิม (คิดจากชิปหน่วยความจำ DDR3 ขนาด 2Gb) มาอยู่ที่ 2.27 ดอลลาร์ เทียบกับของเดิมที่มีราคา 1.60 ดอลลาร์ในวันที่ไฟไหม้

SK Hynix แก้ปัญหาเบื้องต้นโดยเร่งปริมาณการผลิตจากโรงงานที่เกาหลีใต้แทน ซึ่งนักวิเคราะห์จากเกาหลียังมองว่าราคาชิปหน่วยความจำน่าจะยังอยู่ในระดับสูงไปตลอดไตรมาสที่สี่ของปีนี้ หรือจนกว่าโรงงานของ Hynix จะกลับมาทำงานได้เต็มที่เหมือนเดิม (ซึ่ง Hynix บอกว่าประมาณเดือนพฤศจิกายน)

ผู้ที่ได้รับผลกระทบมากที่สุดคงหนีไม่พ้นผู้ผลิตสมาร์ทโฟน ที่ตลาดมักจะแข่งกันดุเดือดที่สุดในช่วงไตรมาสที่สี่ของปีเป็นปกติอยู่แล้ว

Tags:
Node Thumbnail

เมื่อวันพุธที่ผ่านมา โรงงานหน่วยความจำของบริษัท SK Hynix ที่เมืองอู๋ซี ในประเทศจีน เกิดไฟไหม้เสียหายหนักจนต้องหยุดสายการผลิต ถึงแม้จะไม่มีใครได้รับบาดเจ็บหรือเสียชีวิตก็ตาม

อย่างไรก็ตามไฟไหม้ครั้งนี้กลับสร้างผลสะเทือนต่อวงการหน่วยความจำของโลก เพราะ SK Hynix ถือเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เป็นอันดับสองของโลก มีส่วนแบ่งตลาดประมาณ 30% และโรงงานแห่งนี้มีกำลังการผลิตประมาณครึ่งหนึ่งของ SK Hynix ทั้งบริษัท

คาดว่าไฟไหม้รอบนี้จะส่งผลต่อปริมาณซัพพลายของชิป DRAM ทั่วโลกประมาณ 10% และ SK Hynix เองก็เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ให้สินค้าของแอปเปิลด้วย

Tags:
Node Thumbnail

ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรม DDR4 มาได้สองปีกว่า ตอนนี้ซัมซุงเริ่มผลิตจำนวนมากเป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยจะเอามาจับกลุ่มองค์กรก่อน

แรม DDR4 ของซัมซุงจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร แต่ละโมดูลจุ 4Gb ซัมซุงเคลมว่าทำความเร็วได้สูงสุด 2,667Mbps เทียบกับแรม DDR3 แล้วประสิทธิภาพสูงกว่า 25% แต่กินพลังงานน้อยกว่า 30%

แรม DDR4 ชุดแรกที่ออกมาจะยังทำความเร็วได้ไม่สุด ซัมซุงเคลมว่าจะทำความเร็วได้ถึง 4,000Mbps ในอนาคตครับ

ที่มา - Engadget

Tags:
Node Thumbnail

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR3 2GB ไปเมื่อปลายปีก่อน จนตอนนี้อุปกรณ์พกพารุ่นท็อปพากันใช้แรม 2GB กันหมดแล้ว เมื่อเร็วๆ นี้ซัมซุงก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนา LPDDR3 4GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว

นอกจากความจุสูงสุดจะเพิ่มเป็น 4GB หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังขยับไปผลิตในสถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตร (จากรุ่นก่อนหน้า 30 นาโนเมตร) ตามสเปคที่ออกมาสามารถส่งข้อมูลด้วยความเร็ว 2,133 Mbps แม้ไม่ได้บอกแบนวิดท์มา แต่ก็ให้ตัวเลขประสิทธิภาพมาคร่าวๆ ว่าจะเหนือกว่า LPDDR2 30% ในขณะที่กินไฟน้อยราวๆ 20%

ซัมซุงบอกว่าหน่วยความจำรุ่นนี้จะเริ่มใช้ในอุปกรณ์ของตัวเองในอีกเดือนสองเดือนข้างหน้า ไม่แน่ว่าเราอาจจะเห็น Galaxy Note 3 ใช้ก็ได้ครับ

