IBM ร่วมกับพาร์ทเนอร์คือซัมซุงและ GLOBALFOUNDRIES ประกาศความสำเร็จของการผลิตชิประดับ 5 นาโนเมตรได้เป็นรายแรก
เทคนิคของ IBM เรียกว่า Gate-All-Around Transistor (GAAFET) ถูกนำมาใช้แทนสถาปัตยกรรม FinFET ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน แนวคิของมันคือการสร้างแผ่นเซมิคอนดักเตอร์แบบ "นาโนชีท" มาวางซ้อนทับกัน (stacked nanosheet) ได้ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพดีขึ้น 40% ที่ระดับพลังงานเท่าเดิม หรือลดพลังงานลงได้ 75% ที่ประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน เมื่อเทียบกับการผลิตแบบ 10 นาโนเมตรในท้องตลาด
ตอนนี้สถานะของ IBM ยังอยู่ในขั้นงานวิจัย รายละเอียดจะเผยแพร่ในการประชุม 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits อีกสองสัปดาห์ข้างหน้า
ที่มา - IBM, Ars Technica
Comments
ดีครับ แต่กว่าจะใช้จริงก็อีกนานมาก
ถ้าไม่มีการแข่งขันที่ดุเดือดก็คงไม่รีบผลิตจริงออกมา
Globalfoundries จะเริ่มเดินเครื่อง 7nm ปีหน้าแล้วครับ
รายนี้ใช่โรงงานของ AMD ที่แยกตัวมาหรือเปล่า
I need healing.
เรากำลังเห็นโลกที่แข่งขันกันผลิตชิป ระดับนาโน มากขึ้นในตลาด ก็มี samsung tsmc huawei mediatek intel ฯ แต่ที่แน่ๆ เทคโนโลยีใหม่มาพร้อมกับราคาที่แพง อันนี้ต้องทำใจยอมรับ
แนวคิ ?
Ibm ประกาศ
แต่ samsung ผลิตได้จริงเจ้าแรก
ต่อไปก็จะสร้าง NanoSuit
แต่ถ้าเลือกแบบหลังแล้วใช้ 4 ชุดจะได้ประสิทธิภาพ 400% ที่พลังงานเท่าเดิม :p (นี่ก็คิดง่ายไป๊)
GAAFET ไม่น่าจะมาจาก Gate All Around Transistor นะครับ ดูจากตัวย่อ ต้องเป็น GAAT
GAAFET น่าจะมาจาก Gate All Around Field Effect Transistor มากกว่า
แต่ Transistor ก็มีหลายแบบ ทั้ง BJT, FET, MOSFET, IGBT