Tags:
Topics: 
Node Thumbnail

Toshiba พัฒนา STT-MRAM (spin transfer torque magnetoresistive RAM) ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานได้ถึง 2 ใน 3

ระบบประมวลผลของอุปกรณ์พกพาโดยส่วนใหญ่มักทำงานควบคู่กับ SRAM (static RAM) ซึ่งถือเป็น RAM ที่มีความเร็วในการทำงานสูง แต่กินพลังงานไฟฟ้าเป็นอย่างมาก เนื่องจากต้องการพลังงานไฟฟ้าไปเลี้ยงอยู่ตลอดเวลาเพื่อรักษาข้อมูลไว้ในหน่วยความจำ ทั้งยังมีปัญหากระแสรั่วไหล โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อหน่วยประมวลผลได้รับการพัฒนาให้มีความเร็วสูงยิ่งขึ้น หน่วยความจำก็ยิ่งต้องทำงานเร็วขึ้นสอดคล้องกันไป ทำให้ยิ่งสิ้นเปลืองพลังงาน

Tags:

แรมพีซีตอนนี้ที่เราใช้กันมักเป็นมาตรฐาน DDR3 (หรือยังมี DDR2 บ้างในโทรศัพท์มือถือ) และตอนนี้ JEDEC หน่วยงานออกมาตรฐานด้านเซมิคอนดักเตอร์ก็ออกมาตรฐาน JESD79-4 หรือมาตรฐาน DDR4 ให้ดาวน์โหลดแล้ว พร้อมเปิดเวิร์คชอปสำหรับนักพัฒนาปลายเดือนตุลาคมนี้

มาตรฐานช่วงเริ่มต้น จะรองรับการส่งข้อมูล 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาทีเป็นขั้นต่ำ และ 3.2 พันล้านครั้งต่อวินาทีที่ความเร็วสูงสุด แต่ในมาตรฐาน DDR3 ที่ตอนออกมาตรฐานกำหนดความเร็วสูงสุด 1.6 พันล้านครั้งต่อวินาที ก็มีการออกชิปรุ่นใหม่ๆ ที่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้นจนทำความเร็วได้เกินมาตรฐาน ใน DDR4 ก็คาดว่าจะทำได้แบบเดียวกัน

Tags:
Node Thumbnail

แม้ว่ามาตรฐานแรมรุ่นถัดไปอย่าง DDR4 ยังไม่ได้ประกาศอย่างเป็นทางการ หลังจากที่ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาไปตั้งแต่ต้นปี 2011 แต่ตอนนี้ผู้ผลิตอย่าง Micron ได้พัฒนาแรม DDR4 ที่พร้อมสำหรับใช้งานจริงได้แล้ว และเริ่มส่งตัวอย่างไปยังคู่ค้าบางราย เพื่อเริ่มผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายของปีนี้แล้ว

มาตรฐาน DDR4 ของ Micron จะชิปขนาด 4Gb จำนวน 8-32 ชิ้นแล้วแต่รุ่น ซึ่งสามารถทำความเร็วส่งข้อมูลได้เริ่มต้นที่ 2400 MT/s และจะเพิ่มเป็น 3200 MT/s ในภายหลัง

Tags:
Node Thumbnail

ข่าวเก่าไปสักเล็กน้อยแต่ยังใช้ได้อยู่นะครับ

Samsung Electronics ประกาศแผนการผลิตแรมพลังงานต่ำสำหรับอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่คือ LPDDR3 SDRAM โดยซัมซุงจะสามารถผลิตหน่วยความจำขนาด 4 Gb ที่ขนาด 30nm และกินไฟ 1.2V

ปัจจุบันแรมในมือถือใช้ LPDDR2 ที่มีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุด 800Mbps ต่อหน่วย (terminal) และมีอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดต่อชิปที่ 3.2Gbps ในขณะที่แรม LPDDR3 มีอัตราการส่งข้อมูลต่อ terminal มากกว่ากันเท่าตัวคือ 1.6Gbps โดยที่แรมทั้งสองชนิดกินไฟเท่ากัน

ซัมซุงบอกว่าแรมแบบใหม่ LPDDR3 จะกลายเป็นแรมมาตรฐานของมือถือในปีนี้

Pages